韩美半导体将发布第二代混合键合原型
韩美半导体宣布将在今年内推出用于下一代高带宽存储器(HBM)的“第二代混合键合”原型。这是为了应对2029年混合键合需求的战略举措。2020年,韩美半导体推出了第一代HBM生产用混合键合设备,积累了核心技术和验证经验。第二代设备将结合第一代的开发经验和核心技术,提升纳米级精度、工艺稳定性和良率。据悉,韩美半导体正在与多家国内半导体设备公司合作开发等离子、清洗和沉积技术。混合键合技术通过直接连接芯片和晶圆的铜(Cu)布线,去除传统焊料凸点,减少封装厚度,同时提高散热性能和数据传输速度,适用于20层以上的高堆叠HBM。韩美半导体正在加快基础设施建设,计划在仁川市西区的朱安国家产业园区投资1000亿韩元,建设总面积14595平方米、地上两层的混合键合工厂,预计明年上半年完工。因此,混合键合的全面量产预计在2029至2030年间开始。今年下半年,计划推出扩大HBM芯片面积的“宽TC键合设备”。该设备可稳定增加硅通孔(TSV)数量和输入输出接口(I/O)数量,扩展内存容量和带宽。韩美半导体相关人士表示:“我们将HBM用TC键合的第一位经验应用于HBM用混合键合技术,确保在客户启动下一代HBM量产时,及时提供高质量设备。”※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。
2026-04-09 18:27:00