受通用存储芯片价格疲软影响,韩国半导体巨头三星电子与SK海力士2025年第一季度的业绩预计不及市场预期。尽管业界预测第二季度半导体行业将迎来复苏,但市场回暖的步伐或较为缓慢,难以出现剧烈反弹。
据韩国金融信息公司FnGuide于3月31日发布的预测,三星电子今年第一季度的营业利润预计在5万亿韩元(约合人民币245.8亿元)左右,较去年同期的6.6万亿韩元以及前年第四季度的6.5万亿韩元下降超1万亿韩元。分析认为,存储芯片价格疲软以及晶圆代工(代工制造)业务亏损扩大是导致业绩下滑的主要原因。
多家券商预测,三星电子半导体部门(DS部门)尽管在存储业务上取得2万亿韩元以上的盈利,但由于系统半导体和晶圆代工业务亏损严重,整体预计亏损约4000亿韩元。尤其是高带宽存储(HBM)芯片因出口管制受到影响,同时通用存储芯片价格下跌,进一步拖累盈利能力。
SK海力士的业绩也呈现类似趋势。市场分析机构预测,SK海力士今年第一季度的营业利润将达到6.5万亿韩元,虽然较去年同期的2.886万亿韩元有所增长,但相比去年第四季度的8.1万亿韩元仍减少超1万亿韩元。业界认为,通用DRAM存储芯片价格下滑以及HBM对主要客户英伟达(NVIDIA)的出货量减少,是导致业绩下降的主要原因。
尽管第一季度业绩低迷,但市场对第二季度的表现持谨慎乐观态度。近期,存储芯片需求回暖迹象显现,美国存储芯片厂商美光(Micron)宣布大幅上调产品价格,预示着市场即将迎来转折点。业内预计,AI及数据中心需求增长将推动存储芯片市场逐步复苏。
中国市场需求增长被视为韩国半导体企业业绩改善的重要因素之一。分析机构表示,近期中国市场的移动端DRAM库存调整已接近尾声,DDR4现货价格在DDR5之后也呈现上升趋势,显示出上半年存储芯片价格已进入上行通道。此外,全球存储芯片厂商维持谨慎的供货策略,也在一定程度上推动了价格上涨。
NAND闪存价格方面,经过长期减产,市场预计4月起价格将进入上升周期。分析人士指出,NAND闪存价格将在4月上涨,而DRAM价格在库存调整后也趋于稳定,预计二季度后将进入上升趋势。他还表示,中国的“以旧换新”政策以及美国关税政策促使市场进行提前库存积累,再加上AI基础设施投资增长,整体存储芯片需求有望超出市场预期。
