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三星西安工厂升级286层NAND闪存工艺

陈姗娜 记者 2025-02-12 17:20
据半导体业界11日消息,三星电子正在升级中国西安工厂工艺至286层(V9)NAND闪存,以应对市场低迷和来自中国半导体公司的竞争。

自2023年以来,三星一直在推动西安工厂的主流128层(V6)NAND工艺过渡至236层(V8)生产线,并决定进一步安装V9生产线。三星计划在今年上半年引进新设备,并在下半年建立一条每月产能为2000至5000片晶圆的生产线。

西安工厂是三星唯一的海外存储芯片生产基地,对全球供应链至关重要,约占三星NAND总产量的40%。升级至286层NAND工艺预计能显著提高该工厂的生产能力。美国拜登政府授予三星“经过验证的最终用户(VEU)”许可,三星得以能够在中国生产超过200层的NAND,继续使用先进的制造工艺。

与此同时,三星还在韩国国内扩展先进NAND工艺,并自2024年下半年起把400层(V10)NAND应用于平泽P1工厂量产线。三星电子表示,计划加速向236层和286层NAND的过渡,以确保长期的产品竞争力。

尽管取得上述进步,但三星预计今年第一季度每月产能为42万个NAND单元,较上一季度减少25%。这一减少反映出当前移动和PC市场需求低迷,受到价格上涨和利率上涨等经济因素的影响。然而,人工智能(AI)数据中心等行业的需求不断增长,促使三星等半导体公司更专注于高性能、高容量的NAND生产。
 
【图片来源 三星电子】
三星电子西安工厂全景【图片来源 三星电子】

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