小米智能手机POCO X7 Pro 【图片提供 小米韩国】 小米旗下智能手机品牌POCO将从下月10日起在韩国开售POCO X7 Pro。 据小米韩国28日消息，POCO X7 Pro将从下月7日起开启预售，10日起陆续上线Naver、小米官方商店、Coupang等。 POCO是小米旗下的子品牌，以高性能和高性价比为卖点。POCO X7 Pro搭载联发科天玑8400芯片，内置6000mAh电池，支持90W超高速快充，配备6.67英寸1.5K分辨率的AMOLED屏幕。支持120Hz高刷新率和Dolby Vision技术，峰值亮度达到3200nits‌。POCO X7 Pro的韩国售价也将于下月10日公开。

近日，存储芯片产业的一则消息引发行业高度关注，三星电子与中国存储芯片厂商长江存储达成一项重磅协议，将从长江存储获得开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”技术专利许可协议，这是中国存储芯片产业历史上首次“反向输出”。成立不足十年的长江存储竟然对半导体巨头三星输出专利，这一听上去似乎是“天方夜谭”般的魔幻剧情正在变为现实。 三星在存储芯片领域一直是神话一般的存在，但在迈向更高堆叠层数的道路上却被技术问题羁绊。三星此前采用的技术在NAND堆叠层数超过400层时会不堪重负，为突破这一瓶颈，三星亟需新的技术方案，若自研技术三星需要每年投入12至15亿美元，而购买长江存储的“混合键合”成本仅为自研的五分之一，并且能让三星产品上市周期缩短18至24个月，这对三星无疑是极大的诱惑。 长江存储向三星提供专利的消息乍一看是偶然，但实际是中国半导体产业技术实力和市场地位提升的体现，正如横空出世的DeepSeek一样，这是中国的综合国力、科技实力、人才储备、产业创新都达到一定高度后产生的。 近年来中韩经济合作，特别是在尖端产业领域的合作受到各种外部因素的消极干扰，韩国国内一直担忧这种合作将大大削弱韩国相关产业在国际上的竞争力。两国在部分领域的竞争虽在日趋激烈，但合作空间更大更广。长江存储向三星提供专利或许仅仅只是一个开始，期待中韩两国在半导体产业上的合作可以向更加开放、协同和创新的方向发展。 长江存储向三星提供专利技术 【图片来源 网络】

近日，业内分析认为，三星电子在存储半导体领域的技术领先优势正在迅速缩小。中国长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）正在加快技术追赶步伐，三星曾占据主导地位的NAND闪存市场也面临竞争压力。与此同时，三星在下一代存储产品的研发进展缓慢，部分业内人士认为其研发（R&D）和产品开发战略调整已迫在眉睫。 据业界27日消息，三星电子半导体（DS）部门在下一代产品及工艺开发方面面临困难。三星在400层级NAND闪存的量产过程中，决定采用长江存储的“混合键合（Hybrid Bonding）”技术专利。混合键合是一种不使用凸点（Bump），直接连接晶圆与晶圆的先进封装工艺。在尖端DRAM领域，三星正对10nm级第六代（1c）DRAM进行重新设计，而下一代10nm级第七代（1d）DRAM的研发进展也不顺利。 三星电子决定在400层级NAND闪存生产中采用长江存储的混合键合专利，这被视为长江存储在关键技术上已经占据上风。此前，长江存储在NAND市场的影响力较小。数据显示，截至2024年第三季度，三星电子在全球NAND市场的份额为35.2%，排名第一，SK海力士以20.6%排名第二，而长江存储的市场份额则低于5%。 然而，长江存储凭借混合键合技术迎头赶上。与三星和SK海力士主要改进现有堆叠工艺不同，长江存储过去几年专注于3D NAND的混合键合技术，并成功实现商业化。长江存储将这一技术命名为“Xtacking”，随着NAND堆叠层数进入400层级，传统工艺遇到了瓶颈，混合键合技术成为突破关键。相比之下，三星和SK海力士目前的量产NAND分别为286层和321层。 除了NAND市场，三星在DRAM领域的竞争力也受到冲击。三星最近决定对最先进的1c DRAM芯片进行重新设计，这一决定可能会导致市场布局延迟。 DRAM技术每提升一代，都会进一步缩小电路尺寸，提高性能并降低功耗。目前，三星、SK海力士和美光的市场竞争主要围绕1a和1b DRAM展开，而1c DRAM的研发被视为下一个关键战场。然而，由于重新设计1c DRAM需要耗费大量时间，包括重新绘制电路图、调整生产所需的光罩（Mask）等，市场竞争格局可能受到影响。美光公司已于本月25日（当地时间）宣布向客户提供1c DRAM样品，这意味着其在技术推进上已经领先于三星。 如果1c DRAM开发受阻，三星的第六代高带宽存储（HBM4）业务也将受到严重影响。三星在第五代HBM（HBM3E）市场中已被SK海力士超越，导致在AI半导体时代落后。为了扭转局势，三星计划在HBM4产品中采用1c DRAM技术，而SK海力士则计划在其HBM产品中采用1b DRAM。 此外，三星下一代1d DRAM的研发进展也不及预期。业内人士透露：“三星最初计划将1d DRAM的电路线宽缩小到10.3至10.4nm，但目前的技术条件下难以实现这一目标。” 随着中国存储芯片厂商的快速崛起，三星电子在NAND和DRAM领域都面临着巨大的挑战。未来，三星是否能够通过战略调整，重新夺回技术优势，仍需拭目以待。 【图片来源 韩联社】

【图片来源 韩联社】 一项调查显示，中国台湾半导体代工巨头台积电（TSMC）的2纳米工艺芯片已达到批量生产的成熟阶段，这一突破性进展预示着整个半导体产业链即将迎来深刻变革‌。 据业界26日消息，台积电在2纳米工艺芯片的生产上取得了显著成就，良率达60%。不仅彰显了台积电在高端芯片制造领域的卓越实力，更为其从今年年末启动批量生产奠定了坚实基础。良率作为衡量芯片生产质量的关键指标，直接影响芯片的成本控制与供应稳定性。反之，三星电子仍处于克服良率不佳问题，虽然整体工程速度较台积电缓慢，但趋于向好态势。 台积电相关负责人表示，公司当前良率已超出市场预期，2纳米工艺芯片的合计产能预计将达到月产量5万片，若能顺利过渡到第二阶段，台积电有望在2025年末提前实现月产量8万片的目标，这一时间点较原先预计的2026年大幅提前。而公司的长远目标是实现月产量超过10万片，以持续为客户提供最先进的芯片制造服务。 从技术层面来看，2纳米工艺相较于3纳米工艺实现了显著提升。在相同功耗下，2纳米工艺芯片的速度可提高10至15%；而在相同速度下，其功耗则可降低25至30%。这一技术上的飞跃使得台积电在高端芯片制造领域保持独占鳌头的地位。 同时，三星电子也计划于今年年末批量生产2纳米工艺芯片，但其生产良率目前仅为20至30%，远低于台积电。尽管如此，三星电子在2纳米工艺初期的良率相较于3纳米初期已有了显著改善，且正全力以赴以提高良率。三星电子半导体（DS）部门代工事业部长韩振万（音）强调：“为了大幅提升工艺良品率并优化耗电量、性能、面积（PPA），必须仔细探寻所有可能的优化条件。”这一努力已初见成效，近期三星电子4纳米工艺良率已从去年的70%大幅提升至80%。 业界正密切关注三星电子能否在2纳米工艺上采用全新的GAA（Gate-All-Around）晶体管架构。这一技术不同于传统的FinFET架构，这种技术能够在性能和功耗上实现显著提升。尽管此前三星电子在3纳米工艺上尝试使用GAA技术，但由于结构复杂性较大，投入巨额资金后良率仍不尽如人意。而台积电首次将GAA应用于2纳米工艺，并取得了超出预期的良率表现。若三星电子在今年内未能有效改善其2纳米工艺的良品率，预计将在客户争夺中处于不利地位。

近年来，韩国人工智能（AI）与半导体行业的人才争夺战日益激烈。继SK海力士去年大规模招聘超过千名新员工及经验丰富的专业人才后，三星电子近日也启动了2025年上半年研究开发（R&D）领域的外籍人才招聘，力求抢占高端科技人才资源。 据相关业界26日消息，三星电子及三星显示、三星电机、三星SDS、三星SDI等10家关联企业自24日起正式开展R&D领域外籍经验人才招聘工作。这是三星集团自2023年启动该类招聘以来的第四次，参与企业已从最初的三星电子、三星显示和三星SDI三家扩大至十家。 此次招聘的基本要求为申请者须通过韩国语能力考试（TOPIK）三级以上，并具有至少两年相关工作经验或持有硕士、博士学位。尤其是具备半导体（DS）领域专业知识或硕博学历的技术人才，将大幅提高录取机会。 与此同时，韩国半导体企业正加大人才招募力度，以应对行业人力资源短缺的困境。随着AI产业迎来黄金发展期，高带宽存储器（HMB）市场快速增长，但企业普遍面临人才供不应求的局面，特别是引领高端技术创新的“超级人才”更是稀缺。 韩国业界对人才争夺的紧迫感还源于美国和中国在AI领域的激烈竞争。这两国正通过庞大的资源投入，吸引全球顶级科技人才，加剧了韩国本土企业在高端人才招聘方面的挑战。 根据韩国科学技术企划评价院（KISTEP）23日发布的《三大变革性技术领域技术水平深入分析》报告，韩国在部分半导体技术领域已被中国超越。例如，在“高集成化低功耗化”方面，韩国以90.9%（全球排名第三）落后于中国的94.1%（全球排名第二）；“高性能低功耗AI芯片技术”方面，韩国的技术水平为84.1%（全球排名第三），同样低于中国的88.3%（全球排名第二）。此外，在“功率半导体技术”及“下一代高性能传感技术”领域，韩国的全球排名也均低于中国。 尽管面临美国的高强度贸易壁垒，中国仍在加快构建自主AI与半导体技术体系，增强国际竞争力。2023年，全球顶级学术期刊《自然》（Nature）发布的“自然指数”显示，中国连续两年在学术论文数量与影响力方面超越美国，位居全球第一。 在人才培养方面，中国同样取得显著成就。据美国芝加哥大学智库的《全球AI人才追踪》报告，在全球排名前20%的顶级AI研究人员中，中国籍学者的占比从2019年的29%跃升至2022年的47%，而同期美国则从20%下降至18%。相比之下，韩国的占比始终维持在2%左右。 专家指出，中国之所以能在短时间内成长为“AI人才摇篮”，与政府的大力支持密不可分。自2016年提出“科技强国”战略以来，中国政府在高科技产业人才培养和引进方面投入了巨额资金，构建了全球领先的人才储备体系。 韩国科学界人士认为，韩国“软件产业重视度不足”的问题正在加剧人才短缺。韩国科学技术院（KAIST）名誉教授文松天表示，由于政府和企业对软件投资与研发的关注度不够，导致人才培养体系缺乏良好的发展环境，进而影响了AI半导体等前沿技术的国际竞争力。 据统计，韩国政府2025年AI相关预算仅为1.8万亿韩元（约合人民币91.29亿元），占总财政预算（673.3万亿韩元）的0.27%。文松天指出：“政府应尽快加大对软件产业的支持力度，凭借三星电子等韩国龙头企业的技术实力，完全有能力在短时间内实现突破。” 【图片来源 路透社/韩联社】

23日，首尔一家大型家电卖场中出售的LG电视机。【图片来源 韩联社】 KB证券于24日预测称，今年LG电子家电事业（H&A）销售额和营业利润有望创历史新高，并将股市目标价从原先的11万韩元（约合人民币555元）上调至12万韩元，并维持了持续收购的投资意见。 KB证券分析称，LG电子家电事业在今年预计实现销售额35万亿韩元，营业利润2.3万亿韩元，较去年分别增长5%和10%。这一显著增长主要得益于暖通空调（HVAC）业务的稳定表现，其销售比重占据家电总销售额的三分之一。此外，KB证券还预测，随着下半年物流费用的逐步减少，LG电子全球生产工厂对美国追加征税担忧将有所缓解，其家电事业的盈利能力将得到进一步提升。报告进一步指出，得益于家电事业的转好，LG电子在第一季度实现销售额22.3万亿韩元，同比增长6%，尽管营业利润为1.17万亿韩元，同比略有下降12%，但KB证券仍预测其全年营业利润有望突破12%的增长率。 尽管LG集团已出售子公司LG半导体，但LG电子仍在持续运营其系统级芯片（SoC）研究中心，该中心确保了600名研发（R&D）人员的稳定配置，致力于提升半导体芯片技术。该研究中心在人工智能（AI）、机器人、电子电器等领域，采用台积电（TSMC）等代工企业的先端工程，自行采购高性能半导体，并积极推动外部供应。 此外，LG电子正与米尔科技（ARM）、新思科技（SNPS）、博世、宝马等知名企业共同开发半导体性能和先进封装核心芯粒（Chiplet）技术。随着今年新兴的高速互联技术（CXL）市场的逐步开化，LG电子期待与这些企业在芯片技术上产生协同效应，共同提供高速、低延迟的通信解决方案。KB证券强调，LG电子正与微软、IBM等国际巨头积极探索量子计算机芯片相关的潜在合作机会。从长远来看，LG电子的系统级芯片研究中心有望在这些新兴领域发挥主导作用，引领公司开启全新的事业篇章。

三星集团面临的市场环境愈发严峻。18日下午发布的《股东大会目的事项记载事项》显示，电视、智能手机、DRAM、智能手机面板、汽车数字座舱等五大核心业务的市场占有率均呈下降趋势。 三星电视自2006年以来，已连续19年稳居全球市场第一。然而，2023年的市场占有率为30.1%，预计2024年降至28.3%。主要原因在于TCL等中国厂商推出大量低价电视产品，导致市场竞争加剧。 智能手机业务同样受到挑战。三星电子2022年全球市场份额为21.7%，但2024年下滑至18.6%（推测值）。尽管三星不断推出高端智能手机，但华为、小米、OPPO等中国厂商也相继进入折叠屏市场，对三星的领先地位构成威胁。三星方面表示，受AI智能手机需求增长带动，预计全球智能手机销量将从2024年的12.1亿部小幅增至2025年的12.3亿部。 半导体业务也面临挑战。DRAM市场份额自2022年的43.1%下降至2023年的42.2%，预测2024年继续降至41.3%。三星电子分析认为，主要竞争对手的追赶步伐加快，市场竞争日趋激烈。公司预计，存储市场方面，移动端和PC端的库存调整可能持续至2024年第一季度，而服务器市场的需求则受GPU供应情况影响，可能出现波动。 此外，三星智能手机面板的市场份额从2023年的50.1%降至2024年的41.3%。中国面板制造商京东方（BOE）向OPPO、Vivo等品牌供应面板，对三星市场份额造成冲击。 汽车数字座舱市场份额亦从2023年的16.5%下降至2024年的12.4%。主要原因在于全球汽车制造商加速供应链多元化，导致竞争格局发生变化。三星在该领域的主要对手包括LG电子、大陆集团（Continental）和松下（Panasonic）等。 面对市场份额下滑的压力，三星正加快布局高端市场，以维持竞争优势。 在半导体领域，公司决定减少通用型产品的供应，并加大对高价值产品的投入，例如高带宽存储（HBM）和DDR5等。与此同时，三星电子计划于今年下半年量产首批2nm工艺芯片。目前，该公司已开发出基于2nm工艺的Exynos芯片，并完成样品制作。2nm制程采用最新的“环绕栅极”（GAA）晶体管技术，以提升芯片性能和能效。 在电视业务方面，三星将聚焦98英寸Neo QLED 8K、OLED及高端生活方式电视，强化其在高端市场的竞争力。同时，在面板领域，三星计划拓展产品线，从智能手机面板延伸至IT设备、汽车和游戏显示器等新兴市场。 不过，三星内部普遍认为，在快速变化的半导体、显示面板和汽车电子行业，仅依靠价格和品质已难以维持竞争力。因此，公司管理层需要具备更强的战略决策能力，并加强组织管理，以应对当前挑战。 三星电子会长李在镕在2022年上任时曾在公司内部网发表题为《挑战未来》的就职演讲。他表示，未来的“三星精神”应是“将梦想和想象变成现实的企业”、“不断开创新世界的企业”，以及“以独有技术让人类社会更加富裕的企业”。李在镕强调：“在困难和挑战面前，我们更要提前布局、提升实力，当前正是需要更加果敢地迎难而上的时刻。” 图为三星江南“Galaxy Studio”以地铁为概念的数字立面全景。【图片来源 韩联社】

三星电子在中国全力"招兵买马"。其海外唯一的测试封装基地——苏州工厂（SESS）正扩大人才网络，分析认为此举旨在强化重要性日益凸显的半导体封装能力。 据江苏省张家港最大招聘网站“张家港人才网”18日消息，三星电子苏州工厂近日发布了社会招聘公告。招聘岗位涵盖工程师等技术类职位到行政类职位共11个职种。 技术类岗位包括：产品工程师、半导体创新工程师、软件工程师、C#软件工程师、设备技术员、操作员（生产岗位）、生产自动化工程师、消防设备技术员等。行政类岗位有人事专员、生产企划（资源运营）专员、HR数据分析师等。 三星对各岗位提出了相应的经验和背景要求。除负责苏州工厂消防安保与设备维护的消防技术员外，其他岗位均将具备一定水平的英语或韩语能力列为主要条件。特别是C#软件工程师等技术岗位，在招聘时将优先考虑精通韩语者。 分析认为，三星苏州工厂此次大规模招聘是为设备扩建做准备。据悉，三星去年第三季度前后曾签署协议，为扩建苏州工厂而进行约200亿韩元（约合人民币1亿元）规模的半导体设备买卖交易。 近期，随着超微细工艺半导体时代的开启和人工智能（AI）芯片需求激增，先进封装领域迎来爆发式增长。工艺越微细化，电路间干涉等物理问题就越突出，而封装技术正是实现精密芯片连接和运行的关键。AI芯片由于需要将存储器和系统半导体整合为单一芯片，复杂封装技术更显重要。 三星在韩国本土的封装投资也在加码。去年11月，公司宣布将从三星显示租借的28万平方米天安半导体工厂扩建HBM用封装产线，计划到2027年12月新增3条产线，扩大HBM用先进封装产能。 苏州工厂是三星存储器和系统半导体的封装测试基地。1994年，三星在苏州工业园区内建成占地3万坪（约9.9万平方米）的工厂。2006年举行苏州半导体第二园区奠基仪式后，次年即投入运营，持续扩建至今。 【图片来源 张家港人才网】

美国总统唐纳德·特朗普在正式宣布对世界各国征收对等关税后，近日又暗示将对汽车和半导体产品实施额外关税，引发韩国整车及半导体产业高度紧张。 据悉，对等关税是指美国对进口产品征收与对方国家对美国产品所征关税水平相同的关税。特朗普13日（当地时间）在白宫签署了《对等贸易与关税》的总统备忘录，明确表示“美国将以公平方式征收与其他国家所征关税相当的关税”，并强调“汽车关税也将很快宣布”。目前，虽然韩国与美国签订了FTA（自由贸易协定），大部分领域维持零关税，但由于非关税壁垒等因素，对等关税的实施仍引发外界对额外征收汽车关税的担忧。继此前对钢铁和铝产品无例外或豁免地征收25%关税后，作为对美国出口顺差规模较大的汽车行业的进一步施压，额外关税的可能性大幅上升。 如果汽车领域实际被征收关税，国内企业将面临美国出口受损、原材料成本上升等一系列连锁反应。据KB证券分析，若汽车加征10%关税，现代汽车和起亚汽车的年营业利润将分别减少约1.9万亿韩元（约合人民币95.5亿元）和2.4万亿韩元；而因钢铁等产品关税上升导致原材料采购成本增加，企业盈利能力也将受到冲击。业内人士指出，“对国内整车企业而言，美国市场是关键出口市场，关税措施的影响将十分巨大”，但目前业内普遍认为尚未找到切实有效的对策。 为应对潜在风险，现代汽车集团正从多方面积极布局，包括扩大美国本地生产和加强与美国的合作。现代汽车是国内主要企业中唯一在特朗普总统就职仪式上捐赠100万美元的企业；其集团子公司现代制钢正在考虑在美国建设大型钢铁厂。近期，会长郑义宣还在赴美出差期间，与特朗普总统长子小唐纳德·特朗普进行了以“高尔夫商务”为主题的会晤。据悉，现代集团目前正通过试运行的“Metaplant America（HMGMA）”工厂，加快美国本地生产步伐，计划将美国年产能提升至100万辆；而最新推出的大型纯电动SUV艾尼氪（IONIC） 9，也将全部在HMGMA工厂生产后供美国市场销售。 汽车关税之外，半导体行业同样面临严峻挑战。三星电子和SK海力士在美国市场占有重要份额，并在中国设有半导体工厂，此次美国关税措施可能对企业战略和全球供应链产生重大影响。目前，韩国半导体企业正向美国主要IT公司供应内存半导体；随着云服务和人工智能（AI）市场的扩张，美国对半导体的需求不断增长，若对韩国半导体产品加征关税，其价格竞争力将不可避免地下降。 值得注意的是，特朗普政府还表示将对在中国生产的苹果和三星产品加征关税。三星电子和SK海力士均在中国拥有重要生产基地，其中SK海力士在中国无锡拥有大型DRAM生产工厂。目前，由于美国对中国半导体的限制，三星和SK海力士在中国的工厂运营已面临困境；若美国进一步加征关税，韩国企业将不得不在维持中国生产设施和寻求新对策之间做出抉择。若美国对在中国生产的半导体产品征收高额关税，韩国企业可能需承担成本上升风险或加大在美国生产设施的投资力度。 此外，特朗普还表示将重新谈判拜登政府时期推出的《芯片法案》（Chips Act）的补贴条件，此举进一步增加了三星电子和SK海力士的不确定性。根据《芯片法案》，三星电子和SK海力士正在积极推动在美国建设工厂并申请相关补贴，其中三星正在德克萨斯州泰勒市建设大型半导体工厂，SK海力士也计划在美国设立半导体封装厂。但如果特朗普政府更改补贴条件，韩国企业原本预期的支持力度可能会减少，甚至可能面临要求在美国增加投资的额外压力。拜登政府此前在发放补贴时，已附加“超额利润分成”和“防止技术外泄”等严格条件；若特朗普政府再要求进一步提高美国本土生产比例，三星电子和SK海力士可能将面临额外的投资负担。有业内人士指出，“三星和SK海力士已在美国半导体领域投入了大量资金，一旦补贴合同重新谈判，额外的投资要求极有可能成为企业的沉重负担”。 现代汽车集团13日表示，当地时间10日在美国加利福尼亚州加利福尼亚市莫哈韦行驶试验场举办了成立20周年纪念活动。图为会长郑义宣正与活动嘉宾签名留念。【图片来源 现代汽车集团】

中国凭借三轮高达6869亿元人民币的政府补贴，以及强劲的半导体内需，正在以惊人速度追赶韩国和美国等半导体强国。与韩国专注存储芯片不同，中国正在构建涵盖整个半导体生态系统的产业链。美国对7纳米以下制程所需的极紫外光（EUV）光刻机以及人工智能（AI）加速器所需的高带宽存储器（HBM）实施出口管制后，中国加快自主研发GPU和半导体设备，以减少对外依赖。 中国第一大DRAM企业长鑫存储（CXMT）快速扩大产能，导致韩国半导体产业遭到威胁。长鑫存储已量产17-18纳米制程的DDR4、LPDDR4X等主流DRAM，并成功投产12纳米级别的DDR5、LPDDR5X（低功耗存储）。2020年长鑫存储的晶圆月产量仅为4万片，但去年已增至20万片。相比之下，韩国的总月产量约为114万片（三星电子68万片，SK海力士46万片），由此可见长鑫存储正在迅速追赶。 此外，中国企业还通过低价策略引发存储芯片价格战。目前，中国制造的DDR4价格仅为韩国产品的一半，甚至比二手产品价格还低约5%。去年7月，通用PC DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的固定交易均价为2.1美元，今年1月已降至1.35美元，跌幅高达35.7%。长鑫存储的DDR5早期良率仅为20%，但经过持续优化，目前已提升至80%。 NAND闪存领域的技术差距也正在迅速缩小。长江存储（YMTC）本月已开始量产294层NAND闪存，而SK海力士和三星电子分别量产321层和286层产品。存储芯片的层数决定存储容量和密度，是关键竞争指标，中国企业已逼近韩国。长江存储受美国制裁无法获得荷兰ASML的EUV设备，导致产品在质量和稳定方面落后，但业内普遍认为，韩国企业仅能依靠在高端NAND市场的差异化竞争力来保持领先地位。 与韩国高度依赖出口不同，中国国内IT企业大规模采购本土芯片。华为早在2004年成立海思半导体，并成功研发自主应用处理器（AP）麒麟9000s，该芯片由中国晶圆代工厂中芯国际（SMIC）采用7纳米制程代工，最终用于华为Mate 60 Pro智能手机。华为在过去十年间已投入约1.2万亿元人民币进行半导体研发。 目前，业界对中国半导体技术水平评价不一。汉阳大学融合电子工程学系教授朴在勤表示，中国持续扩展DRAM和NAND市场份额，在主流市场凭借政府补贴的低价策略占据优势，韩国企业必须向高端市场转型，以确保竞争力。韩国产业研究院专家金杨澎（音）则认为，中国在主流市场的低价竞争扰乱半导体市场秩序，但韩国企业的整体竞争力尚未受到致命威胁。 实际上，中国针对韩国的高端芯片也已经发起挑战。目前，韩国企业在HBM市场占据主导地位，成为英伟达、超威等AI芯片巨头的主要供应商。中国则集中力量研究HBM带宽优化技术，以提升数据传输速率。汉阳大学教授白瑞仁（音）指出，韩国的研发侧重硬件制造，而中国则更加注重系统级应用，未来中国提升HBM领域的研发能力后，全球HBM市场格局可能发生变化。 面对美国的半导体设备出口管制，中国加快推进设备国产化。上海微电子已实现90-28纳米级别光刻机量产，并启动7纳米以下EUV光刻机研发。北方华创（NAURA）主攻刻蚀与沉积设备，中微半导体则研发等离子刻蚀设备。去年中国半导体设备国产化率目标为40%，多数研发资金来自国家集成电路产业投资基金。相比之下，韩国尚无光刻机制造能力。 【图片来源 GettyImagesBank】