近日，业内分析认为，三星电子在存储半导体领域的技术领先优势正在迅速缩小。中国长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）正在加快技术追赶步伐，三星曾占据主导地位的NAND闪存市场也面临竞争压力。与此同时，三星在下一代存储产品的研发进展缓慢，部分业内人士认为其研发（R&D）和产品开发战略调整已迫在眉睫。 据业界27日消息，三星电子半导体（DS）部门在下一代产品及工艺开发方面面临困难。三星在400层级NAND闪存的量产过程中，决定采用长江存储的“混合键合（Hybrid Bonding）”技术专利。混合键合是一种不使用凸点（Bump），直接连接晶圆与晶圆的先进封装工艺。在尖端DRAM领域，三星正对10nm级第六代（1c）DRAM进行重新设计，而下一代10nm级第七代（1d）DRAM的研发进展也不顺利。 三星电子决定在400层级NAND闪存生产中采用长江存储的混合键合专利，这被视为长江存储在关键技术上已经占据上风。此前，长江存储在NAND市场的影响力较小。数据显示，截至2024年第三季度，三星电子在全球NAND市场的份额为35.2%，排名第一，SK海力士以20.6%排名第二，而长江存储的市场份额则低于5%。 然而，长江存储凭借混合键合技术迎头赶上。与三星和SK海力士主要改进现有堆叠工艺不同，长江存储过去几年专注于3D NAND的混合键合技术，并成功实现商业化。长江存储将这一技术命名为“Xtacking”，随着NAND堆叠层数进入400层级，传统工艺遇到了瓶颈，混合键合技术成为突破关键。相比之下，三星和SK海力士目前的量产NAND分别为286层和321层。 除了NAND市场，三星在DRAM领域的竞争力也受到冲击。三星最近决定对最先进的1c DRAM芯片进行重新设计，这一决定可能会导致市场布局延迟。 DRAM技术每提升一代，都会进一步缩小电路尺寸，提高性能并降低功耗。目前，三星、SK海力士和美光的市场竞争主要围绕1a和1b DRAM展开，而1c DRAM的研发被视为下一个关键战场。然而，由于重新设计1c DRAM需要耗费大量时间，包括重新绘制电路图、调整生产所需的光罩（Mask）等，市场竞争格局可能受到影响。美光公司已于本月25日（当地时间）宣布向客户提供1c DRAM样品，这意味着其在技术推进上已经领先于三星。 如果1c DRAM开发受阻，三星的第六代高带宽存储（HBM4）业务也将受到严重影响。三星在第五代HBM（HBM3E）市场中已被SK海力士超越，导致在AI半导体时代落后。为了扭转局势，三星计划在HBM4产品中采用1c DRAM技术，而SK海力士则计划在其HBM产品中采用1b DRAM。 此外，三星下一代1d DRAM的研发进展也不及预期。业内人士透露：“三星最初计划将1d DRAM的电路线宽缩小到10.3至10.4nm，但目前的技术条件下难以实现这一目标。” 随着中国存储芯片厂商的快速崛起，三星电子在NAND和DRAM领域都面临着巨大的挑战。未来，三星是否能够通过战略调整，重新夺回技术优势，仍需拭目以待。 【图片来源 韩联社】

【图片来源 韩联社】 一项调查显示，中国台湾半导体代工巨头台积电（TSMC）的2纳米工艺芯片已达到批量生产的成熟阶段，这一突破性进展预示着整个半导体产业链即将迎来深刻变革‌。 据业界26日消息，台积电在2纳米工艺芯片的生产上取得了显著成就，良率达60%。不仅彰显了台积电在高端芯片制造领域的卓越实力，更为其从今年年末启动批量生产奠定了坚实基础。良率作为衡量芯片生产质量的关键指标，直接影响芯片的成本控制与供应稳定性。反之，三星电子仍处于克服良率不佳问题，虽然整体工程速度较台积电缓慢，但趋于向好态势。 台积电相关负责人表示，公司当前良率已超出市场预期，2纳米工艺芯片的合计产能预计将达到月产量5万片，若能顺利过渡到第二阶段，台积电有望在2025年末提前实现月产量8万片的目标，这一时间点较原先预计的2026年大幅提前。而公司的长远目标是实现月产量超过10万片，以持续为客户提供最先进的芯片制造服务。 从技术层面来看，2纳米工艺相较于3纳米工艺实现了显著提升。在相同功耗下，2纳米工艺芯片的速度可提高10至15%；而在相同速度下，其功耗则可降低25至30%。这一技术上的飞跃使得台积电在高端芯片制造领域保持独占鳌头的地位。 同时，三星电子也计划于今年年末批量生产2纳米工艺芯片，但其生产良率目前仅为20至30%，远低于台积电。尽管如此，三星电子在2纳米工艺初期的良率相较于3纳米初期已有了显著改善，且正全力以赴以提高良率。三星电子半导体（DS）部门代工事业部长韩振万（音）强调：“为了大幅提升工艺良品率并优化耗电量、性能、面积（PPA），必须仔细探寻所有可能的优化条件。”这一努力已初见成效，近期三星电子4纳米工艺良率已从去年的70%大幅提升至80%。 业界正密切关注三星电子能否在2纳米工艺上采用全新的GAA（Gate-All-Around）晶体管架构。这一技术不同于传统的FinFET架构，这种技术能够在性能和功耗上实现显著提升。尽管此前三星电子在3纳米工艺上尝试使用GAA技术，但由于结构复杂性较大，投入巨额资金后良率仍不尽如人意。而台积电首次将GAA应用于2纳米工艺，并取得了超出预期的良率表现。若三星电子在今年内未能有效改善其2纳米工艺的良品率，预计将在客户争夺中处于不利地位。

三星电机昆明工厂【图片来源 韩联社】 三星电机宣布关闭位于中国的昆山工厂。该厂自2009年起专注生产智能高密度互连（HDI）智能手机主板，时隔15年后正式关停。这一举措是三星电机在整理东莞法人之后，三星电机对事业性较低项目的又一次重要调整，旨在聚焦于新一代半导体基板及片式多层陶瓷电容器（MLCC）等高附加值领域。 三星电机日前公布的2024年监查报告显示，2019年末启动的昆山法人清算工作于去年年末结束。三星电机昆山法人于2009年成立，自2010年6月起开始进行HDI量产，是三星电机HDI产品的核心生产基地之一。然而，由于市场门槛低，中国等竞争企业激增、市场环境的变化以及成本压力的持续加剧，该工厂的收益性大幅恶化。因此，三星电机于2019年12月宣布逐步退出该业务领域，并经过约五年的清算工作，于去年年末正式宣告退出HDI智能手机主板业务。此外，三星电机在2023年底完成对东莞工厂的清算工作。该工厂生产音响、台式电脑、键盘、软盘驱动器（FDD）等产品，是三星集团于1992年中韩建交之际在中国设立的首家法人。 此番调整后，三星电机将战略重心转向先进半导体基板、多层陶瓷电容器等更高附加值的产品线，旨在全面提升公司的整体竞争力和盈利水平。随着三星电机清算完成昆山和东莞两大工厂，在中国运营的工厂仅剩高新和天津两家。其中，天津工厂作为三星电机主力产品MLCC的核心生产据点，公司高度重视，三星电子会长李在镕曾亲自访问了该工厂。 随着人工智能（AI）、电装等高附加值市场逐渐扩大，三星电机将以专注尖端事业为核心策略，加速推出FC-BGA封装基板、电装用MLCC、玻璃基板等创新产品，加快转型高附加值事业，以此稳固市场地位。

在美国特朗普第二届政府大幅加征关税导致韩国国内产业界危机感加剧的背景下，有观点认为，美国对华关税政策可能比对韩关税更严重地冲击韩国半导体行业。由于韩国半导体产品的大量出口用于中国制造的电子产品作为中间材料，一旦美国对华关税增加，韩国半导体业或将受到连锁影响。 据韩国业界24日消息，特朗普政府已宣布，对包括半导体和汽车等在内的多个行业征收25%的关税，并从本月4日起，对中国进口产品加征10%的额外关税。 这意味着韩国半导体企业不仅要承担25%的对美关税，同时还需面对中国出口美国产品所附加的10%关税的间接影响。有分析认为，相较于25%的直接关税，美国对华加征的关税对韩国半导体业的负面影响或许更为严重。 韩国进出口银行海外经济研究所发布的《2025年半导体产业出口展望》报告显示，特朗普曾在竞选期间承诺对所有进口商品征收10%至20%不等的关税，并对中国商品征收高达60%的关税。目前，美国仅对中国商品加征了10%的关税，但未来仍存在进一步追加关税的可能性。 报告预测，由于美国对中国制造的电子产品征收额外关税，在美销售的智能手机价格可能上涨26%，笔记本电脑和平板电脑的价格将上涨46%。与此同时，销售量预计将分别下降44%和54%。电子产品价格上涨将削弱美国消费者的购买力，进而导致销量减少。 韩国进出口银行海外经济研究所的高级研究员李美惠（音）表示，即使美国对韩国半导体征收25%的关税，美国的大型科技企业仍可能继续进口韩国半导体，以支持其云计算和数据中心等高端产业。她认为，在全球人工智能（AI）产业快速发展的背景下，科技公司仍需维持投资，预计对高性能半导体的需求不会大幅下滑。特别是高带宽存储器（HBM）市场几乎被韩国企业垄断，因此即使关税提高，产品价格上升，也不会对整体需求造成决定性影响。 然而，出口至中国的半导体市场情况可能更加严峻。由于韩国生产的半导体大多用于中国制造的电子产品中，一旦美国对中国制造的电子产品加征关税，韩国半导体企业势必受到波及。李美惠表示：“如果美国对中国商品大幅提高关税，在美销售的中国产品价格将随之上涨，进而降低消费需求。而价格敏感型消费者可能会减少购买，这将间接影响韩国半导体企业的出货量。” 韩国国际金融中心新兴经济部部长李致勋（音）也指出：“不仅是美国对半导体加征25%关税的问题，美国对华关税政策同样会对韩国半导体企业造成巨大影响。若中国出口至美国的电子产品减少，韩国半导体对华出口也将相应下滑。” 目前，美国对韩国半导体征收25%关税的问题仍可通过韩美政府间谈判及企业增加在美投资等方式寻求解决方案。然而，美国对中国征收额外关税的政策，韩国政府和企业却难以有效应对。 李致勋表示：“美国针对中国的关税措施是不可抗力，韩国政府和企业几乎没有可行的应对方案。”不过，他也认为：“美国也难以完全不计后果地实施关税政策，因为这可能对自身经济造成不利影响。因此，美国的关税措施可能更多是作为谈判筹码。” 【图片来源 路透社/韩联社】

据SK海力士25日消息，京畿道龙仁半导体集群内的SK海力士一期晶圆厂前日正式破土动工。公司原计划下月开工，但龙仁市加快审批流程，在本月21日批准建设，开工时间得以提前。 龙仁市自去年4月与SK海力士签署推动生产线提前动工及促进地方建筑产业发展的合作协议后，成立建筑许可专项小组（TF），加快审批进程。 龙仁半导体集群位于京畿道龙仁市处仁区远三面一带，占地面积415万平方米（约126万坪），包括SK海力士晶圆厂（约60万坪）、材料零部件设备企业合作园区（14万坪）和基础设施用地（12万坪），旨在打造一个完整的半导体产业园区。 SK海力士计划在龙仁集群内分阶段建设四座晶圆厂，一期工厂预计2027年5月竣工。该工厂建成后即将成为高带宽存储器（HBM）等新一代DRAM存储芯片生产基地，以满足日益增长的人工智能（AI）存储芯片需求，并奠定公司中长期增长基础。 SK海力士方面表示，计划与集群内的50余家半导体材料、零部件及设备企业携手，提升韩国半导体生态系统的竞争力。同时，公司计划在一期工厂内部建设“迷你晶圆厂”，以支持韩国半导体材料和设备中小企业的技术研发、验证和评估。该迷你晶圆厂计划配备300mm晶圆工艺设备，为合作伙伴提供接近实际生产环境的测试平台，以提升技术成熟度。 SK集团会长崔泰源2023年9月视察龙仁集群建设现场时表示：“龙仁集群是SK海力士历史上最具计划性和战略性的项目，需要超越以往的挑战精神。” SK海力士去年7月通过董事会决议，决定投资约9.4万亿韩元（约合人民币477亿元）建设龙仁半导体集群一期晶圆厂及相关办公设施。近期，公司还启动基础设施建设相关的经验丰富人才招聘，包括设备、电力、机械、管道、项目管理及安全管理等多个岗位。 除了龙仁工厂以外，SK海力士还在继续扩大生产能力。为满足不断增长的HBM需求，公司计划今年年底在清州建成HBM生产基地M15X，并进一步提升产能。 龙仁半导体集群假想图【图片来源 龙仁市政府】

23日，首尔一家大型家电卖场中出售的LG电视机。【图片来源 韩联社】 KB证券于24日预测称，今年LG电子家电事业（H&A）销售额和营业利润有望创历史新高，并将股市目标价从原先的11万韩元（约合人民币555元）上调至12万韩元，并维持了持续收购的投资意见。 KB证券分析称，LG电子家电事业在今年预计实现销售额35万亿韩元，营业利润2.3万亿韩元，较去年分别增长5%和10%。这一显著增长主要得益于暖通空调（HVAC）业务的稳定表现，其销售比重占据家电总销售额的三分之一。此外，KB证券还预测，随着下半年物流费用的逐步减少，LG电子全球生产工厂对美国追加征税担忧将有所缓解，其家电事业的盈利能力将得到进一步提升。报告进一步指出，得益于家电事业的转好，LG电子在第一季度实现销售额22.3万亿韩元，同比增长6%，尽管营业利润为1.17万亿韩元，同比略有下降12%，但KB证券仍预测其全年营业利润有望突破12%的增长率。 尽管LG集团已出售子公司LG半导体，但LG电子仍在持续运营其系统级芯片（SoC）研究中心，该中心确保了600名研发（R&D）人员的稳定配置，致力于提升半导体芯片技术。该研究中心在人工智能（AI）、机器人、电子电器等领域，采用台积电（TSMC）等代工企业的先端工程，自行采购高性能半导体，并积极推动外部供应。 此外，LG电子正与米尔科技（ARM）、新思科技（SNPS）、博世、宝马等知名企业共同开发半导体性能和先进封装核心芯粒（Chiplet）技术。随着今年新兴的高速互联技术（CXL）市场的逐步开化，LG电子期待与这些企业在芯片技术上产生协同效应，共同提供高速、低延迟的通信解决方案。KB证券强调，LG电子正与微软、IBM等国际巨头积极探索量子计算机芯片相关的潜在合作机会。从长远来看，LG电子的系统级芯片研究中心有望在这些新兴领域发挥主导作用，引领公司开启全新的事业篇章。

日前一项调查显示，韩国半导体技术水平在短短两年间大部分被中国反超。 23日，韩国科学技术企划评价院（KISTEP）发布《三大关键领域技术水平深度分析》报告。报告对韩国国内39名专家实施问卷调查结果显示，以去年为基准，韩国半导体领域技术基础能力在所有领域均全面落后于中国。 以最高技术领先国为100%为参考基准，在高集成、电阻存储器技术领域，韩国为90.9%，低于中国的94.1%位居第二位，在高性能、低功耗人工智能半导体技术领域，韩国为84.1%，也低于中国的88.3%。 在功率半导体领域，韩国为67.5%，中国为79.8%；在下一代高性能传感技术领域，韩国为81.3%，中国为83.9%；而在半导体先进封装技术领域，韩中两国均为74.2%打个平手。 从商业化角度评估技术水平时，韩国仅在高集成、电阻存储器技术和半导体先进封装技术领域领先于中国。 参与问卷调查的专家曾参于2022年接受同一调查，当时专家们认为韩国在高集成、电阻存储器技术、半导体先进封装技术、下一代高性能传感技术等领域均领先于中国，但在短短两年后情况已发生反转， 在针对半导体领域整体技术生命周期的问卷调查中，韩国在工艺和量产方面领先于中国，但在技术、原创及设计领域则落后于中国。 专家们认为，韩国半导体技术水平未来面临的问题主要有核心人才流失、人工智能半导体技术、中美竞争、本国优先政策、供应链本地化等，其中只有人工智能半导体技术可能对韩国的技术水平产生积极影响。 报告指出，在中日技术崛起、美国制裁、东南亚快速发展等因素下，韩国半导体市场不确定性增大。加上特朗普政府出台和韩国国内研发投资规模相对较小等问题，前景不容乐观。报告建议，韩国需要在确保先进半导体制造技术能力、扩大系统半导体领域生态系统、培养核心人才并防止现有人才流失等方面下功夫。 中国民用机器人企业宇树科技创始人王兴兴 【图片提供 韩联社】

19日，在京畿道平泽港停放着出口汽车。【图片来源 韩联社】 ‌ 金融业界普遍认为，美国贸易政策调整将对韩国主力产业造成显著冲击‌。 韩国银行（央行）于20日在《主力产业监测报告》中就今年半导体行业局势预测称，随着美国特朗普政府的上台，政策不确定性持续加剧，韩国半导体产业面临的下行风险显著增强。尽管今年高附加值的半导体出口呈转好态势，但受通用半导体需求不振等多重因素影响，预计半导体整体出口的增长势头将有所放缓。 在汽车出口方面，央行预测，尽管北美市场需求强劲，但由于在欧洲地区的销售表现低迷，加之美国贸易保护主义政策的加强以及当地生产规模扩大，韩国汽车出口将逐渐呈减少态势。 针对石油化学产业的市场分析，央行指出，受全球制造业景气疲软及供应过剩等因素影响，该产业的生产和出口难以实现大幅增加。钢铁行业方面，由于韩国建筑业景气萧条以及中国房地产市场复苏缓慢等因素，该行业将持续低迷。此外，美国计划征收25%的关税，进一步加剧了该行业的风险。 然而，在造船业方面，央行持积极态度。报告称，在造船业景气持续好转的背景下，以环保和高附加值船舶为中心的订单持续增加，收益性得到进一步改善。此外，特朗普政府放松包括化石燃料在内的能源政策、加强同盟国合作以及美国对华制裁带来的反射性利益等，有望对韩国造船业产生积极影响。 同时，IBK企业银行经济研究所日前发布的《美国普遍关税对韩国出口的影响》报告中指出，若美国政府实施普遍关税，韩国的总出口额或将同比（6838亿美元）减少1.8%（125亿美元）至4.6%（312.6亿美元）。报告中预测，中小企业对美国出口的打击将比大企业更为严重，且大部分产业出口都将遭受重大冲击。在主要出口产品中，汽车、通信设备和精密化学产品的对美国出口减幅将分别达到18.59%、21.17%和50.23%‌。

三星电子在中国全力"招兵买马"。其海外唯一的测试封装基地——苏州工厂（SESS）正扩大人才网络，分析认为此举旨在强化重要性日益凸显的半导体封装能力。 据江苏省张家港最大招聘网站“张家港人才网”18日消息，三星电子苏州工厂近日发布了社会招聘公告。招聘岗位涵盖工程师等技术类职位到行政类职位共11个职种。 技术类岗位包括：产品工程师、半导体创新工程师、软件工程师、C#软件工程师、设备技术员、操作员（生产岗位）、生产自动化工程师、消防设备技术员等。行政类岗位有人事专员、生产企划（资源运营）专员、HR数据分析师等。 三星对各岗位提出了相应的经验和背景要求。除负责苏州工厂消防安保与设备维护的消防技术员外，其他岗位均将具备一定水平的英语或韩语能力列为主要条件。特别是C#软件工程师等技术岗位，在招聘时将优先考虑精通韩语者。 分析认为，三星苏州工厂此次大规模招聘是为设备扩建做准备。据悉，三星去年第三季度前后曾签署协议，为扩建苏州工厂而进行约200亿韩元（约合人民币1亿元）规模的半导体设备买卖交易。 近期，随着超微细工艺半导体时代的开启和人工智能（AI）芯片需求激增，先进封装领域迎来爆发式增长。工艺越微细化，电路间干涉等物理问题就越突出，而封装技术正是实现精密芯片连接和运行的关键。AI芯片由于需要将存储器和系统半导体整合为单一芯片，复杂封装技术更显重要。 三星在韩国本土的封装投资也在加码。去年11月，公司宣布将从三星显示租借的28万平方米天安半导体工厂扩建HBM用封装产线，计划到2027年12月新增3条产线，扩大HBM用先进封装产能。 苏州工厂是三星存储器和系统半导体的封装测试基地。1994年，三星在苏州工业园区内建成占地3万坪（约9.9万平方米）的工厂。2006年举行苏州半导体第二园区奠基仪式后，次年即投入运营，持续扩建至今。 【图片来源 张家港人才网】

中国凭借三轮高达6869亿元人民币的政府补贴，以及强劲的半导体内需，正在以惊人速度追赶韩国和美国等半导体强国。与韩国专注存储芯片不同，中国正在构建涵盖整个半导体生态系统的产业链。美国对7纳米以下制程所需的极紫外光（EUV）光刻机以及人工智能（AI）加速器所需的高带宽存储器（HBM）实施出口管制后，中国加快自主研发GPU和半导体设备，以减少对外依赖。 中国第一大DRAM企业长鑫存储（CXMT）快速扩大产能，导致韩国半导体产业遭到威胁。长鑫存储已量产17-18纳米制程的DDR4、LPDDR4X等主流DRAM，并成功投产12纳米级别的DDR5、LPDDR5X（低功耗存储）。2020年长鑫存储的晶圆月产量仅为4万片，但去年已增至20万片。相比之下，韩国的总月产量约为114万片（三星电子68万片，SK海力士46万片），由此可见长鑫存储正在迅速追赶。 此外，中国企业还通过低价策略引发存储芯片价格战。目前，中国制造的DDR4价格仅为韩国产品的一半，甚至比二手产品价格还低约5%。去年7月，通用PC DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的固定交易均价为2.1美元，今年1月已降至1.35美元，跌幅高达35.7%。长鑫存储的DDR5早期良率仅为20%，但经过持续优化，目前已提升至80%。 NAND闪存领域的技术差距也正在迅速缩小。长江存储（YMTC）本月已开始量产294层NAND闪存，而SK海力士和三星电子分别量产321层和286层产品。存储芯片的层数决定存储容量和密度，是关键竞争指标，中国企业已逼近韩国。长江存储受美国制裁无法获得荷兰ASML的EUV设备，导致产品在质量和稳定方面落后，但业内普遍认为，韩国企业仅能依靠在高端NAND市场的差异化竞争力来保持领先地位。 与韩国高度依赖出口不同，中国国内IT企业大规模采购本土芯片。华为早在2004年成立海思半导体，并成功研发自主应用处理器（AP）麒麟9000s，该芯片由中国晶圆代工厂中芯国际（SMIC）采用7纳米制程代工，最终用于华为Mate 60 Pro智能手机。华为在过去十年间已投入约1.2万亿元人民币进行半导体研发。 目前，业界对中国半导体技术水平评价不一。汉阳大学融合电子工程学系教授朴在勤表示，中国持续扩展DRAM和NAND市场份额，在主流市场凭借政府补贴的低价策略占据优势，韩国企业必须向高端市场转型，以确保竞争力。韩国产业研究院专家金杨澎（音）则认为，中国在主流市场的低价竞争扰乱半导体市场秩序，但韩国企业的整体竞争力尚未受到致命威胁。 实际上，中国针对韩国的高端芯片也已经发起挑战。目前，韩国企业在HBM市场占据主导地位，成为英伟达、超威等AI芯片巨头的主要供应商。中国则集中力量研究HBM带宽优化技术，以提升数据传输速率。汉阳大学教授白瑞仁（音）指出，韩国的研发侧重硬件制造，而中国则更加注重系统级应用，未来中国提升HBM领域的研发能力后，全球HBM市场格局可能发生变化。 面对美国的半导体设备出口管制，中国加快推进设备国产化。上海微电子已实现90-28纳米级别光刻机量产，并启动7纳米以下EUV光刻机研发。北方华创（NAURA）主攻刻蚀与沉积设备，中微半导体则研发等离子刻蚀设备。去年中国半导体设备国产化率目标为40%，多数研发资金来自国家集成电路产业投资基金。相比之下，韩国尚无光刻机制造能力。 【图片来源 GettyImagesBank】