코인정보

三星电子:明年高带宽内存已售罄,预计2028年内存供应短缺

金那胤 기자 2026-10-29 11:36
已完成10个长期供应合同,正在与10个客户谈判,客户范围扩展至移动和汽车行业 预计代工厂8纳米以下工艺的开工率将超过100%
照片=联合新闻
[照片=联合新闻]

 

三星电子宣布,明年高带宽内存(HBM)的供应量谈判已完成,正式确认已售罄。预计内存供应短缺将持续到2028年,寻求长期供应合同(LTA)的客户已从超大规模数据中心扩展到移动和汽车行业。

在29日的第三季度业绩发布电话会议上,三星电子表示:“2027年HBM的供应量已按产品竞争力目标价格完成谈判,现已售罄。”并补充称:“主要客户的额外增量请求也在持续接收中。”

第三季度HBM4的销售额较上季度增长超过三倍,已达到HBM销售额的60%。三星电子表示,已在第三季度实现了在下半年整体DRAM市场份额水平的HBM市场份额目标。


供需前景预计到2028年将持续紧张。三星电子解释称:“由于建设成本上升和设备预付款的影响,设施投资规模看起来被夸大,且从新建到晶圆生产的交货期较长,明年的投资增量实际上难以对2028年的比特生产产生实质性贡献。”同时,HBM4E和HBM5的芯片尺寸逐渐增大也是供应限制因素之一。

长期供应合同方面,已与10家大型客户完成签约,并与另外10家主要客户进行谈判。合同客户不仅包括超大规模数据中心和服务器公司,还扩展到移动、汽车和网络公司。三星电子还表示,计划到2030年将生产能力的60%至70%通过长期合同来填满。

在投资方面,三星电子将今年的年度设施投资定为84.4万亿韩元,比去年增加31.7万亿韩元,其中半导体(DS)部门占76.8万亿韩元。第三季度的研发费用为14.4万亿韩元。

在代工方面,预计明年8纳米以下工艺的开工率将超过100%,并将开始扩展8、4、2纳米的产能。位于美国的泰勒第一期工厂已开始清洁室的运行和设备的引入,第二期工厂的建设也即将全面启动。预计明年高性能计算(HPC)的销售比例将超过50%。1.4纳米工艺已与部分客户确认了测试芯片的开发。

在闪存方面,由于人工智能的普及,KV缓存急剧增加,服务器用SSD的需求也在上升,三星电子计划在明年初推出采用32层堆叠技术的256TB QLC SSD。

在股东回报方面,三星电子计划将今年剩余的55万亿至75万亿韩元用于现金分红和自购股份及注销,同时也在考虑提高优先股的回购比例。具体的执行方案和2027年以后的新政策将在明年1月底的董事会上确定。





※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。

《 亚洲日报 》 所有作品受版权保护,未经授权,禁止转载。