三星电子成功量产并出货被誉为“梦幻内存”的第六代高带宽内存（HBM4），成为全球首家。此前在HBM3E市场上失利的三星，凭借其卓越的技术实力，成功抢占第六代市场，重夺半导体王座。
据业内消息，三星电子于12日开始量产出货性能最强的HBM4产品，预计将用于英伟达的下一代AI加速器“Vera Rubin”。
此次量产出货是此前一天信心的体现。三星电子设备解决方案（DS）部门首席技术官（CTO）宋在赫在11日首尔COEX举行的“半导体韩国2026”主题演讲前表示，客户对HBM4的反馈非常满意，并强调“技术上无可匹敌”。
三星电子成功量产的HBM4突破了现有产品的限制，采用10纳米级第六代（1c）DRAM和自有4纳米工艺，数据处理速度达到国际半导体标准组织（JEDEC）标准8Gbps的146%，高达11.7Gbps，比前代HBM3E快22%。单栈带宽提升至3.3TB/s，容量达到36GB，未来计划扩展至48GB。
值得注意的是，HBM4的“基底芯片”采用了4纳米工艺，开启了“定制HBM”时代。
◆ SK海力士能否追赶？
业内认为，三星的早期量产将成为HBM市场的“游戏规则改变者”。在HBM3E市场上，SK海力士占据主导地位，但在HBM4市场，三星凭借“一站式”解决方案取得优势。
美国美光在进入英伟达HBM4供应链时遇到困难，而三星抢占了初期供应，未来在价格谈判和市场份额上占据有利地位。
专家指出，三星通过HBM4的早期出货证明了其技术领导力，但实际量产的良品率稳定性将决定其能否独占英伟达等大客户的订单。
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
