釜山港【图片来源 韩联社】 随着美国发起的关税大战正式打响，全球贸易环境急剧变化，韩国经济不确定性激增。为应对目前局势，韩国政府宣布今年将针对半导体、汽车等国内十大制造业领域投资119万亿韩元（约合人民币5986.2亿元），同比增加7%，旨在稳固产业基础，提升国际竞争力。 产业通商资源部日前在首尔举行第五次产业投资战略会议上，详细审议了韩国十大制造业投资业绩及未来规划，并决定进一步加大投资力度。当天，半导体、汽车、显示器、二次电池、石油化学、炼油、钢铁、生物、造船、机械及机器、纤维等十大制造业代表企业及大韩商工会议所、产业研究院等相关机构出席了会议。 调查显示，去年十大制造业投资业绩达114万亿韩元，略高于年初计划的110万亿韩元。产业通商资源部表示，尽管面临高利率长期化导致的资金筹措成本上升，以及高汇率引发的原材料进口价格激增等不利因素，半导体、汽车等关键产业依然展现出强劲的发展势头。 今年，韩国政府计划在十大制造业领域投资119万亿韩元。在全球关税战持续升级及国内政治环境不稳定等多重不确定因素交织的背景下，这一投资决策具有尤为重要的战略意义。据悉，今年半导体行业将聚焦全球人工智能（AI）需求的持续增长，加大对高附加值存储器的投资力度；而汽车行业则着眼于未来市场的不确定性，计划扩大电动汽车领域的投资规模。然而，受电动汽车市场需求暂时性停滞（Chasm）和全球供应过剩等因素的影响，二次电池和钢铁行业的投资将有所缩减。 为促进投资，韩国企业普遍呼吁政府延长去年未能获得国会通过的临时投资税额减免和资金补贴政策。同时，为最大限度地减少贸易不确定性带来的风险，企业还强烈要求政府提供更为积极的支持。 产业通商资源部长官安德根在会上表示：“在全球经济增速放缓及关税战役全面打响多重挑战下，核心制造业作为韩国经济支柱，必须兼顾海外投资与国内产业的均衡发展。考虑到国内就业岗位减少及供应链不确定性加剧等问题，政府将全力支持韩国企业实现稳定增长。”他进一步强调：“为从政策、资金、商务等多个层面助力企业成长，并鼓励投资者多元投资，政府将积极推动国会通过税收特例限制法、地方均衡投资促进法等有利于企业投资的法案。” 此外，韩国政府还将定期举行对外经济座谈会，深入探讨当前面临的难题与挑战。为在全球供应过剩的背景下保护国内市场，政府将加强贸易救济措施，以克服当前的产业危机，并进一步提升韩国产业的国际竞争力。安德根部长还表示，政府将认真履行今年的投资计划，并密切关注AI革命带来的新变化和新机遇，加大在AI领域的投资力度，为韩国经济的未来发展奠定坚实基础。

据半导体业界11日消息，三星电子正在升级中国西安工厂工艺至286层（V9）NAND闪存，以应对市场低迷和来自中国半导体公司的竞争。 自2023年以来，三星一直在推动西安工厂的主流128层（V6）NAND工艺过渡至236层（V8）生产线，并决定进一步安装V9生产线。三星计划在今年上半年引进新设备，并在下半年建立一条每月产能为2000至5000片晶圆的生产线。 西安工厂是三星唯一的海外存储芯片生产基地，对全球供应链至关重要，约占三星NAND总产量的40%。升级至286层NAND工艺预计能显著提高该工厂的生产能力。美国拜登政府授予三星“经过验证的最终用户（VEU）”许可，三星得以能够在中国生产超过200层的NAND，继续使用先进的制造工艺。 与此同时，三星还在韩国国内扩展先进NAND工艺，并自2024年下半年起把400层（V10）NAND应用于平泽P1工厂量产线。三星电子表示，计划加速向236层和286层NAND的过渡，以确保长期的产品竞争力。 尽管取得上述进步，但三星预计今年第一季度每月产能为42万个NAND单元，较上一季度减少25%。这一减少反映出当前移动和PC市场需求低迷，受到价格上涨和利率上涨等经济因素的影响。然而，人工智能（AI）数据中心等行业的需求不断增长，促使三星等半导体公司更专注于高性能、高容量的NAND生产。 三星电子西安工厂全景【图片来源 三星电子】

继DRAM之后，中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）有望进军技术门槛更高的高带宽存储器（HBM）市场，这一动向让韩国存储芯片双雄三星电子与 SK海力士倍感压力。 尽管美国对华制裁仍在持续，但长鑫存储仍在快速提升技术实力。业内担忧，如果长鑫存储不仅继续扩大传统DRAM生产，还加速量产先进HBM产品，未来数年内，韩国存储半导体产业或将受到严重冲击。 据相关业界12日消息，长鑫存储正在为第二代HBM产品——HBM2进行设备投资。早在2016年，三星电子和SK海力士就已开始量产HBM2，尽管长鑫存储在时间上落后近10年，但由于HBM2规格已趋于标准化，业内专家认为中国厂商在该领域的研发进程可能会大幅加快。 半导体行业相关人士表示：“从技术研发速度来看，中国企业正迅速追赶韩国企业，这已经是不争的事实。与DRAM和NAND闪存相似，较旧的HBM由于设计已标准化，开发周期大幅缩短。但关键仍在于能否在1至2年内掌握稳定的量产技术。” 值得关注的是，长鑫存储在2020年后技术进步明显加快。根据中国市场研究机构前瞻产业研究院的数据，2020年中国国产DRAM在全球市场的占有率仍为0%，但截至2024年已上升至 5%。过去，韩国半导体业内普遍认为中国企业要实现DRAM量产至少需要10年以上，但现实发展速度已远超预期。 长鑫存储近期不仅在DDR4 DRAM领域站稳脚跟，还在DDR5研发上取得突破，引发市场对其未来大规模量产的担忧。市场调查机构TechInsights指出，长鑫存储生产的DDR5 DRAM关键制程线宽已接近三星电子和SK海力士，表明中韩两国企业在技术层面的差距正迅速缩小。 面对中国企业的快速崛起，三星电子和SK海力士正处于重要的战略决策节点。两家公司在DDR4 DRAM市场已受到中国企业低价竞争的冲击，而对未来 5 年的市场走势同样感到不安。 韩国KAIST（韩国科学技术院）电气电子工程系特聘教授柳会峻表示：“中国企业已经具备在三星、SK海力士推出新产品1年左右就能开发出样品的能力，但在大规模量产方面仍可能面临技术障碍。” 柳会峻指出，在标准化存储芯片市场，中国企业凭借成本和产能优势，韩国企业很难与之展开价格战，因此必须转变业务模式，拓展产品组合，以保持竞争力。他建议三星和SK海力士应聚焦于内存内处理（PIM）、计算快速链接（CXL）等定制化存储技术，以此寻找突破口。 他进一步解释道：“PIM本质上是‘定制化DRAM’，需要与客户建立紧密的合作伙伴关系，同时与工艺技术深度结合，而这正是韩国企业的优势所在。目前全球半导体市场正掀起人工智能（AI）热潮，韩国存储厂商可以通过PIM等定制化存储产品，在AI终端设备市场开拓新的增长机会。” 【图片来源 长鑫存储】

树立的在美国三星半导体德克萨斯工厂的旗帜 【图片来源 韩联社】 去年韩国主要企业在北美市场的销售额实现了显著增长，增幅高达20%。然而，业界普遍担忧，若特朗普政府的关税政策得以正式实施，今年韩国企业的业绩或将遭受重大影响。 北美地区的韩国企业在信息技术（IT）、电气电子、制药、生物等领域均表现出强劲的增长势头，尤其是半导体产品的销售额急剧增加。然而，一旦征收关税，这些企业将失去价格竞争力，需求或将放缓。 企业分析研究所Leaders Index对销售额前500强企业中，提交去年前三季度报告并单独公布北美地区销售额的100家公司进行分析，并于11日发布的结果显示，受访企业去年前三季度在北美地区的销售额同比增加19.5%，达313.5231万亿韩元（约合人民币1.5769万亿元 ）。同期，受访企业的整体销售额也从1042.1534万亿韩元增至1117.3468万亿韩元。其中，北美市场所占的比重从25.2%升至28.1%，上升2.9个百分点，依赖度进一步提高。 从各行业来看，IT、电器、电子领域的销售额增长尤为突出。在该行业的12家受访企业中，北美市场的销售额增长42.7%，从2023年前三季度累计销售额80.0646万亿韩元增至2024年同期的114.2517万亿韩元，远高于整体销售额的增长率（26.1%）。 SK海力士以高附加值高带宽存储器（HBM）产品成功抢占人工智能（AI）半导体市场，其在北美市场的销售额增长显著，展现出强劲的市场竞争力。据统计，在美国市场，SK海力士2023年前三季度累计销售额达9.7357万亿韩元，占总销售额的45.4%。2024年同期增至27.358万亿韩元，占总销售额的58.8%，实现近3倍的增长。同期，三星电子在美洲地区的销售额也从68.2784万亿韩元增至84.6771万亿韩元，增加24%。此外，受电力需求增加的影响，晓星重工业和LS电气集团在北美地区的销售额也分别实现57.3%和12.3%的增长。 在汽车行业方面，北美市场的销售额同样大幅增加。现代汽车去年前三季度在北美实现57.3826万亿韩元的销售额，同比（49.0509万亿韩元）增长17%。同期，起亚汽车的销售额也从43.7245万亿韩元升至48.9473万亿韩元，上升12%。 如果特朗普引发的关税大战进一步升级，或将演变成“全球贸易大战”，将对出口依赖度高的韩国经济产生严重的负面影响。对外经济政策研究院此前发布的相关报告中预测，如果美国向包括有双边自由贸易协定（FTA）的韩国在内征收普遍关税，并引发主要国家的应对措施，最坏的情况下，韩国出口将减少448亿美元。 目前，特朗普政府已率先宣布将对中国征收10%的追加关税，并公布针对钢铁和铝追加25%关税的措施，打响了关税战争的炮火。同时，特朗普还公开了针对欧盟征收“相互关税”的构想。如果IT、电气电子、半导体、汽车等领域也征收追加关税，那么在北美地区销售额较高的韩国企业将不可避免地受到沉重打击。

韩国目前正在经历严重政治动荡，导致韩国成为今年全球半导体市场特别关注的关键因素。自去年“12·3紧急戒严事态”引发韩国内政混乱以来，紧张局势已经持续两个月以上。分析指出，三星电子、SK海力士等韩国企业在全球半导体市场中占据重要地位，如果紧张政局长期化，可能会对全球半导体市场带来负面影响。 半导体市场调研机构TechInsights 5日发布《2025半导体前瞻》报告，对今年半导体市场进行分析与预测。报告列出可能影响半导体产业的重大事件、技术创新及市场变化，并把韩国的政治现状及其对产业的影响列为关注重点之一。此外，报告还提及美国政治局势、英特尔领导层空缺、半导体企业首次公开募股（IPO）、存储芯片市场趋势及人工智能（AI）等因素。 报告中，继美国总统特朗普的经济政策分析之后，韩国政治局势被列为影响全球半导体市场的核心变量。报告指出，韩国的政治动荡可能对全球半导体产业产生潜在影响，并警告称韩国的政治局势有相当大的风险蔓延至经济领域。 报告对此列出需要关注的三大核心因素，分别为罢工威胁、政策延续性以及全球企业动向。随着戒严事件后全国各地的示威活动持续进行，政治不确定性正在逐步向经济领域扩散。 罢工威胁主要指向全国三星电子工会（NSEU）的潜在罢工风险。该工会目前正在与三星电子就工资及劳资协议进行谈判，如果11日的第五轮正式谈判依旧无实质性进展，NSEU计划宣布谈判破裂，并立即向中央劳动委员会申请调解。值得注意的是，该工会去年7月发起过史无前例的全国总罢工。 政策延续性则关注韩国政局不稳可能导致半导体相关政策的调整。如果韩国政局持续混乱，全球科技巨头可能会寻找韩国以外的替代供应链，从而改变全球半导体产业格局，因此全球企业动向也成为观察重点之一。 报告警告称，韩国的政治混乱可能对全球半导体供应链产生负面影响。三星电子与SK海力士等韩国半导体企业在全球市场占比巨大。数据显示，截至去年第三季度，三星电子与SK海力士在全球DRAM市场的份额高达75.5%。 除了韩国，美国同样被列为2025年半导体市场的关键变量。特朗普可能引发新一轮关税战争以及《芯片法案》补贴存在不确定性，令市场忧虑。此外，英特尔正处于寻找新首席执行官（CEO）的过渡阶段，领导层空缺也成为行业关注的焦点。半导体企业的IPO浪潮、低迷的存储芯片市场及人工智能（AI）的发展趋势，也被认为是今年影响半导体行业的重要因素。 【图片来源 ChatGPT】

近日，在三星集团旗下第一毛织与三星物产两家公司合并案及非法继承案的二审中，法院宣判三星电子会长李在镕无罪。耗时长达十年，李在镕终于成功摆脱司法纠葛，可以全身心投入企业经营。然而，从产业竞争的角度来看，李在镕目前依旧面临诸多亟待解决的难题，高带宽存储器（HBM）、10纳米级第六代（1c）DRAM、传统产品减产以及晶圆代工等领域任务繁重。 3日下午，在首尔高等法院，三星电子会长李在镕在不当合并与会计造假案二审中接受无罪宣判后走出法院。【图片来源 韩联社】 早在去年10月三星电子发布第三季度财报当天，《首尔经济》就报道称，三星HBM已经用于英伟达的A100等低端人工智能（AI）GPU。当时，三星HBM处于“风险量产（Risk Production）”阶段，但已经满足准量产供应标准。后续由于未能完全满足英伟达的要求，供应未能进一步扩大。 业内普遍认为，一旦进入风险量产阶段，就可以看作通过质量认证。因此，在去年第三季度业绩发表中，三星电子暗示HBM3E认证取得重要进展，并预计第四季度HBM3E销量还会扩大。目前来看，三星HBM3E 8层产品依旧面临技术和市场挑战，而SK海力士的HBM3E 12层产品已经通过认证，也难以打入英伟达供应链。 在今年1月的去年第四季度业绩发表中，三星表示即将推出“改进版HBM3E”以实现突破。三星电子副社长金宰俊表示，计划今年第一季度末向部分客户供应HBM3E改进产品，并在第二季度开始大规模供应。由此可见，三星正在重新设计HBM架构，并改进生产工艺中的关键材料和设备。今年行业趋势聚焦12层HBM，因此三星也有可能把更多资源集中在该产品上。 三星电子平泽工厂全景【图片来源 三星电子】 三星电子正在开发的1c DRAM原计划于今年5月获得量产批准，但最新消息显示，开发过程中进行大幅架构调整导致进度有所放缓，该目标或推迟至今年下半年。1c DRAM对于三星来说意义重大，竞争对手SK海力士已在去年完成1c DRAM开发并启动量产，而作为全球DRAM市场龙头的三星，产品推进速度稍显落后。 此外，DRAM芯片的开发进度与HBM业务息息相关。预计年底量产的HBM4计划首次采用1c DRAM。因此，相较封装方式，HBM的核心性能更取决于单颗DRAM芯片的质量。1c DRAM性能必须达到预期，才能确保封装后的整体芯片表现。 目前，IT设备需求复苏缓慢，存储芯片市场依旧低迷。三星在业绩发表中表示，标准产品价格出现下滑，今年第一季度DRAM销量预计会减少5%以上。与此同时，长鑫存储（CXMT）等中国存储芯片企业正在加大低价产品攻势。部分证券机构预测，HBM和通用存储业务面临困境，三星设备解决方案（DS）部门第一季度可能出现亏损。 为应对挑战，三星计划提高高端DRAM的生产比例，以避开低价竞争并提高利润。据市场调研机构集邦咨询（TrendForce）去年12月发布的报告，三星正在加快先进制程转换，今年第一季度DRAM晶圆投片量预计从去年第四季度的68万片减少到66万片，10纳米级第五代（1b）DRAM的生产比例预计从去年年底的7%提升至今年的31%。 与此同时，传统DRAM产品比例即将大幅下降。去年占比最高的10纳米级第三代（1z）产品逐渐退出市场主导地位，而第二代（1y）产品的市场份额也会降至个位数。在NAND闪存领域，三星计划减少传统产品产量，第一季度加速转向V8（236层）、V9（286层）NAND产品，并扩大大容量QLC产品销售。 晶圆代工业务方面客户订单减少，三星今年的投资策略则更为保守。三星去年在晶圆代工业务上的资本支出约为10万亿韩元（约合人民币503亿元），而今年预计大幅缩减至5万亿韩元。三星计划在今年上半年完成2纳米制程投资，但在3纳米及以下制程上并无产能扩张计划。去年第四季度业绩发表中，三星更新2纳米制程规划，第一代2纳米计划在2025年量产，第二代在2026年量产，目前已经启动客户芯片设计。 从左至右依次为三星电子会长李在镕、OpenAI首席执行官（CEO）萨姆·奥尔特曼（Sam Altman）和软银集团总裁孙正义。【图片来源 韩联社】 整体来看，三星半导体业务面临严峻挑战，但李在镕的司法风险解除，得以全面推进经营战略。二审宣判无罪的次日，李在镕立刻在三星瑞草总部接待OpenAI首席执行官（CEO）萨姆·奥尔特曼（Sam Altman）和软银集团总裁孙正义，展现掌门人的影响力。 这场会晤不仅暗示三星可能参与投资总额高达5000亿美元的AI项目“星际之门”，同时在HBM、高端DRAM和晶圆代工领域可能迎来扭转颓势的契机。在与全球顶级科技企业建立紧密合作的同时，李在镕能否通过稳健的组织管理，解决三星半导体当前面临的技术与订单挑战，值得持续关注。

韩国银行（央行）6日发布国际收支初步统计数据显示，去年12月韩国国际收支经常账户顺差123.7亿美元。出口增长和海外证券投资分红增加，推动去年12月韩国经常账户顺差创下历年12月最高纪录。 受此影响，韩国去年全年累计经常账户顺差达990.4亿美元，不仅是2023年（328.2亿美元）的三倍以上，还超过韩国银行此前预测的900亿美元。 从12月经常收支具体项目来看，商品收支顺差104.3亿美元，较2023年12月（86.6亿美元）和2024年11月（98.8亿美元）均有所增加。 去年12月出口规模达到633亿美元，同比增加6.6%。半导体等信息技术（IT）产品出口持续增长，同时乘用车、化工产品等非IT产品减幅收窄，出口增速得以从11月的0.8%提高至6.6%。 从品类来看，按照通关标准，信息通信设备（37%）、半导体（30.6%）、钢铁产品（6%）出口增长明显。从地区来看，对东南亚（15.4%）、欧盟（15.2%）、中国（8.6%）、日本（6.1%）、美国（5.5%）的出口均呈增长趋势。 去年12月进口规模为528.7亿美元，同比增加4.2%。其中原材料进口减少9.6%，但资本货物（24.4%）和消费货物（1.2%）进口增长，因此整体进口规模时隔三个月恢复增长。 从品类来看，天然气（-26.6%）、原油（-23.3%）、煤炭（-10.6%）等能源类产品进口减少，而运输设备（59.2%）、半导体制造设备（42.6%）、非耐用消费品（7.5%）等进口增长。 与商品收支不同，去年12月服务收支出现21.1亿美元逆差，规模较11月（-19.5亿美元）有所扩大，但与2023年12月（-29.8亿美元）相比有所缩小。其中，旅游收支逆差9.5亿美元，相较11月（-7.6亿美元）有所扩大，央行解释称主要受寒假海外旅游旺季影响。 本源收入收支顺差从去年11月的24.1亿美元增至12月的47.6亿美元，其中以证券投资分红收益为主的股息收入顺差达到35.9亿美元。金融账户净资产在去年12月增加93.8亿美元。 直接投资方面，韩国人对外直接投资增加69.5亿美元，外国人对韩直接投资增加12.3亿美元。证券投资方面，韩国人对外投资以股票为中心增加8.6亿美元，外国人对韩投资也以股票为主减少38亿美元。 釜山港【图片来源 韩联社】

ChatGPT开发公司OpenAI首席执行官（CEO）萨姆·奥尔特曼（Sam Altman）于4日开启韩国访问行程，先后与Kakao、SK集团、三星电子等科技巨头高层会晤。此次亚洲之行被视为OpenAI应对中国AI企业深度求索（DeepSeek）崛起的关键布局，旨在强化韩美日AI技术联盟，巩固全球人工智能领域主导权。 在结束3日与日本首相石破茂的会谈后，奥尔特曼迅速转战韩国展开密集行程。首站即与Kakao宣布达成战略合作——这是OpenAI首次与韩国企业建立官方伙伴关系。根据协议，Kakao旗下即时通讯平台KakaoTalk及即将推出的AI服务“Kanana”将全面接入OpenAI技术接口（API），同时引入ChatGPT企业版加速AI转型。Kakao代表郑信雅（音）强调，此次合作将推动"模型编排战略"升级，通过整合全球顶尖AI模型打造定制化服务。 双方表示，凭借Kakao对韩国用户的深刻理解与OpenAI的全球技术实力，将加速开发定制化AI服务，推动AI技术普及。奥尔特曼在记者会上表示：“Kakao深谙如何用技术丰富日常生活，并持续为用户提供创新体验。我们非常荣幸能将尖端AI技术带给Kakao的数千万用户，通过技术整合革新用户的沟通方式。”郑信雅强调：“我们对与全球AI领军者OpenAI的合作充满期待。此次合作不仅是模型编排战略的升级，更将成为Kakao打造未来数字生态的重要转折点。” 此外，奥尔特曼还与SK集团会长崔泰源会面，讨论人工智能（AI）半导体、AI生态系统扩展，以及OpenAI与SK集团全方位合作方案。具体内容包括SK海力士的高带宽内存（HBM）供应、SK电讯的AI数据中心建设等。SK电讯代表理事柳英相、SK海力士代表理事郭鲁正、SK海力士AI Infra社长金柱善等人陪同。 当天下午，奥尔特曼在首尔三星电子瑞草办公楼与三星电子会长李在镕、日本软银集团董事长兼CEO孙正义一同会面，围绕AI合作展开讨论。奥尔特曼去年1月访韩时，曾访问三星电子平泽工厂，参观了半导体生产线，并与时任DS部门负责人（社长）庆桂显等业务负责人会面，随后访问三星瑞草办公楼，与高层共进晚餐。 此次行程紧密关联OpenAI的全球战略布局。据透露，OpenAI联合软银、甲骨文筹建的合资公司“星际之门”（Stargate）计划未来四年内向美国AI基础设施投资5000亿美元，该项目已获特朗普公开背书。分析指出，随着中国DeepSeek在AI推理模型领域实现技术突破，美国正通过强化盟友协作遏制中国AI发展，韩国凭借半导体制造优势成为关键支点。 4日上午，Kakao代表郑信雅（左）在首尔Plaza酒店举行的记者招待会上与Open AI CEO萨姆·奥尔特曼进行交流。【图片来源 韩联社】

DeepSeek重创韩国股市 【图片提供 韩联社】 由韩国主要半导体股组成的“KRX半导体”指数总市值仅上月31日一天蒸发近30万亿韩元（约合人民币1500亿元），步入乙巳蛇年后的第一个月内，韩国半导体市值在好不容易有所改善的投资心理拉动下渐渐，却因中国人工智能（AI）初创企业深度求索（DeepSeek）的横空出世功亏一篑，证券市场高度关注韩国股市走势是否会因DeepSeek承压。 据韩国交易所3日消息，“KRX半导体”指数在春节假期后的首个交易日——上月31日单日暴跌5.72%，跌幅领跑韩国交易所编制的34个KRX产业指数中。 组成“KRX半导体”指数的55支股票总市值从春节假期前的上月24日533.0959万亿韩元（收盘价标准）缩水至31日的506.8847万亿韩元，单日狂跌26.2112万亿韩元，“KRX半导体”指数总市值跌回1月初的水平。 以上月31日为准，组成“KRX半导体指数”的股票中，九成（89.09%）未能摆脱颓势。其中尤以韩国半导体“三巨头”三星电子、SK海力士和韩美半导体的跌势最为显著，SK海力士单日股价蒸发15.8705万亿韩元，股价剧跌9.86%，韩美半导体单日股价跌6.14%，市值蒸发7149亿韩元。 SK海力士和韩美半导体是全球AI半导体龙头股英伟达的核心供应商，DeepSeek成功开发低成本大语言模型，证明“花小钱也可以办大事”，重创美股市场，英伟达股价上月27日暴跌17%。韩国证券界人士称，“DeepSeeK冲击”的威力在春节假期间蓄势在节后首个交易日爆发。 韩国市值首位的三星电子上月31日股价下跌2.42%，市值蒸发7.7606万亿韩元。尽管三星电子的第5代高带宽存储器（HBM）“HBM3E 8层”产品通过英伟达的测试认证，但这一利好消息未能反映在股价上，反而进一步“拉胯”股价。 “DeepSeeK冲击”无疑给韩国综合股指（KOSPI）的上扬行情泼了一盆冷水。截至上月24日收盘时，“KRX半导体指数”的涨幅为19.5%，在34个KRX行业中以压倒性优势居首。受此推动，KOSPI指数的收益率达到5.72%，高于美国道琼斯指数（4.42%）、标普500指数（3.73%）、日经225指数（0.09%）、中国上证指数（-2.96%）香港恒生指数（0.03%）、台湾加权指数（2.13%）、印度SENSEX等。 但截至上月31日收盘，单月KRX产业指数涨幅榜首被KRX机械设备指数（12.76%）夺走，KRX半导体指数则退居第二。 不过，韩国国内证券界普遍认为，“DeepSeek”冲击引发的韩国半导体股集体下跌可能只是短期调整，仍对市场前景抱有希望。 根据“一月晴雨表”（January Barometer）理论，1月股市涨跌往往预示着去年走势。自2017年以来，除2020年外这一理论均得到验证。尽管上月KRX半导体指数在最后阶段“崩盘”，但仍录得两位数的涨幅，因此从中长期来看，这一指数仍将保持涨势的可能性极高。

近日，随着中国初创公司DeepSeek（深度求索）推出低成本人工智能（AI）模型，市场普遍预计高带宽存储器（HBM）的需求将进一步扩大。同时，有分析认为，美国特朗普政府可能会进一步加强对华制裁，以遏制中国在AI芯片领域的崛起。这一局势让全球HBM市场的领导者——韩国SK海力士和三星电子的竞争环境变得更加复杂。 据行业消息和路透社2日报道，美国当地时间1月31日，英伟达（NVIDIA）首席执行官黄仁勋与总统特朗普会面，讨论了DeepSeek的发展及AI芯片出口管制问题。此次会谈发生在特朗普政府考虑加强对华半导体出口限制的背景下，因此备受关注。 DeepSeek最新推出的推理AI模型“R1”开发成本仅为557.6万美元，并使用了约2000颗英伟达专为中国市场设计的H800 AI加速器。这些芯片搭载的是HBM2E（第三代）或HBM3（第四代）存储器，而非最新的HBM3E（第五代）。 DeepSeek AI模型的高性价比令业内震惊。相较于美国科技巨头每年投入巨额资金开发AI模型，DeepSeek的研发成本不到其10%，但性能却能够媲美甚至超越竞争对手。受此影响，英伟达股价在1月27日大跌，其市值蒸发5890亿美元。 市场普遍预测，特朗普政府可能会进一步扩大对华半导体出口管制，甚至限制英伟达向中国出口H20等低端芯片。此前，美国已在2022年禁止英伟达向中国出口H100芯片，并在2023年限制了H800的出口。 ▲美国制裁的“反噬效应” 助推中国半导体产业崛起 业内人士指出，美国的制裁可能适得其反，反而加速了中国半导体产业的自主化进程，推动国产HBM的研发。 韩国龙仁大学中国学系教授、中国经营研究所所长朴胜赞表示，在美国的种种限制下，中国仍能推动AI技术的发展，主要得益于其在AI和半导体领域庞大的人才储备，以及中国政府的积极政策支持，如“AI+行动计划”。事实上，从科学、技术、工程和数学（STEM）领域的博士级人才数量来看，截至2023年，中国已达到7.7万人，约为美国的4倍。这表明，中国不仅拥有充足的人才基础，还有政策和市场的双重驱动，未来可能会涌现出更多像DeepSeek这样的企业。 近年来，美国对华半导体制裁反而助推了中国企业的成长。例如，2023年9月，华为在最新智能手机中采用了由中芯国际（SMIC）7nm工艺制造的芯片，而长鑫存储（CXMT）也已推出DDR5存储产品。 目前，长鑫存储已成功研发HBM2E，如果美国进一步收紧对低端AI芯片的出口限制，不排除未来英伟达GPU可能采用中国HBM芯片的可能性。此外，随着中国厂商加快HBM3的量产，并逐步推进HBM3E、HBM4的研发，韩国厂商在全球HBM市场的领先地位可能受到威胁。 ▲韩国企业高度警惕 三星、SK海力士密切关注DeepSeek 韩国半导体企业已经开始对DeepSeek的技术进行研究和评估。LG AI研究院等机构已启动对DeepSeek AI模型的测试和分析，而三星电子和SK海力士也在密切关注市场动态。 1月31日，三星电子存储事业部副社长金宰俊（音）在业绩说明会上表示：“我们正在密切关注业界动向，并针对不同情况制定多种应对方案。”他进一步指出，目前可获得的信息有限，因此尚难以准确评估DeepSeek的影响，但预计市场上既存在长期机遇，也存在短期风险。 如果未来更多企业采用低成本AI芯片开发AI模型，短期来看可能会影响高端HBM的销售，但从长远来看，HBM的整体需求仍可能持续增长。 【图片来源 路透社/韩联社】