据电子行业22日消息,在18日召开的三星电子战略会议上,DS部门以HBM为中心,讨论向英伟达(NVIDIA)提供HBM3E(第五代)12层堆叠产品的商用化时间点、HBM4(第六代)量产计划、DRAM设计优化、市场占有率提升方案等关键议题。
三星电子全球战略会议是每年6月与12月举行的定期活动,届时由全球各地法人代表参会,共享业务部门与地区的主要议题,并探讨全球经营战略。
今年第一季度,三星电子在DRAM市场上失去保持33年的领先地位,遭SK海力士超越,导致DS部门陷入危机。与此同时,来自美国美光(Micron)与中国长鑫存储(CXMT)的追赶令三星面临“双重压力”,因此公司计划投入全力恢复在内存领域的领导地位。
业界普遍认为,三星DRAM竞争优势与市场份额下滑的根本原因在于HBM业务上的失误。因此,三星可能在此次战略会议中对以HBM为中心的竞争能力恢复对策进行重点讨论。
另外,三星还可能在会议中对第六代(1c制程)DRAM所构成的HBM4产品下半年量产计划进行评估。近期三星的普通1c DRAM良率有所提升,因此业界认为,作为HBM用核心元件的1c DRAM性能也有望进一步改善。
每一季度持续录得数千亿韩元亏损的晶圆代工业务则把“客户拓展”作为优先课题。代工业务以订单为主,因此客户的多少直接关系到业绩的好坏,对于三星晶圆代工而言,挖掘新的客户迫在眉睫。
市场调研机构集邦咨询(TrendForce)数据显示,今年第一季度三星电子在晶圆代工市场的份额为7.7%,较去年第四季度下降0.4个百分点,与以67.6%排名第一的台积电(TSMC)差距进一步拉大。中芯国际(SMIC)则以6%紧随其后,与三星的差距正在缩小,市场竞争局势愈发严峻。
系统大规模集成电路(LSI)业务方面,三星在会上就即将在下月推出的折叠智能手机Galaxy Z7系列中所搭载的自主应用处理器(AP)Exynos 2500及其后续项目进行相关讨论。
此外,三星电机与三星SDI也分别计划本月23日与7月2日召开战略会议,讨论2025年下半年营收与利润达成战略及市场拓展方案。
