三星电子成功量产并出货被誉为“梦幻内存”的第六代高带宽内存（HBM4），成为全球首家。此前在HBM3E市场上失利的三星，凭借其卓越的技术实力，成功抢占第六代市场，重夺半导体王座。据业内消息，三星电子于12日开始量产出货性能最强的HBM4产品，预计将用于英伟达的下一代AI加速器“Vera Rubin”。◆ 宋在赫：“技术领先，展现三星实力”此次量产出货是此前一天信心的体现。三星电子设备解决方案（DS）部门首席技术官（CTO）宋在赫在11日首尔COEX举行的“半导体韩国2026”主题演讲前表示，客户对HBM4的反馈非常满意，并强调“技术上无可匹敌”。宋在赫表示，三星将继续在下一代HBM4E和HBM5中保持行业领先。他指出，三星在内存、代工和封装方面具备综合半导体企业（IDM）的优势，能够满足AI产品的需求。三星电子成功量产的HBM4突破了现有产品的限制，采用10纳米级第六代（1c）DRAM和自有4纳米工艺，数据处理速度达到国际半导体标准组织（JEDEC）标准8Gbps的146%，高达11.7Gbps，比前代HBM3E快22%。单栈带宽提升至3.3TB/s，容量达到36GB，未来计划扩展至48GB。值得注意的是，HBM4的“基底芯片”采用了4纳米工艺，开启了“定制HBM”时代。◆ SK海力士能否追赶？业内认为，三星的早期量产将成为HBM市场的“游戏规则改变者”。在HBM3E市场上，SK海力士占据主导地位，但在HBM4市场，三星凭借“一站式”解决方案取得优势。美国美光在进入英伟达HBM4供应链时遇到困难，而三星抢占了初期供应，未来在价格谈判和市场份额上占据有利地位。专家指出，三星通过HBM4的早期出货证明了其技术领导力，但实际量产的良品率稳定性将决定其能否独占英伟达等大客户的订单。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子设备解决方案(DS)部门CTO宋在赫表示，HBM4的量产将展示三星的技术实力。春节后，三星将首次向英伟达供应HBM4，重夺半导体市场主导地位。宋在赫在首尔的“半导体韩国2026”会议上表示，客户对HBM4的反馈非常满意。作为唯一同时拥有存储、代工和封装的公司，三星具备生产AI所需最佳产品的条件。HBM4采用10纳米6代(1c)DRAM和4纳米代工工艺，数据处理速度达到11.7Gbps，比国际标准(JEDEC)高37%。其内存带宽提升至3TB/s，12层堆叠技术提供36GB容量。宋在赫称，HBM4技术已达顶尖水平，良品率也很高，显示出三星在HBM市场的技术优势。他对市场前景持乐观态度，预计AI需求将导致今年和明年内存供应紧张，进入半导体“超级周期”。三星计划在HBM4E和HBM5技术上继续保持领先地位，提前布局未来技术。春节后第三周，三星将开始向英伟达量产出货HBM4，争取市场主导权。

三星电子将在春节后全球首发量产新一代高带宽存储器HBM4，旨在扭转之前产品表现不佳带来的半导体业务危机，并在新一代HBM市场中抢占先机。据业内消息，三星电子已确定春节后向英伟达供应HBM4，最快将在本月第三周开始大规模供货。此前，三星电子通过了英伟达的质量验证，获得了采购订单，并综合考虑了英伟达下一代AI加速器的发布计划。英伟达预计将在下月的技术大会“GTC 2026”上首次展示搭载三星HBM4的AI加速器。HBM4的全球首次量产出货标志着其性能达到现有最高水平。三星电子从开发初期就设定了超越国际半导体标准组织的目标，采用了“1c DRAM工艺”和“4纳米代工工艺”。HBM4的数据处理速度设计为超过标准的8Gbps，达到最高11.7Gbps，比标准高出约37%，比上一代HBM3E高出22%以上。单堆栈的内存带宽提高至3TB/s，12层堆叠提供最大36GB容量，未来16层堆叠技术可扩展至48GB。该产品支持高性能计算，同时通过低功耗设计大幅降低服务器和数据中心的电力消耗和冷却成本。三星电子预计今年HBM销量将比去年增长三倍以上，并计划在平泽园区4厂建立新生产线以扩大产能。尽管采用了最先进的工艺，三星电子仍确保稳定的良品率，并预计随着生产扩大，良品率将进一步提高。三星电子将密切关注整体内存市场情况，灵活调整HBM4的生产计划。在内存价格上涨的背景下，三星计划高效分配和利用其全球最大规模的生产能力。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士28日发布业绩报告称，去年实现销售额97.15万亿韩元（约合人民币4728亿元），营业利润达47.21万亿韩元，净利润达42.95万亿韩元，营业利润率高达49%，净利润率也达到44%，刷新历史纪录。与2024年相比，全年销售额增加逾30万亿韩元，营业利润也实现翻倍增长，创公司成立以来最高年度业绩。 去年第四季度业绩同样表现亮眼。受高带宽存储器（HBM）需求持续火热，以及服务器用通用存储器需求显著回暖的推动，公司去年第四季度营业收入达32.83万亿韩元，环比增长34%；营业利润为19.17万亿韩元，环比增长68%，营业利润率高达58%，均创单季历史新高。 SK海力士表示，围绕AI驱动的市场结构变化，公司持续强化技术竞争力并提高高附加值产品比重，并在兼顾收益性与增长性的经营战略下，公司实现了跨越式增长。 从业务结构来看，DRAM领域中，HBM销售额同比增长逾一倍，成为推动业绩创纪录的核心引擎。在通用DRAM方面，公司已正式量产第六代10纳米级（1c）DDR5产品，并成功开发基于1b工艺的32Gb单芯片、容量达256GB的服务器用DDR5 RDIMM模块，进一步巩固了其在服务器内存市场的领导地位。 NAND闪存业务方面，公司在上半年需求低迷的情况下完成了321层QLC产品研发，并在下半年积极应对以企业级SSD（eSSD）为中心的需求回升，推动全年销售额创下新高。 展望未来，SK海力士预计，随着AI市场从“训练”阶段向“推理”阶段加速转型，分布式计算架构需求持续扩大，存储器在AI系统中的战略重要性将进一步凸显。除HBM等高性能存储器外，服务器用DRAM与NAND闪存的整体需求也预计将同步增长。 SK海力士将依托客户信赖，持续强化技术优势、产品可靠性及量产能力。公司已于去年9月率先构建HBM4量产体系，并已按客户需求实现稳定供货，并将通过HBM4巩固领先地位，同时加快布局“定制化HBM”（Custom HBM）领域。 在通用存储器方面，公司计划加速1c工艺转换，扩大面向AI的SOCAMM2、GDDR7等产品组合；在NAND领域，则将通过321层堆叠技术提升竞争力，并结合旗下Solidigm的QLC eSSD产品，积极应对AI数据中心存储需求。 在生产布局方面，公司优先将保障客户需求，提前实现韩国清州M15X工厂产能最大化，并推进龙仁半导体集群首座晶圆厂建设，稳步扩充中长期产能基础。同时，清州P&T7工厂及美国印第安纳州先进封装工厂也将按计划推进，以构建覆盖前端与后端工艺的全球一体化生产体系。 在创纪录业绩的基础上，SK海力士同步宣布强化股东回报政策。公司将实施每股1500韩元的额外分红，总规模约1万亿韩元，使2025财年每股股息达到3000韩元，全年股东回报规模约2.1万亿韩元。此外，公司还计划注销1530万股库存股，以提升每股价值。 SK海力士Corporate Center负责人宋炫宗（音）表示，公司将以差异化技术竞争力为基础，在实现可持续增长的同时，保持未来投资、财务稳健性与股东回报之间的平衡，进一步巩固其作为AI时代核心基础设施合作伙伴的地位。

韩国银行（央行）20日公布的数据显示，去年12月生产者物价指数（PPI）为121.76（以2020年为基准100），环比上涨0.4%。这是继去年9月上升0.4%后，连续第4个月呈现增长态势。 生产者物价指数是衡量工业企业产品出厂价格变动趋势和变动程度的重要经济指标，反映生产领域的价格变动情况。通常，生产者物价指数的变化会在1至3个月后传导至消费端。 分类来看，受农产品（5.8%）和水产品（2.3%）价格上涨带动，农林水产品整体上涨3.4%。在工业品中，包含半导体在内的计算机、电子及光学设备价格上涨2.3%，一次金属制品价格上涨1.1%，成为推高生产者物价的主要因素。服务业价格环比上涨0.2%，其中金融保险服务（0.7%）以及餐饮住宿服务（0.4%）涨幅居前。 具体品类方面，苹果（19.8%）、柑橘（12.9%）、鸡肉（7.2%）、鱿鱼（6.1%）、DRAM（15.1%）、闪存（6%）以及铜初级精炼品（9.9%）价格大幅上涨；相反，柴油（-7.3%）和石脑油（-3.8%）等品类价格出现下跌。 韩国银行物价统计组组长李文熙（音）表示，受半导体、一次金属制品等工业品价格上涨以及农林水产品价格走高的影响，去年12月生产者物价水平整体有所上升。在谈及对消费者物价的影响时，李文熙（音）指出：“中间品和原材料等生产者物价是否会立即传导至消费者物价，还是经过一段时间后才体现，取决于企业经营环境、定价策略以及政府的物价稳定措施等多重因素。同时，还需要继续观察国际油价走势对物价的影响。” 数据还显示，包含进口品在内的国内供应物价指数较去年11月上升0.4%。其中，原材料（1.8%）、中间品（0.4%）、最终产品（0.2%）均呈上升趋势。包含出口品在内的总产出物价指数环比上涨0.4%，农林水产品（3.2%）和工业制品（0.5%）是带动指数上涨的主要因素。

受益于人工智能（AI）产业的爆炸性增长，今年“半导体超级周期”势头将更为强劲。业界预测，三星电子和SK海力士今年营业利润总和将突破200万亿韩元（约合人民币9643亿元）。 据业界5日消息，三星电子和SK海力士本月2日相继发布新年致辞，均表示半导体为企业核心产业。 据金融信息公司Wise Report提供的数据，市场预期三星电子和SK海力去年第四季度营业利润分别为16.4545万亿韩元和15.1095万亿韩元。三星电子同比增长5.7倍，SK海力士增长1.9倍。证券界观测，两家公司实际业绩均将大幅高于市场预期，三星电子或达到20万亿至21万亿韩元，SK海力士则可能达到16万亿至17万亿韩元。 若上述预期得以实现，两家公司业绩双双创历史新高。三星电子前三季度累计营业利润为23.5274万亿韩元，同比减少10.3%，表现略显艰难，但预计年度营业利润升至43万亿至44万亿韩元，大幅超过去年（32.7万亿韩元）。SK海力士营业利润则有望创新高，这将是此前最高纪录（23.4673万亿韩元）的近两倍。 韩国半导体黄金期是全球市场回暖与两家企业技术竞争力共同作用的结果。随着数据中心等AI基础设施在全球范围内扩张，不仅是HBM（高带宽存储器），包括服务器用DRAM、企业级SSD在内的AI内存需求均激增。最终，通用DRAM（DDR4）的固定交易价格上月首次突破9美元，超过2018年超级周期的最高价（8.19美元）。 SK海力士是掌控全球HBM市场过半份额（57%）的“绝对强者”。三星电子则通过重新设计HBM，在成功向谷歌、AMD供货后，于第三季度成功向英伟达供应了HBM3E（第5代），从而抓住反弹机遇。有观点认为，仅三星电子设备解决方案（DS）部门去年第四季度的营业利润就可能接近20万亿韩元。 Kiwoom证券已将三星电子的营业利润预期上调至107.612万亿韩元，iM证券则将SK海力士营业利润预期上调至93.843万亿韩元。野村证券预测或达到99万亿韩元。因此，两家公司利润总和预计将超过200万亿韩元。

在第五代高带宽存储器HBM3E持续主导市场格局的背景下，随着英伟达计划于明年下半年推出下一代人工智能（AI）加速器“Rubin”，第六代产品HBM4的市场预计将正式启动，SK海力士与三星电子之间的主导权竞争或将进一步激化。 据业界28日消息，搭载HBM3E的英伟达Blackwell系列目前占据AI芯片市场的主要份额，加之H200对华出口有望启动，HBM3E预计至少在2026年前仍将维持在整体HBM市场中的主体地位。同时，随着谷歌、博通、微软、亚马逊云服务等定制芯片（ASIC）厂商对HBM3E的需求持续增长，HBM3E市场规模有望进一步扩大。LS证券分析指出，明年HBM3E在整体HBM产量中的占比预计为66%，虽较今年的87%下降21个百分点，但仍将占据一半以上份额。 SK海力士凭借在HBM3E早期量产及向主要客户供货方面的领先优势，目前以约60%的市占率位居HBM市场首位，不仅承担英伟达大部分订单，也为多家ASIC厂商提供HBM3E产品，市场主导地位短期内有望继续保持。 同时，市场关注焦点正逐步转向下一代产品HBM4。HBM4在性能、制程技术及基板芯片应用等方面均实现进一步升级。若英伟达Rubin成为首款搭载HBM4的产品，HBM4市场预计将于2027年全面展开。作为Blackwell架构的后继平台，Rubin定位为高性能AI计算平台，旨在提升推理与训练效率。此外，谷歌第八代TPU、亚马逊Trainium4以及微软Maia 300均计划采用HBM4，并有望在2027年面世。据此预测，HBM4出货量将于2027年超越HBM3E。 三星电子对在HBM4市场展现出强烈信心。三星电子计划在HBM4中采用基于三星代工4纳米工艺的基板芯片，以及10纳米级第六代(1c)DRAM工艺。据悉，其内部技术评估已实现每秒11.7吉比特的业界最高性能水平。相比之下，SK海力士则采用台积电12纳米基板芯片与第五代10纳米级DRAM工艺。近期，三星电子在英伟达HBM4系统级封装测试中获得最高评分，被业界视为HBM4供货前景向好的积极信号。三星电子计划于明年初正式启动HBM4的量产工作。 市场对三星电子的业绩预期也相应上调。全球投资银行野村证券在最新报告中预测，三星电子明年营业利润有望达约133万亿韩元（约合人民币6446.9亿元）。野村证券分析指出，三星电子预计将较HBM3E更集中资源于通用存储器及HBM4的生产，新增产能中将有相当部分分配给HBM4所需的1c制程，且英伟达的质量认证有望于明年1月前完成。

SK海力士18日宣布，将基于第五代10纳米级（1b）32Gb单片的256GB DDR5 RDIMM高容量服务器DRAM模块应用于英特尔至强6平台（Intel Xeon 6 platform），业界首次获得英特尔数据中心认证（Intel Data Center Certified）。 此次认证在位于美国的英特尔先进数据中心开发实验室（Advanced Data Center Development Laboratory）完成。SK海力士经过数次的全方位评估，证实其产品与Xeon平台相结合时具备可靠的性能、兼容性和品质。公司此前已于今年1月获得了基于第四代10纳米级（1a）16Gb的256GB产品认证。 SK海力士方面表示：“此次率先完成与引领服务器CPU市场的英特尔最新服务器平台的兼容性验证，证明公司的高容量DDR5模块技术已达到全球顶尖水平。将以此为基础，深化与全球主要数据中心企业的合作，及时应对激增的服务器客户需求，巩固下一代存储器市场的领导地位。” 在下一代人工智能（AI）基础设施中，存储器正成为决定性能的核心要素。近期AI推理模型不仅需执行简单的回答生成，还需执行复杂的逻辑思考过程，实时处理的数据量正在指数级增长。为了高速稳定处理海量数据，必须具备高容量、高性能的存储器，因此其市场需求也在激增。 SK海力士强调，该产品是符合市场需求的最佳解决方案。技术团队表示：“搭载本产品的服务器与采用32Gb 128GB产品时相比，推理性能提高了16%。通过利用32Gb DRAM单芯片设计，其功耗较1a 16Gb 256GB产品降低约18%。”因此，公司预计注重功耗效率*的数据中心客户将高度关注该产品。 SK海力士DRAM产品规划担当李相权副社长表示：“通过此次认证，公司巩固了在DDR5服务器DRAM市场的主导地位，也快速应对了客户的要求。作为全方位面向AI的存储器创造者，将积极应对高性能、低功耗、高容量存储器需求的增长，致力于满足客户要求。” 英特尔公司平台架构（Platform Architecture）副总裁Dimitrios Ziakas表示：“双方紧密合作显著提升了技术成熟度，由此取得了良好成果，也为存储器技术的发展做出了贡献。高容量模块将有效应对AI工作负载（Workload）激增需求，大幅提升数据中心客户所需的性能和效率。”

在当前内存供应持续紧张、价格大幅攀升的市场环境下，业界普遍认为，本轮内存价格上涨周期将远超此前预期，或将延续至2028年。 据业界18日消息，以DDR4、DDR5为代表的通用型动态随机存取存储器（DRAM）价格仍将进一步上涨，预计将在明年年中达到阶段性高点。数据显示，截至上月，个人计算机（PC）通用型DRAM产品（DDR4 8Gb 1G×8）单价突破8美元，创近七年两个月以来的最高纪录。DDR5 16Gb（2G×8）价格亦从今年5月的5.5美元大幅跃升至上月的20美元水平。 全球市场研究机构Counterpoint预测，到明年第二季度，内存价格还将累计上涨40%以上。进入今年以来，通用型内存价格呈罕见的快速上行趋势，业内普遍预期，明年价格上涨步伐可能进一步加快，部分产品价格甚至存在翻倍的可能性。 同时，随着全球主要内存制造商为应对人工智能（AI）领域的需求增长，将产能向高带宽内存（HBM）倾斜，通用型内存的供应预计将持续收紧。此前，行业曾预测，随着产能逐步释放，内存价格或在2027年出现回落，但近期市场观点已对此进行修正。 分析认为，内存市场供需失衡的局面预计至少持续至2027年底，且不排除2028年价格仍维持高位运行的可能性。全球信息技术专业媒体WCCF Tech指出，直至2027年，内存价格将保持持续上涨态势，甚至2028年市场仍然可能表现强劲。 业内普遍认为，随着内存制造商将设备与投资资源逐步集中于高性能内存产品，通用型内存进入供应受限的发展阶段。此前，美国内存制造商美光科技（Micron）已决定退出消费级内存业务，此举可能进一步导致通用型内存供应规模收缩。 三星电子整体DRAM产能中，约70%为通用型DRAM产品，因此被视为本轮内存价格上涨周期中的主要受益企业。三星电子表示，将根据市场需求动态调节HBM与通用型DRAM的生产比例。为应对持续增长的内存需求，三星电子决定重启位于平泽园区第二阶段第五生产线的建设项目，并计划在该生产线同步生产HBM的与DDR5产品。该生产线预计将于2028年正式投入运营。专家指出，AI需求正在深刻重构内存市场的产业格局，通用型内存有望发展成为可与HBM媲美的高收益产品线。

近来，三星电子与SK海力士开始向英伟达供应第六代高带宽存储器（HBM4）。两家公司正以有偿方式向英伟达提供搭载下一代人工智能（AI）加速器“Rubin”的HBM4最终样品，并同时进入最后协调阶段。尽管仍需通过质量验证，但业界普遍预测，明年第一季度将敲定具体供货规模及价格。 据电子业界16日消息，三星电子与SK海力士目前向英伟达有偿供应第六代高带宽存储器（HBM4）最终样品。分析指出，有偿供应样品通常发生在产品性能已高度接近客户要求时，也被视为即将签署正式供货协议的重要信号。两家公司尚未完成最终质量认证，但已进入供应链关键节点。此前有观点认为，SK海力士的HBM4供应领先于三星电子，但目前来看，双方均处在同一起跑线上。 据悉，英伟达正对搭载SK海力士HBM4的Rubin进行最终运行测试。待Rubin正式投产，SK海力士也将立即启动批量供货。 此外，SK海力士与英伟达已就明年全年的HBM4供货总量及大致合约单价达成框架协议。SK海力士决定对英伟达明年提出的HBM4需求，以公司可应对的最大产能进行供应。SK海力士在第三季度业绩发布会上曾预告，预计从第四季度开始出货，并于明年正式扩大销售规模。 三星电子方面，与英伟达就明年HBM4供应的谈判也已进入收尾阶段，有望成为继SK海力士之后的第二大HBM4供应商。在第五代HBM3E阶段，三星电子对英伟达的供货比重有限，从第六代HBM4开始，三星电子着力恢复其市场地位。三星电子已向英伟达提供HBM4有偿样品，英伟达正将其搭载于Rubin进行质量验证。 三星电子为恢复HBM4市场竞争力，采用自主研发的4纳米制程代工技术，并搭载了比竞争对手领先一代的DRAM芯片。目前公司正推进平泽园区HBM4产能扩建计划，以应对市场需求。 相比之下，美光科技（Micron）预计将落居第三大HBM4供应商。由于调整HBM4产品部分设计而面临技术问题,与英伟达的谈判进程被迫延缓。尽管美光科技已满足英伟达提出的HBM4产品标准并交付最终样品，但在性能方面仍落后于竞争对手。