三星电子近来正在加大半导体业务领域的研发和投资力度。会长李在镕提出“置之死地而后生的三星”战略后，作为核心业务却长期低迷的半导体部门（DS）正在成为技术与投资集中发力的重点，显示出三星势必重夺“半导体王位”的决心。 三星电子19日公布的季度报告显示，今年第一季度的研发投入高达9.0348万亿韩元（约合人民币467.79亿元），资本支出为11.9983万亿韩元，分别同比增长15.5%和6.1%。其中，研发支出创下历年第一季度的最高纪录。 值得关注的是，DS部门的资本支出创下历史新高，占总投资的91.2%，达到10.948万亿韩元。这是三星电子首次第一季度在半导体设施上投资超过10万亿韩元，也是该部门投资占比首次超过90%。 回顾过去十年，2015至2019年间第一季度的半导体投资额大多维持在2万亿至6万亿韩元之间，2020年代进入6万亿至9万亿韩元区间，2018年繁荣时期也仅投资7.2181万亿韩元，占比83.5%，可见今年投资力度之大。 三星电子表示，今年第一季度的资本支出主要用于DS部门和显示（SDC）部门的先进工艺扩产与基础设施投资，同时继续推进强化下一代内存技术竞争力并应对中长期需求的准备。系统半导体方面也正在致力确保先进工艺的生产能力。 市场普遍认为，三星正在动员公司全体力量救援危机中的半导体业务。担任DS部门总管的副会长全永铉即将在本月21日迎来就任一周年。他在去年罕见提交反省书，提出根本性竞争力强化方案，此次行动也是这一方针的延续。 半导体设计专家出身的全永铉成立高带宽存储器（HBM）开发团队，弥补设计能力短板；并在去年11月密集召开五次DS部门全体高管参与的讨论会，重启三星企业文化中的C.O.R.E(沟通（Communicate）、开放讨论（Openly Discuss）、揭露问题（Reveal）和执行（Execute）)文化。 实际上，三星面临的挑战依旧严峻。今年第一季度DS部门实现1.1万亿韩元营业利润，成功守住阵地，但主要在于服务器用DRAM和NAND需求的回暖，背后是美国关税政策担忧带来的提前备货效应。去年第二季度全永铉也指出，业绩改善主要受市况影响而非根本性竞争力的恢复。 尤其是在HBM领域，三星尚未成功打入英伟达供应链。市场调研机构Counterpoint Research的今年第一季度数据显示，SK海力士在HBM市场表现强劲，不仅抢占先机，还一举夺得全球DRAM市场第一的宝座。三星与台积电（TSMC）的半导体营收差距也已超过10万亿韩元。 三星方面对此回应称“今年不一样”，宣誓夺回半导体主导权。据悉，三星晶圆代工业务计划上半年实现3纳米工艺量产，下半年推进2纳米工艺投产，在加快节奏的同时确保良率，提高整体制程完成度。尤其是在HBM4方面，三星计划赶在明年市场全面启动之前实现量产。 全永铉在3月举行的股东大会上表示：“最快第二季度，最迟下半年，第五代HBM3E的12层堆叠产品会在市场上发挥主导作用。”他还补充称：“对于HBM4和定制型HBM等新兴市场，我们会吸取去年的教训，确保按照计划推进开发与量产，不再出现差池。”

受国际油价回落和韩元升值等因素影响，韩国4月以韩元计价的进口物价持续走低，已连续三个月录得下滑。 韩国银行（央行）16日发布的《进出口物价指数》报告显示，今年4月韩国进口物价指数为140.32（2020年=100），较3月（143.04）下跌1.9%。继2月下降1%、3月下降0.4%之后，已连续第三个月呈现下行趋势。 从品类来看，矿产品（-4.6%）、煤炭及石油制品（-4.2%）、一次金属制品（-2.4%）等主要类别降幅明显。其中，原油（-7.4%）、重油（-6.7%）、精炼铝产品（-6.4%）、二次电池（-8.2%）等品目成为拉动整体物价下跌的主要因素。 央行物价统计组负责人李文熙（音）表示：“受国际油价走低影响，以原油等矿产品为主的进口物价持续走弱。”数据显示，迪拜原油月均价格从3月的每桶72.49美元下降至4月的67.74美元，跌幅达6.6%。 同期出口物价也出现下滑。4月出口物价指数为133.43，环比下降1.2%，继3月小幅上涨0.4%后时隔一个月再度转为下跌。 汇率方面，4月韩元兑美元平均汇率为1444.31韩元，较3月的1456.95韩元升值0.9%。韩元升值叠加国际原材料价格走低，共同压制了出口物价，煤炭及石油制品（-3.6%）、化学制品（-2.3%）、运输设备（-2%）等主要品类跌幅显著。 具体品目中，苯价大幅下跌12.5%，柴油和汽油价格均下降3.6%，但半导体相关产品表现坚挺，闪存价格上涨10.7%，DRAM也小幅上扬0.4%。 净商品贸易条件指数为93.78，同比上升1.2%，主要因同期进口物价降幅（-5.3%）大于出口物价降幅（-4.2%）。该指数反映了单位出口商品可兑换进口商品数量的相对变化。 此外，受出口数量指数同比增长7.7%和净商品贸易条件指数同比上升1.2%双重推动，4月所得贸易条件指数达115.16，同比大幅提升9%。

在Galaxy S25系列的强劲销售推动下，三星电子今年第一季度实现历史最高季度营收，但服务器用DRAM销售增加与高带宽存储器（HBM）销售下滑等因素令半导体业务依旧承压。公司预计今年全年或呈现“上低下高”走势，第二季度则可能受到关税等不确定性因素影响。 三星电子30日发布财报显示，今年第一季度合并营业利润为6.6853万亿韩元（约合人民币341.49亿元），同比增长1.2%，较市场预期高出近30%。营收达79.1405万亿韩元，同比增长10.05%，刷新去年第三季度创下的历史最高纪录。净利润为8.2229万亿韩元，同比增长21.74%。 从各部门来看，负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门营收25.1万亿韩元，营业利润1.1万亿韩元。其中内存营收19.1万亿韩元，环比下降17%。DRAM销售有所改善，但受出口管制影响，HBM销售减少。系统LSI业绩小幅回升，晶圆代工需求疲软而表现不佳。 负责手机业务的设备体验（DX）部门营收51.7万亿韩元，营业利润4.7万亿韩元。第一季度旗舰机型销售增长，加上零部件降价及资源优化，助力移动体验（MX）与网络业务营收达到37万亿韩元，营业利润4.3万亿韩元。 此外，电视与家电业务通过高端产品销售改善盈利。哈曼目前处于业务淡季，但也实现3.4万亿韩元营收，营业利润为3000亿韩元。显示面板（SDC）业务营收5.9万亿韩元，营业利润5000亿韩元。三星电子一直以来持续加大研发投入，今年第一季度研发支出达到9万亿韩元，创下历史新高。 近来全球贸易环境恶化，经济增长放缓，第二季度经营面临较大的不确定性。韩联社旗下联合Infomax汇总的17家证券机构预测，三星电子第二季度营业利润或为6.6797万亿韩元，同比下降36.04%；营收预计为76.002万亿韩元，同比增长2.61%。 三星方面表示，如果经营不确定性得到缓解，下半年业绩有望回升。公司计划通过扩大HBM3E、128GB DDR5等高附加值产品销售，巩固存储市场竞争力，并加快第八代V-NAND的转产。系统LSI业务则扩大SoC与高像素图像传感器供应，晶圆代工计划致力2纳米工艺量产和应对移动与车载需求。 手机业务方面，三星计划第二季度主要提升Galaxy S25 Edge等旗舰产品销售，并在下半年加大折叠屏与人工智能（AI）功能优化投入。另外，公司还正在拓展高端平板、穿戴设备与扩展现实（XR）新品。电视和家电业务则主要以AI新品为核心推动销售增长。 三星江南店内陈列的Galaxy S25系列产品【图片来源 韩联社】

受通用存储芯片价格疲软影响，韩国半导体巨头三星电子与SK海力士2025年第一季度的业绩预计不及市场预期。尽管业界预测第二季度半导体行业将迎来复苏，但市场回暖的步伐或较为缓慢，难以出现剧烈反弹。 据韩国金融信息公司FnGuide于3月31日发布的预测，三星电子今年第一季度的营业利润预计在5万亿韩元（约合人民币245.8亿元）左右，较去年同期的6.6万亿韩元以及前年第四季度的6.5万亿韩元下降超1万亿韩元。分析认为，存储芯片价格疲软以及晶圆代工（代工制造）业务亏损扩大是导致业绩下滑的主要原因。 多家券商预测，三星电子半导体部门（DS部门）尽管在存储业务上取得2万亿韩元以上的盈利，但由于系统半导体和晶圆代工业务亏损严重，整体预计亏损约4000亿韩元。尤其是高带宽存储（HBM）芯片因出口管制受到影响，同时通用存储芯片价格下跌，进一步拖累盈利能力。 SK海力士的业绩也呈现类似趋势。市场分析机构预测，SK海力士今年第一季度的营业利润将达到6.5万亿韩元，虽然较去年同期的2.886万亿韩元有所增长，但相比去年第四季度的8.1万亿韩元仍减少超1万亿韩元。业界认为，通用DRAM存储芯片价格下滑以及HBM对主要客户英伟达（NVIDIA）的出货量减少，是导致业绩下降的主要原因。 尽管第一季度业绩低迷，但市场对第二季度的表现持谨慎乐观态度。近期，存储芯片需求回暖迹象显现，美国存储芯片厂商美光（Micron）宣布大幅上调产品价格，预示着市场即将迎来转折点。业内预计，AI及数据中心需求增长将推动存储芯片市场逐步复苏。 三星电子内部人士透露，DS部门高层近期向员工表示，第一季度将成为全年业绩的“低谷”，从第二季度开始，行业景气度将逐步回升，预计公司盈利能力也将恢复。但他同时指出，市场难以出现“V型反弹”或“戏剧性逆转”，更多是回归正常水平。 中国市场需求增长被视为韩国半导体企业业绩改善的重要因素之一。分析机构表示，近期中国市场的移动端DRAM库存调整已接近尾声，DDR4现货价格在DDR5之后也呈现上升趋势，显示出上半年存储芯片价格已进入上行通道。此外，全球存储芯片厂商维持谨慎的供货策略，也在一定程度上推动了价格上涨。 NAND闪存价格方面，经过长期减产，市场预计4月起价格将进入上升周期。分析人士指出，NAND闪存价格将在4月上涨，而DRAM价格在库存调整后也趋于稳定，预计二季度后将进入上升趋势。他还表示，中国的“以旧换新”政策以及美国关税政策促使市场进行提前库存积累，再加上AI基础设施投资增长，整体存储芯片需求有望超出市场预期。 【图片来源 韩联社】

三星电子【图片来源 韩联社】 三星电子连续3个季度收益性减少，预计今年第一季度也将创低迷业绩。特别是负责半导体事业的设备解决方案（DS）部门受到行业持续恶化的影响，时隔一年或将再次出现季度亏损。 据业界31日消息，三星电子将于4月初公布2025年第一季度初步财报。综合多家证券公司最新预测数据，三星电子第一季度营业利润预计达4.7691万亿韩元（约合人民币235.8亿元）。同比（6.66万亿韩元）减少27.81%，较前一季度（6.4927万亿韩元）减少26.55%。若该预测成真，三星电子将连续第三个季度呈利润收窄态势。 尽管移动通信（MX）事业部凭借年初发布的Galaxy S25系列新机型实现稳健表现，但半导体（DS）部门的持续疲软仍对整体业绩构成显著拖累。证券界预测，DS部门在去年第四季度实现2.9万亿韩元营业利润后，本季度可能再度陷入亏损。若预测应验，这将是该部门自2024年第一季度扭亏为盈后，时隔一年再度报出赤字。 分析指出，由于全球经济复苏乏力导致高端IT需求持续低迷、中国厂商发起的低价竞争加剧行业压力，以及存储器产品价格未能走出下行周期等导致半导体行业陷入困境。其中，作为战略重点的高带宽存储器（HBM）尚未形成有效业绩支撑。LS证券研究员车龙浩（音）预测，本季度HBM销售额或环比骤降40%至2.8万亿韩元。同时，包括晶圆代工和系统LSI在内的非存储器业务已连续多年亏损，而传统优势业务显示器面板部门也因行业淡季与市场竞争加剧面临盈利收窄。 但也有期待称，随着全球IT需求逐步恢复及主要客户库存调整完成，三星电子核心业务板块将迎来周期性复苏机遇。近期，随着中国“以旧换新”消费刺激政策的落地，智能手机及个人电脑市场需求逐步回暖，存储器行业已显现企稳信号。DS投资证券研究员李秀林（音）表示："中国移动DRAM库存调整已进入尾声，LPDDR4等产品现货价格开始稳步回升。考虑到第二季度存储器价格有望提前企稳，叠加中国本土LPDDR4订单增长，三星电子业绩或自第二季度起步入持续改善通道。"

中国半导体企业依靠政府的大力支援，在设备上投入超出营收的支出，尚未掌握尖端技术的情况下在通用半导体领域迅速追赶三星电子和SK海力士。日前，美国半导体产业协会（SIA）向美国贸易代表办公室（USTR）提交的意见书显示，中国纯晶圆代工企业的累计收入与资本支出（CAPEX）比率为112%，远超全球平均值33%。 SIA指出，还有中国企业的收入与资本支出比率高达119%，对此业内普遍认为是中芯国际（SMIC）。2023年中芯国际资本支出74.7亿美元，达到收入的118%。过去三年（2022至2024年），中芯国际的收入与资本支出比率平均为98.1%。相比之下，三星电子和SK海力士则分别仅为41.7%和27.1%。 中国企业能够进行如此大规模投资，主要原因在于政府的直接支援，包括补贴、优待融资和国产零部件优先政策。SIA估计，中国政府的半导体直接支援金额超过1000亿美元。此外，政府还通过国家集成电路产业投资基金推动半导体行业发展。 在政策支持下，中国半导体企业迅速成长。台积电在代工领域占据主导地位，中芯国际的市场份额也持续扩大。2022年第一季度三星电子全球市场份额为16.3%，中芯国际为5.9%，但去年第四季度差距缩小至2.6个百分点。 在存储半导体领域，市场调研机构集邦咨询（TrendForce）预计中国企业的市场份额或从去年的5%增至今年的10%。仅从晶圆产能来看，长鑫存储（CXMT）去年DRAM产能已经达到全球的约10%，目前尖端工艺方面差距尚存，但中国企业在通用半导体领域的市场份额持续提升。 2023年中国通用半导体在全球半导体出货量中占比高达88%，营收占比40%。美国政府正在考虑对中国通用半导体加征额外关税，以应对低价产品干扰市场的行为。SIA指出，中国在钢铁、太阳能、电动汽车等领域也采取类似策略，导致产能过剩、价格倾销和市场混乱。 实际上，美国的对华限制措施早在拜登政府时期就已经开始。去年12月，美国贸易代表办公室（USTR）根据《贸易法》第301条对中国半导体产业展开调查。今年1月，美国举行相关听证会，探讨是否对搭载中国半导体的进口产品征收关税。目前美国政府计划下月2日发表关税政策，中国通用半导体预计会包含在适用对象中。 韩国、美国和日本等半导体强国更加专注尖端技术竞争。三星电子和SK海力士正在减少通用产品比重，转向发展DDR5、LPDDR5等高附加值产品，代工领域竞争则集中在2至3纳米先进工艺上。中国企业正在利用通用半导体市场的收益来推动尖端技术研发，长鑫存储和中芯国际等企业在HBM和DDR5等领域的能力逐渐增强。 SIA认为，中国的最终目标是在通用半导体市场积累资金，进而在尖端领域挑战全球领先企业。祥明大学系统半导体工程系教授李钟焕表示，在中国企业不断追赶的情况下，韩国必须开发出压倒性的尖端技术才能保持竞争优势。 【图片来源 网络】

三星电子保持了30多年的DRAM市场霸主地位，但这一格局可能在今年第一季度发生改变。市场预测，SK海力士的DRAM销售额将首次超越三星电子。对此，三星电子会长李在镕警告称，“存储业务陷入自满”，并强调三星要发挥擅长逆袭的能力。、 根据市场调研机构集邦咨询（TrendForce）18日发布的数据，去年第四季度，三星电子的DRAM销售额为112.5亿美元，比SK海力士高出7.92亿美元。然而，这一销售额差距相比2023年第四季度的23.47亿美元缩小了三分之一。 过去一年间，三星电子的DRAM销售额增长了41.5%，但SK海力士的增幅高达88.1%，大幅缩小了与三星的差距。去年第四季度，SK海力士的DRAM市场占有率达到36.6%，仅比三星电子（39.3%）落后2.7个百分点。 业界预测，今年第一季度，SK海力士的DRAM销售额将超过三星电子。多家证券机构的报告也支持这一观点。Daol投资证券和IBK投资证券预计，SK海力士第一季度的DRAM销售额将比三星电子高出约2.7万亿韩元。 三星电子自1992年研发出全球首款64Mb DRAM后，于1993年登顶市场占有率第一，并连续30多年保持领先。然而，由于下一代DRAM开发进度滞后以及SK海力士的快速崛起，三星首次面临丢掉榜首位置的危机。 实际上，在半导体业务整体盈利方面，三星电子已经被SK海力士超越。2024年，三星电子DS（半导体）部门的营业利润为15.1万亿韩元（约合人民币751.4亿元），而SK海力士则创下23.4673万亿韩元的历史最高纪录。如果DRAM市场占有率也被反超，将意味着三星在该领域的主导地位受到严重威胁。 造成这一局面的关键因素之一是高带宽存储（HBM）等高附加值半导体的竞争。虽然从出货量来看，三星电子仍领先于SK海力士，但在产品均价方面却存在明显差距。有分析称，SK海力士向英伟达供应的HBM3E产品，其DRAM平均售价比三星电子高出20%以上。由于整体市场环境低迷，两家公司第一季度的销售额预计都会环比下降，但三星电子所受影响更大。 此外，美国对HBM产品的出口管制也是一大不利因素。SK海力士的HBM产品主要出口至美国，而三星电子的HBM则有相当一部分销往中国。根据韩国产业通商资源部的数据，今年2月，韩国对中国（含香港）的半导体出口额同比减少31.8%。 面对DRAM业务的危机，李在镕向公司管理层传达了严厉的信息。他最近对高管表示：“各个领域的技术竞争力都受到了削弱”，“公司缺乏大胆的创新和新的挑战精神，更多是在维持现状，而不是主动改变格局。” 业界人士指出：“HBM是SK海力士长期以来深耕的领域，因此两家公司之间存在一定的技术差距，但三星在第五代DRAM技术上落后于竞争对手，确实令人震惊。李在镕及主要高管近年来长期被司法案件牵绊，未能在公司发挥核心领导作用，这可能也是造成当前局面的原因之一。” SK海力士“GTC 2025”展台【图片来源 SK海力士】

三星电子24Gb GDDR7 DRAM产品 【图片来源 韩联社】 一项调查显示，去年韩国半导体企业对华存储器出口比重下降至30%，仅1年内缩减近10%。韩国半导体企业试图减少对华出口依赖度，将供应链扩大至中国台湾、越南、印度等国家和地区。这一变化反映了全球贸易格局的深刻调整，凸显出韩国半导体企业在应对中美贸易矛盾激化时的策略转变。 韩国贸易协会于27日发布的数据显示，去年韩国对华存储器出口额达279.63亿美元，占全体出口金额882.89亿美元的31.7%。然而，2023年对华存储器出口额为207.16亿美元，出口比重达40.3%，但仅时隔1年下降8.6个百分点。尽管对华出口额有所增加，但随着对其他国家出口激增，对华出口比重呈显著下降趋势。 统计数据显示，韩国对华存储器出口比重在2021年为42.7%。2022年增至45.2%后，2023年和2024年分别为40.3%和31.7%，呈持续减少态势。显示出韩国半导体企业在中美贸易战的背景下，积极调整出口策略，以减少对华出口的依赖‌。 随着中美贸易矛盾的持续激化，美国对华限制范围不断扩大，韩国半导体企业也相应减少了对华出口规模。同时，存储器需求较高的越南、印度等国家和地区的出口比重正在逐渐增加。特别是对中国台湾的存储器出口，比重从2021年的8.4%增至去年的15.2%，实现翻倍增长。这一变化主要得益于中国台湾半导体巨头台积电（TSMC）为英伟达（NVIDIA）生产的人工智能（AI）加速器对高带宽存储器（HBM）的大量需求，而韩国半导体企业正是这一关键部件的主要供应商‌，带动了出口量剧增。 尽管中国仍然是韩国存储器出口的第一大国，但韩国半导体企业正在通过多元化出口供应链来降低风险，且中国本土半导体企业扩大存储器产量等，，预计韩国对华存储器出口比重将呈逐年减少态势。韩国贸易协会首席研究员陶元彬（音）指出：“韩国企业正在减少对华出口比重，旨在分散中美贸易战带来的风险，预计这一趋势将持续。”‌

近日，业内分析认为，三星电子在存储半导体领域的技术领先优势正在迅速缩小。中国长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）正在加快技术追赶步伐，三星曾占据主导地位的NAND闪存市场也面临竞争压力。与此同时，三星在下一代存储产品的研发进展缓慢，部分业内人士认为其研发（R&D）和产品开发战略调整已迫在眉睫。 据业界27日消息，三星电子半导体（DS）部门在下一代产品及工艺开发方面面临困难。三星在400层级NAND闪存的量产过程中，决定采用长江存储的“混合键合（Hybrid Bonding）”技术专利。混合键合是一种不使用凸点（Bump），直接连接晶圆与晶圆的先进封装工艺。在尖端DRAM领域，三星正对10nm级第六代（1c）DRAM进行重新设计，而下一代10nm级第七代（1d）DRAM的研发进展也不顺利。 三星电子决定在400层级NAND闪存生产中采用长江存储的混合键合专利，这被视为长江存储在关键技术上已经占据上风。此前，长江存储在NAND市场的影响力较小。数据显示，截至2024年第三季度，三星电子在全球NAND市场的份额为35.2%，排名第一，SK海力士以20.6%排名第二，而长江存储的市场份额则低于5%。 然而，长江存储凭借混合键合技术迎头赶上。与三星和SK海力士主要改进现有堆叠工艺不同，长江存储过去几年专注于3D NAND的混合键合技术，并成功实现商业化。长江存储将这一技术命名为“Xtacking”，随着NAND堆叠层数进入400层级，传统工艺遇到了瓶颈，混合键合技术成为突破关键。相比之下，三星和SK海力士目前的量产NAND分别为286层和321层。 除了NAND市场，三星在DRAM领域的竞争力也受到冲击。三星最近决定对最先进的1c DRAM芯片进行重新设计，这一决定可能会导致市场布局延迟。 DRAM技术每提升一代，都会进一步缩小电路尺寸，提高性能并降低功耗。目前，三星、SK海力士和美光的市场竞争主要围绕1a和1b DRAM展开，而1c DRAM的研发被视为下一个关键战场。然而，由于重新设计1c DRAM需要耗费大量时间，包括重新绘制电路图、调整生产所需的光罩（Mask）等，市场竞争格局可能受到影响。美光公司已于本月25日（当地时间）宣布向客户提供1c DRAM样品，这意味着其在技术推进上已经领先于三星。 如果1c DRAM开发受阻，三星的第六代高带宽存储（HBM4）业务也将受到严重影响。三星在第五代HBM（HBM3E）市场中已被SK海力士超越，导致在AI半导体时代落后。为了扭转局势，三星计划在HBM4产品中采用1c DRAM技术，而SK海力士则计划在其HBM产品中采用1b DRAM。 此外，三星下一代1d DRAM的研发进展也不及预期。业内人士透露：“三星最初计划将1d DRAM的电路线宽缩小到10.3至10.4nm，但目前的技术条件下难以实现这一目标。” 随着中国存储芯片厂商的快速崛起，三星电子在NAND和DRAM领域都面临着巨大的挑战。未来，三星是否能够通过战略调整，重新夺回技术优势，仍需拭目以待。 【图片来源 韩联社】

据SK海力士25日消息，京畿道龙仁半导体集群内的SK海力士一期晶圆厂前日正式破土动工。公司原计划下月开工，但龙仁市加快审批流程，在本月21日批准建设，开工时间得以提前。 龙仁市自去年4月与SK海力士签署推动生产线提前动工及促进地方建筑产业发展的合作协议后，成立建筑许可专项小组（TF），加快审批进程。 龙仁半导体集群位于京畿道龙仁市处仁区远三面一带，占地面积415万平方米（约126万坪），包括SK海力士晶圆厂（约60万坪）、材料零部件设备企业合作园区（14万坪）和基础设施用地（12万坪），旨在打造一个完整的半导体产业园区。 SK海力士计划在龙仁集群内分阶段建设四座晶圆厂，一期工厂预计2027年5月竣工。该工厂建成后即将成为高带宽存储器（HBM）等新一代DRAM存储芯片生产基地，以满足日益增长的人工智能（AI）存储芯片需求，并奠定公司中长期增长基础。 SK海力士方面表示，计划与集群内的50余家半导体材料、零部件及设备企业携手，提升韩国半导体生态系统的竞争力。同时，公司计划在一期工厂内部建设“迷你晶圆厂”，以支持韩国半导体材料和设备中小企业的技术研发、验证和评估。该迷你晶圆厂计划配备300mm晶圆工艺设备，为合作伙伴提供接近实际生产环境的测试平台，以提升技术成熟度。 SK集团会长崔泰源2023年9月视察龙仁集群建设现场时表示：“龙仁集群是SK海力士历史上最具计划性和战略性的项目，需要超越以往的挑战精神。” SK海力士去年7月通过董事会决议，决定投资约9.4万亿韩元（约合人民币477亿元）建设龙仁半导体集群一期晶圆厂及相关办公设施。近期，公司还启动基础设施建设相关的经验丰富人才招聘，包括设备、电力、机械、管道、项目管理及安全管理等多个岗位。 除了龙仁工厂以外，SK海力士还在继续扩大生产能力。为满足不断增长的HBM需求，公司计划今年年底在清州建成HBM生产基地M15X，并进一步提升产能。 龙仁半导体集群假想图【图片来源 龙仁市政府】