MWC 2026中SK海力士展区 在MWC期间，SK海力士以“超越内存”为主题，展示了涵盖AI基础设施的技术实力。结合设备端AI内存解决方案LPDDR5X和高性能SSD（如LPCAMM2），实现智能手机和PC内的服务器级AI计算。此外，SK海力士还分享了与全球合作伙伴的“AI内存联盟”合作成果。通过与英伟达、台积电等全球核心企业的紧密技术合作，计划占领定制HBM市场，为客户提供优化解决方案。SK海力士相关负责人表示：“通过MWC 2026，我们展示了AI基础设施、设备端和汽车电子领域的多种内存解决方案。我们将继续引领全球半导体市场。”SK海力士计划以此次展会为契机，加速与全球科技巨头的商务会谈，并在下半年开始的下一代AI半导体更换需求中扩大市场影响力。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

24日，韩国综合股指（KOSPI）以5969.64点收盘，较前一交易日上涨123.55点，涨幅为2.11%，再创历史新高。三星电子和SK海力士股价历史双双首次突破20万韩元和100万韩元。 【图片提供 韩联社】

本月8日至12日，IEEE VLSI 2025国际研讨会在日本京都举行，SK海力士在会上首次公布面向未来的DRAM（半导体存储器）技术中长期发展蓝图，对公司在存储芯片领域的技术创新战略进行系统阐述。 IEEE VLSI国际研讨会是半导体行业最具影响力的学术会议之一，聚焦集成电路设计、先进制程、人工智能（AI）芯片及先进封装等前沿技术，每年在美国和日本轮流举办。 10日，SK海力士首席技术官（CTO）车宣龙在会上发表《引领DRAM技术创新 迈向可持续未来》主旨演讲。他指出，当前微缩制程的技术路线已接近物理极限，公司正在加速推进结构创新与材料革新，重点布局4F² VG平台和3D DRAM两大技术方向。 4F² VG平台采用垂直栅极架构，可以大幅缩小DRAM单元尺寸，同时优化存储密度、运行速度与能效表现。结合晶圆键合技术，该平台有望在单位存储效率和电气性能上实现显著突破。如果成功商用，4F²架构或成为继当前主流的6F²单元后，DRAM领域的又一次重大技术迭代。 与此同时，SK海力士还把3D DRAM列为另一重点研发方向。堆叠结构面临制造成本攀升的挑战，公司表示计划通过提升良率推动商业化进程，确保技术落地兼具性能优势与经济效果。 车宣龙强调，行业普遍认为DRAM技术会在20纳米节点遭遇瓶颈，但SK海力士通过持续创新不断突破极限。此次技术蓝图的发布，既是对研发路径的前瞻规划，也为新一代工程师树立明确目标。未来公司还会继续深化产业协作，加速技术成果转化。 另外，研讨会闭幕日当天，负责下一代DRAM研发的SK海力士副社长朴柱东（音）计划出席研讨会并作专题报告，公布VG平台与晶圆键合技术的电学性能验证数据，进一步展现下一代DRAM的产业化潜力。 IEEE VLSI 2025上SK海力士首席技术官（CTO）车宣龙发表《引领DRAM技术创新 迈向可持续未来》主旨演讲【图片来源 SK海力士】

SK海力士去年第四季度在NAND市场的销售额大幅增长，紧追三星电子。根据市场研究公司TrendForce的数据，SK海力士（包括Solidigm）去年第四季度的NAND销售额为52.115亿美元（约7.7万亿韩元），环比增长47.8%。市场份额从19.0%上升到22.1%。相比之下，三星电子第四季度的NAND销售额为66亿美元（约9.7万亿韩元），仅增长10.0%，市场份额从32.3%下降到28.0%。因此，两家公司之间的市场份额差距从第三季度的13.3个百分点缩小到第四季度的5.9个百分点。第三名的铠侠销售额为33.11亿美元（约4.88万亿韩元），增长16.5%，市场份额为14.1%。美光的销售额为30.25亿美元（约4.46万亿韩元），增长24.8%，市场份额为12.8%。全球前五大NAND厂商去年第四季度的总销售额为211.72亿美元（约31.22万亿韩元），环比增长23.8%。TrendForce分析称，由于北美云服务提供商大规模建设AI服务器，企业级SSD需求激增，推动了NAND市场的增长。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。