英伟达总裁黄仁勋日前表示将向中国重新出口人工智能（AI）芯片“H20”，并暗示可能对华供应更高性能的芯片，三星电子和SK海力士作为高宽带内存（HBM）芯片主要制造商，有望从中获益。 综合外媒报道，黄仁勋日前出席在北京举行的中国国际供应链促进博览会，接受记者采访时表示，美国已放开英伟达H20芯片在中国的销售，我们希望能向中国提供更先进的芯片。H20是英伟达唯一获准在中国销售的AI芯片，深度求索（DeepSeek）等中国企业已在推理大模型上使用。 今年4月，特朗普政府将H20芯片列入对华出口管制清单中，令英伟达蒙受巨额损失。黄仁勋日前在中国台湾进行的演讲中表示，受出口管制我们无法对华出口H20产品，我们需处理数十亿美元的库存损失，这相当于一些半导体企业全部营收。 市场推算英伟达H20芯片库存规模在45亿美元左右，可满足一个季度的需求，预计英伟达将优先消化现有库存。 业界预测，英伟达恢复对华销售H20芯片，以及未来可能提出专供对华出口用的高性能AI芯片，将令三星电子和SK海力士直接受益。因为不仅可搭载利润较高的新品HBM3E内存，整体供货量也有望扩大。 市场调查机构集邦咨询（Trend Force）消息称，去年出货的H20芯片大部分搭载第四代HBM3内存，今年考虑升级至第五代HBM3E等更先进规格。搭载于H20芯片的大部分HBM内存由SK海力士提供，三星电子业参与部分供货。集邦咨询预测，H20恢复对华出口将令中国AI及云服务供应商（CSP）需求复苏，并带动HBM需求同步上升。将中国采购国外生产AI芯片的比重从42%上调至49%。 此外，英伟达瞄准中国市场推出的低功耗图形处理器（GPU）“RTX Pro6000（B40）”也备受关注。由于该产品搭载最新显卡内存“GDDR7”，在这一市场份额居首的三星电子或成最大受益者，SK海力士和美国美光则稍落后一步。 今年3月在美国举行的“GTC 2025”上，黄仁勋曾到访三星电子展台在GDDR7产品上亲笔签名。业内人士表示，虽然H20对华出口解禁，但当前库存量较大，三星电子和SK海力士短期内业绩难以得到明显改善，但随着即将推出的AI芯片及RTX Pro，最早有望于今年底或明年反映在收益上。 另有观察认为，以放宽英伟达出口限制为契机，美国政府公布在即的半导体关税政策及出口管制措施或出现松动迹象。

据芯片行业13日消息，​​​​​​LG电子计划进军高带宽存储器（HBM）用混合键合（Hybrid Bonder）设备市场，正式迈入半导体设备领域。这一举措不仅与LG集团会长具光谟高度重视的人工智能（AI）事业发展方向一致，也与LG电子近年来在企业间交易（B2B）业务的扩张战略紧密相连。 LG电子旗下生产技术院（PRI）目前已启动HBM用混合键合设备的研发，并计划在2028年实现量产。LG电子计划与已涉足HBM制造设备市场的三星电子、韩华半导体技术以及韩美半导体展开激烈的技术竞争，引领尖端制造行业发展。 LG电子生产技术院原本设有专门研究半导体封装技术的团队。随着此次混合键合设备开发的启动，公司正在着手扩大相关团队规模，积极引进业内高级人才，同时与学界开展研究合作。当前LG电子正在与仁荷大学的混合键合研究团队推进联合项目。 混合键合设备是在连接多个芯片时使用的高端设备，技术等级远高于传统的热压键合（TC）设备，因此素有“梦想设备”之称。传统方法通过在芯片间设置凸点实现垂直连接，而混合键合技术则可实现无需凸点的芯片直接叠合，不仅大幅降低芯片厚度，同时减少发热，是多层堆叠DRAM的HBM制造中必不可少的革新技术。 目前该技术已在NAND闪存和系统半导体领域成功应用，但尚未在HBM中实现商业发展。因此，如果LG电子此次开发成功，不仅有望迅速实现销售增长，还有可能迅速跃升为半导体设备领域强者。加上LG电子正在通过强化B2B业务改善公司结构，一旦混合键合设备取得成功，则有望获得SK海力士、美光、三星电子等公司订单。 在半导体混合键合设备领域，目前处于领先地位的是荷兰的Besi和美国的应用材料公司（Applied Materials）。HBM生产目前则主要由SK海力士与三星电子主导，并且两家企业均有强烈的设备本地化意愿，因此LG电子一旦具备足够的技术实力，就拥有充足的市场机会。 据悉，三星电子计划年内利用混合键合设备试产第六代HBM（HBM4），SK海力士也极有可能在第七代HBM（HBM4E）中引入该设备。三星目前正在通过子公司SEMES开发适用自家HBM产线的混合键合设备。韩华半导体技术则凭借今年向SK海力士供应热压键合设备，成功确立在半导体设备领域的地位，当前正在集中投资推动混合键合设备的商业化。 此前向SK海力士供应最多热压键合设备的韩美半导体也在推进混合键合设备的开发，公司上月宣布投资285亿韩元（约合人民币1.48亿元）建设专用工厂，全力备战未来市场竞争。

全球投资专家预测，韩国股市有望在未来10年内成为亚洲及全球新兴市场中收益率最高的市场。 据彭博社近日报道，全球投资研究机构晨星财富投资组合经理马克·普雷斯科特（Mark Preskett）表示，正在减持中国和日本股票，同时增加对韩国市场的投资比重。普雷斯科特押注韩国将在未来10年内成为亚洲及全球新兴市场中带来最佳投资回报的市场。 普雷斯科特指出，韩国市场的主要吸引力在于人工智能（AI）相关的科技股，以及韩国政府完善公司治理结构的新举措。他预计韩国股市未来10年的年回报率将达到11%至12%。在个别股票方面，他认为生产AI产业关键组件——高带宽内存（HBM）芯片的SK海力士和三星电子目前被低估，具有较大投资价值。 他还提到，韩国政府正在推动“企业价值提升”计划，致力于将公司治理结构改革法制化。这一举措有助于缓解投资者对少数股东权益保护不足以及财阀家族主导企业治理等长期担忧。 韩国综合股价指数（KOSPI）今年以来已上涨逾30%，成为全球表现最佳的股市之一。在总统李在明当选前后，全球基金于5月和6月向韩国股市投入了约30亿美元。随着韩国股市对海外投资者的吸引力持续提升，本月9日KOSPI指数收盘上涨18.79点，涨幅0.6%，报3133.74点，创3年10个月以来的最高水平。 尽管美国总统特朗普于当地时间7日宣布对韩国进口产品征收25%对等关税，韩国政府面临一定挑战，但普雷斯科特对此并不担心。他预测两国将在未来几周内达成某种协议。与此同时，考虑到现有汽车关税尚未升级，以及电子产品和药品享有关税豁免等因素，普雷斯科特对韩国市场前景保持积极态度。

美国半导体行业协会（SIA）于9日公布的数据显示，今年5月全球半导体市场呈现强劲增长态势。统计显示，当月全球半导体销售额达到590亿美元，同比（490亿美元）增长19.8%，环比（570亿美元）亦增长3.5%，展现出稳健的市场扩张趋势。 从地区来看，美洲地区增长尤为显著，销售额从去年同期的139亿美元跃升至183亿美元，同比增长32%。分析认为，这一增长主要得益于人工智能（AI）芯片需求的爆发式增长，该地区聚集了众多全球领先的科技巨头。同时，亚太地区增长25.1%，中国增长13%，欧洲增长5%，呈全球性普涨格局。美国半导体行业协会总裁兼首席执行官约翰·诺伊弗（John Neuffer） 表示：“美洲和亚太地区的强劲需求成为推动全球半导体市场增长的主要引擎。” 据推测，今年全年全球半导体市场规模将达7009亿美元，同比（6305亿美元）增长11.2%。分析指出，随着英伟达、亚马逊、谷歌等科技巨头持续扩大AI芯片采购规模，美洲地区半导体销售额在下半年有望保持强劲增长态势。随着AI、云计算平台以及高端消费电子产品的快速发展，持续推高半导体需求。 韩国半导体企业中，SK海力士成为美洲半导体市场需求扩张的主要受益者。据悉，SK海力士成为继英伟达之后，亚马逊和谷歌的HBM（高带宽内存）最大主要供应商。全球投资银行瑞银（UBS）指出，SK海力士已确保亚马逊网络服务（AWS）AI加速器Trainium 2.5和Trainium 3所需的8层HBM3E全部订单。同时，谷歌同样选择与SK海力士作为HBM3E 8层堆叠产品的首选供应商。 受此带动，市场预计SK海力士今年第二季度营业利润将达9万亿韩元（约合人民币476亿元）。反之，三星电子则未能充分把握本轮全球半导体需求扩张潮，由于三星电子高带宽内存产品尚未通过英伟达的质量认证（Qual Test），相关订单进展缓慢。 三星电子于昨日公布了2025年第二季度财报显示，销售额为74万亿韩元，营业利润为4.6万亿韩元，同比（10.44万亿韩元）剧减55.94%。

在全球半导体行业持续低迷的态势下，三星电子今年第二季度营业利润仅达4.6万亿韩元（约合人民币241.3亿元），远低于市场预期。 三星电子于8日公布的今年第二季度初步业绩报告显示，营业利润同比大跌55.94%，环比减少31.24%，显著低于市场普遍预期的6万亿韩元水平。创自2023年第四季度（2.8247万亿韩元）以来，时隔六个季度营业利润再次跌破5万亿韩元大关。 具体来看，负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门因预先计提库存资产评估损失准备金，叠加先进AI芯片受对华出口管制政策影响，对整体利润造成直接冲击。尽管改良版高带宽内存（HBM）产品已进入客户评估及小批量出货阶段，但其效益尚未能在第二季度业绩中得到体现。同时，非存储半导体业务仍面临销售受阻和生产线开工率持续走低的双重压力。但随着下半年市场需求逐步回暖，该业务板块的产能有望提升，从而改善亏损状况。此外，汇率波动和关税政策调整等因素也对企业整体盈利能力产生了负面影响。 从各业务板块表现来看，当前包括晶圆代工和系统LSI在内的非存储半导体部门及NAND业务仍处于亏损状态，而高附加值的HBM产品尚未产生显著的盈利贡献。韩国投资证券研究员蔡敏淑（音）指出，第二季度HBM的实际销售表现不及预期，加之NAND产品价格环比持续走低，预计相关业务亏损幅度将进一步扩大。晶圆代工业务的亏损规模预计与第一季度持平，自6月以来韩元汇率急剧贬值对营收和利润产生额外压力。 作为第一季度业绩贡献主力的移动体验（MX）部门，随着智能手机市场进入传统淡季，Galaxy S25系列产品的市场热度逐渐消退；同时，电视与家电业务也因市场需求持续疲软、关税成本上升以及行业竞争加剧等多重因素，盈利能力明显下滑。 虽然三星电子未公布各部门具体业绩数据，但证券业界普遍预测，DS部门营业利润约为1万亿韩元，MX与网络业务约为2万亿韩元，显示器部门预计在6000亿至7000亿韩元之间，电视与家电业务约为4000亿至5000亿韩元，哈曼部门则在3000亿至4000亿韩元区间。 市场普遍认为，三星电子业绩有望在下半年逐步回暖。其中，以存储芯片为核心的半导体业务复苏前景尤为值得期待。随着存储芯片价格企稳回升，行业整体供需关系有望持续改善。此外，在半导体市场低迷期发挥关键作用的手机与显示器业务也将迎来旺季。 韩亚证券研究员金禄昊（音）表示：“三星电子营业利润预计将在第二季度触底回升。随着随着HBM3E 12层产品向超威半导体（AMD）批量供货，DRAM市场供需趋于稳定，叠加HBM产品占比提升推动行业进入涨价周期。同时，晶圆代工业务通过降本增效和拓展新客户，预计第三季度起亏损将逐步收窄。”

据机器人行业与科研人士8日消息，机器人成为先进制造业的标志后，韩国在人形机器人竞争中逐渐边缘化，核心竞争力方面面临诸多挑战。 三星电子未来机器人推进团长兼Rainbow Robotics创始人兼韩国科学技术院（KAIST）名誉教授吴俊镐表示，从执行器（驱动装置）、外观设计到人工智能（AI）作业能力来看，韩国在高端人形机器人领域的技术水平为85至90，而美国为100；在普及型机器人方面，假设中国为100时，韩国则仅为90至95。他指出，目前差距尚不算大，韩国企业如果在研发和投资上加大力度，可能在2至3年内重新跻身世界一流行列。 韩国产业研究院（KIET）发布的制造用机器人产业综合竞争力评估显示，韩国的综合得分为75.9，远低于日本（98.5）和德国（95.4），略高于中国（74）。然而，在零部件采购和市场需求方面，中国的表现要优于韩国。 与其他制造领域一样，中国的机器人发展势头惊人。摩根士丹利数据显示，过去五年内，中国在人形机器人相关专利申请数量上以5688项位居世界第一，美国（1483项）和日本（1195项）也都突破千项，而韩国仅为368项。 据Meritz证券数据，在机器人三大核心驱动技术之一的减速器方面，中国的自给率已达70%。中国机器人龙头企业优必选（UBTECH）也宣布，目前用于机器人和精密设备的伺服驱动器国产化率已从40%提升至90%。 相比之下，韩国的机器人驱动部件国产化率仅在20%区间，电机与减速器国产率则在30%中段徘徊，尤其在高精度减速器和伺服电机方面，对日本进口依赖极高。也就是说，一旦零部件价格上涨或供应链发生波动，韩国机器人企业就会受到严重冲击。在机器人主要三大核心部件减速器、伺服电机、伺服控制器中，韩国的制造成本占比高达70%。 有进投资证券研究员梁承允（音）表示，中国在应对美国制裁的背景下，已经在机器人制造、零部件和软件等价值链上实现较高程度的本土化，并凭借庞大的内需市场成功进入量产阶段。 在资金筹措方面，韩国也远逊于竞争国家。中国政府近日宣布设立1370亿美元规模的国家主导型机器人产业风投基金，而韩国为开发人形机器人设立的“K人形机器人联合”扶持资金仅1万亿韩元（约合人民币52.5亿元）。 民间投资也不容乐观。韩国机器人产业振兴院的机器人产业实态调查显示，2023年韩国共有4521家机器人企业，仅1.7%（42家）获得外部投资，其中近一半（49.4%）的融资金额低于10亿韩元。今年，美国Figure AI、Apptronik、Skild AI、Agility Robotics等主要机器人公司的筹资规模均达到5000亿至7000亿韩元之间，远超韩国同行。 在先进制造业的另一核心支柱AI领域，韩国的生态系统建设也相对滞后。美国有OpenAI、谷歌、英伟达等在半导体设计和AI模型领域的领先企业，台湾则以台积电为中心构建稳固的材料、零部件和设备生态体系。中国也有DeepSeek等AI模型开发企业，以及长江存储（CXMT）、中芯国际（SMIC）等半导体公司与美国抗衡。韩国则除了SK海力士在高带宽存储器（HBM）方面有所突破外，在AI产业内几乎没有领导地位。 斯坦福大学以人为本人工智能研究所（HAI）统计的各国AI民间投资规模显示，去年韩国仅为13.3亿美元，远低于美国（1099.8亿美元）和中国（92.9亿美元）。 韩国汉城大学经济学教授金尚峰（音）指出，今年韩国制造业就业人口比重已跌至15%左右，创历史新低，制造业在国内生产总值（GDP）中所占比重也持续十年下滑，现在正是通过高附加值技术培养和扩大研发支持，加快向先进制造业转型的关键时刻。

韩国金融投资协会6日发布的数据显示，6月份三星电子普通股占韩国综合股价指数（KOSPI）总市值的14.53%，包括优先股在内的合计占比为16.17%，创下自2016年2月（15.83%）以来的最低水平。 该占比数据是以当月每个交易日三星电子收盘总市值占同期KOSPI市场全部股票收盘市值总额的比例计算月均值得出。 过去，三星电子（含优先股）占KOSPI总市值的比重一度超过20%。2020年3月更是达到27.82%的峰值，但自去年10月跌破20%关口至18.63%后，呈现持续下滑态势，6月进一步跌至16%区间，刷新近9年来新低。 三星电子在KOSPI市场占比跌破20%的主要原因在于负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门业绩疲软。根据三星电子一季度财报，DS部门营收为25.1万亿韩元（约合人民币1317亿元），环比下滑17%；营业利润1.1万亿韩元，环比下降1.8%。与此同时，非存储业务仍处于亏损状态，高带宽存储器（HBM）技术的市场竞争力尚未充分体现。 值得关注的是，6月份尽管市场对新政府推出股市刺激政策抱有期待，推动KOSPI指数连续上涨，但三星电子股价却未能跟上大盘步伐，导致其市值占比加速下滑。当月KOSPI指数累计上涨13.86%，而三星电子股价仅上涨6.41%。 然而，证券业界普遍预测，从今年第三季度起，随着HBM销售额增长，三星电子业绩有望触底回升。DS投资证券分析师李秀林（音）表示，三星电子业绩预计将在今年第二季度触底，第三季度开始回升。HBM3e 12层产品的主要客户供货预期依然存在，随着晶圆代工客户的增加，下半年表现值得期待。

三星电子负责设备解决方案（DS）部门的副会长全永铉近日亲赴英伟达总部，就GB300高性能计算卡所需的12层堆叠高带宽存储器（HBM）3E产品供应展开洽谈。继成功向超威半导体（AMD）供货后，三星试图借助这一成就，重振此前在英伟达供应链中失利的自信，打响反击之战。 据《首尔经济》1日报道，科技行业消息人士透露，全永铉上周访问美国硅谷，就12层堆叠HBM3E产品的质量验证及明年供货与英伟达进行深入讨论。这是全永铉5月初访问硅谷后，时隔不到两个月的第二次拜访。目前无法确认英伟达首席执行官（CEO）黄仁勋是否亲自参与会谈，但相关议题已经进入技术与量产层面的细节探讨。 知情人士称，三星在此次洽谈中强调第四代10纳米级DRAM的12层堆叠HBM3E产品，在改善基底和内核后，质量方面已经不输竞争对手。同时，三星还就向明年大规模出货的Blackwell Ultra供货进行交流。三星内部认为产品在性能上毫不逊色，并且已有向超威供货的先例，因此对结果持乐观态度。 三星电子近期正式宣布，为超威的人工智能（AI）加速器MI350X系列提供12层堆叠HBM3E产品。随着MI350X展现出超出预期的性能表现，外界对三星产品的疑虑逐渐消除，企业内部也更加坚定认为，通过英伟达的质量认证仅是时间问题，并有能力实现明年的大规模供货。 目前，英伟达计划今年年底开始出货Blackwell Ultra，该系列成为明年的主力AI加速器。首批所需的12层堆叠HBM3E芯片已与SK海力士及美光（Micron）签约。英伟达下一代产品Vera Rubin预计初期产量极为有限，Blackwell Ultra的需求或持续至后年。上一代H100 Hopper至今维持稳定销量，由此可见，最终HBM营收更多取决于长期供货份额而非初期出货数量。 据悉，英伟达目前尚未敲定2026年的供货协议。SK海力士与美光已经公开表示今年HBM产能售罄，但对明年的出货情况保持沉默。业内分析认为，三星电子的“第三供应商”身份是影响因素之一。如果三星成功进入英伟达12层堆叠HBM3E供应链，英伟达则在与SK海力士和美光的价格谈判中会处于更有利的位置。 半导体业内人士表示，目前SK海力士向英伟达提供的12层堆叠HBM3E产品平均售价（ASP）较8层产品高出约60%。如果三星的HBM质量令人满意，英伟达自然就有动力引入竞争机制，以此压低整体采购成本。 这一考量对英伟达的未来产品决策也造成影响。原定明年年底出货的Vera Rubin搭载的HBM4采用计划目前已经推迟。SK海力士与美光分别在3月和6月提供HBM4样品，而三星计划在7月至8月交付样品。英伟达目前正在等待三星样品，以决定最终走向。 三星方面则全力攻坚HBM4质量。与采用第五代10纳米级DRAM的SK海力士和美光产品不同，三星采用的是更先进的第六代制程，试图在下一代产品中实现性能超越。据悉，在此次与英伟达的会谈中，全永铉也表达出对三星HBM4性能的强烈信心。 业内普遍认为，自全永铉就任副会长以来，三星的存储芯片竞争能力正在迅速恢复。他上任后重点改善HBM3E的基底与内核结构，致力全面提升DRAM的核心竞争能力。在今年3月的三星电子股东大会上，全永铉强调：“我们正在努力提升HBM3E产品竞争能力，最快第二季度、最迟下半年，争取占据12层堆叠HBM3E市场的主导地位。”

据多位半导体业内人士23日消息，​​​​​​韩美半导体（Hanmi Semiconductor）已开始向中国半导体企业供应热压键合机（TC Bonder）。该设备主要用于人工智能（AI）服务器核心组件高带宽存储器（HBM）的制造过程，在垂直堆叠十余枚DRAM芯片时，施加热量与压力以实现稳固连接。韩美半导体此前一直对SK海力士独家供应该设备，分析认为这一举措是对SK海力士多元化供应商战略的回应。 韩美半导体早在去年就向一家中国半导体企业供应多台热压键合机。据悉，该企业今年尚未追加订单，目前处于设备测试阶段。韩美半导体方面对于是否向中方企业供货的问题回应称：“无法透露客户相关信息。” 业内分析指出，韩美半导体此次拓展中国市场，原因可能在于最大客户SK海力士正在加快供应链多元化。自去年6月起，SK海力士开始从韩华半导体技术（Hanwha Semitech）采购热压键合机，并在今年进一步扩大与韩华的合作，规模超越韩美半导体。对此，韩美半导体今年4月撤回派驻在SK海力士的设备维护工程师团队，表达强烈不满。 韩美半导体此次对中国企业的供货规模不大，但业界普遍担忧可能引发技术外泄，尤其是韩美半导体的本土专利技术。半导体专家指出，向中国出口半导体设备的企业都必须意识到中国可能开发出类似设备的风险，中国市场在具备魅力的同时，技术泄露的可能性始终是一大负担。 此外，美国政府日益加大对华半导体技术出口管制也是一大潜在风险。去年12月，美国政府进一步加强对HBM的出口限制，并新增多项禁运设备与软件。热压键合机目前尚未列入对华禁运项目，但如果美国认为这一设备有效助力中国在先进HBM领域的发展，也可能会加大对韩美半导体的压力与制裁。

三星电子结束为期三天的全球战略会议后，旗下负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门对以高带宽存储器（HBM）为核心的业务竞争能力强化与营收战略进行重点讨论。 据电子行业22日消息，在18日召开的三星电子战略会议上，DS部门以HBM为中心，讨论向英伟达（NVIDIA）提供HBM3E（第五代）12层堆叠产品的商用化时间点、HBM4（第六代）量产计划、DRAM设计优化、市场占有率提升方案等关键议题。 三星电子全球战略会议是每年6月与12月举行的定期活动，届时由全球各地法人代表参会，共享业务部门与地区的主要议题，并探讨全球经营战略。 今年第一季度，三星电子在DRAM市场上失去保持33年的领先地位，遭SK海力士超越，导致DS部门陷入危机。与此同时，来自美国美光（Micron）与中国长鑫存储（CXMT）的追赶令三星面临“双重压力”，因此公司计划投入全力恢复在内存领域的领导地位。 业界普遍认为，三星DRAM竞争优势与市场份额下滑的根本原因在于HBM业务上的失误。因此，三星可能在此次战略会议中对以HBM为中心的竞争能力恢复对策进行重点讨论。 本月13日正式向美国科技巨头超威半导体（AMD）供应经过改良的HBM3E 12层堆叠产品之后，三星的技术实力再次得以展现。与此同时，尚未打入的英伟达供应链也成为此次会议的重点讨论对象。据悉，三星向超威半导体供应的HBM3E产品尚处于英伟达的质量认证测试阶段。 另外，三星还可能在会议中对第六代（1c制程）DRAM所构成的HBM4产品下半年量产计划进行评估。近期三星的普通1c DRAM良率有所提升，因此业界认为，作为HBM用核心元件的1c DRAM性能也有望进一步改善。 每一季度持续录得数千亿韩元亏损的晶圆代工业务则把“客户拓展”作为优先课题。代工业务以订单为主，因此客户的多少直接关系到业绩的好坏，对于三星晶圆代工而言，挖掘新的客户迫在眉睫。 市场调研机构集邦咨询（TrendForce）数据显示，今年第一季度三星电子在晶圆代工市场的份额为7.7%，较去年第四季度下降0.4个百分点，与以67.6%排名第一的台积电（TSMC）差距进一步拉大。中芯国际（SMIC）则以6%紧随其后，与三星的差距正在缩小，市场竞争局势愈发严峻。 系统大规模集成电路（LSI）业务方面，三星在会上就即将在下月推出的折叠智能手机Galaxy Z7系列中所搭载的自主应用处理器（AP）Exynos 2500及其后续项目进行相关讨论。 此外，三星电机与三星SDI也分别计划本月23日与7月2日召开战略会议，讨论2025年下半年营收与利润达成战略及市场拓展方案。