파두发布了一项新技术，旨在减少人工智能（AI）数据中心的数据处理瓶颈。其核心在于将传统服务器中央处理器（CPU）负责的文件处理功能转移至SSD内部，使得图形处理器（GPU）等加速器能够直接访问存储设备。 파두于美国加利福尼亚州圣荷西举行的‘2026 OCP全球峰会’上宣布推出‘文件语义SSD（FS-SSD）’，并表示该技术为全球首创。 FS-SSD与传统SSD处理数据块地址不同，设计上能够识别和管理文件本身。通过在파두的第六代SSD控制器中嵌入文件处理固件，SSD内部能够处理文件搜索、访问权限验证及文件与地址之间的转换等任务。 因此，GPU或数据处理单元（DPU）可以不经过CPU和主机文件系统，直接访问SSD。这一变革旨在减少在生成型AI学习和推理过程中，由于频繁调用大规模数据而导致的CPU数据处理结构瓶颈问题。 今年的OCP全球峰会同样将AI优化SSD架构、KV缓存、LLM提示缓存、DPU等作为存储领域的主要议题，强调了针对AI运算的存储结构改进的重要性。 파두计划将FS-SSD发展为基于DPU的无主机存储服务器和可扩展文件存储，并向服务器制造商和设计公司提供相关参考设计。 在此次活动中，파두还展示了第六代SSD控制器‘FC6161’，其在16TB SSD标准下的性能比第五代产品提升了最大2.5倍。完整SSD的功耗在顺序写入时低于28W，待机状态下低于5W。 파두的代表南이현表示：“AI数据中心需要电力效率、稳定的延迟时间、电力管理和冷却等多种因素。”他还表示：“我们将基于控制器技术，扩大FS-SSD及其他AI存储解决方案的业务。”

近期，国内半导体企业股价持续低迷。中东冲突加剧导致油价上涨、通胀忧虑、主要国家国债利率飙升，以及AI行业性价比策略的扩散等不利因素交织，造成市场波动加剧。 中国内存半导体企业的快速追赶也被认为是股价下跌的主要原因。长江存储（CXMT）今年第二季度全球DRAM市场份额达9.5%，较去年同期的4%翻了一番。考虑到2023年其市场份额仅在1%左右，这一成绩可谓显著。三星电子、SK海力士和美光三家公司将精力集中在高带宽内存（HBM）生产上，CXMT则趁机填补了通用DRAM市场的空白。 更为雪上加霜的是，CXMT在10日宣布将于年内推出采用4F²结构的下一代服务器用DRAM，这一消息令市场震惊。人们对中国半导体企业正在缩小技术差距的担忧加剧。4F²结构是一种将内存单元面积比现有的6F²减少33%的设计技术。若成功实现，将在数据处理能力、电力效率及生产率等方面带来革命性的提升。 最初，中国半导体企业在DRAM领域被评估落后韩国1至2年，在高带宽内存（HBM）领域则落后3年以上。然而，此次公告引发了市场对中国迅速缩小技术差距的恐慌。13日，SK海力士股价暴跌近10%，国内半导体企业股价大幅调整，反映出市场的不安情绪。 “CXMT的公告是夸大”……HBM技术差距依然存在 在半导体行业和专家之间，CXMT的公告被冷静地评估为近乎夸大的营销。由于未提供具体的产品规格或明确的量产时间，且产品性能、良率、成本竞争力等需客观验证，因此受到质疑。 4F²结构也并非新概念。三星电子和SK海力士等国内领先企业早已在相关技术上进行研究并获得专利。尚未应用于量产并非因为技术不足，而是由于极其困难的良率保障问题和巨大的生产成本负担，使得商业化的实益较小。 尤其在AI半导体的核心HBM领域，技术差距依然坚固。由于美国制裁，极紫外（EUV）光刻设备的引进受阻，这使得中国在短时间内实现高性能、高良率产品的大规模量产几乎不可能。 华尔街也分析认为，此次CXMT冲击不过是近期过热的半导体股价获利了结的借口，难以视为实质性威胁。日本瑞穗证券的TMT专业分析师乔丹·克莱因也提出了反驳CXMT主张的七个理由，指出市场的过度担忧。 接近80%的内存半导体盈利能力不可能永远持续。AI基础设施投资也面临电网不足和资本投入限制等现实制约。在这种情况下，半导体股价进入调整期是自然的过程。CXMT的公告之所以对市场产生巨大影响，也是由于积累的警惕感所致。然而，CXMT的公告是否会立即改变行业格局尚难以断言，CXMT的下一代DRAM量产声明是否能得到实际验证，仍需经过严格的检验。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士已明确其针对超越高带宽内存(HBM)的下一代内存市场的技术战略。随着人工智能(AI)推理市场的快速增长，内存间的数据传输成为新的瓶颈，SK海力士计划通过定制化HBM、高带宽闪存(HBF)和三维堆叠DRAM等技术，继续在AI半导体市场中保持领先地位。 SK海力士开发总裁安贤在10月14日于首尔江南区COEX举行的第28届半导体展(SEDEX 2026)主题演讲中强调：“为了实现AI基础设施的持续增长，必须超越单一内存性能的提升，优化整体内存层次。” 安贤在以“AI时代，内存技术的演变方向”为主题的演讲中指出，随着AI推理需求的快速增长，现有内存结构的局限性逐渐显现。他预测，到2030年，AI基础设施的规模将比今年扩大19倍。 他特别提到，过去计算单元与内存之间的速度差异是问题，而未来HBM、DRAM和固态硬盘(SSD)等不同内存层次之间的数据传输将成为新的瓶颈。因此，除了提升现有内存的性能外，还需要在各层之间引入新的内存技术。 首先，HBM将演变为根据客户的AI系统量身定制的产品。SK海力士正在开发HBM4E和HBM5等下一代产品，并准备在基础芯片上搭载客户所需的功能。 安贤表示：“标准型HBM和定制型HBM将并行发展，但从长远来看，定制化趋势将进一步扩大，我们已准备好具备多项核心技术以充分满足客户需求。” 在HBM之后，SK海力士提出了HBF和三维堆叠DRAM技术。HBF是将HBM的堆叠技术应用于闪存的下一代内存，SK海力士的开发目标是实现与同代HBM相比，数据传输带宽降低至一半，同时存储容量提高10倍以上。 HBF的标准化也在加速进行中。SK海力士与闪迪和谷歌等全球合作伙伴合作，于今年7月在开放计算项目(OCP)上公开了初步规格，计划在明年1月制定最终规格。安贤强调：“在AI时代，多个客户和合作伙伴共同定义规格并制定标准，建立生态系统是非常必要的。” 三维堆叠DRAM技术是将DRAM直接堆叠在图形处理单元(GPU)等计算半导体上，目标是将输入输出连接数量扩大数十倍，提高数据传输性能并降低功耗。 此外，下一代企业级SSD技术“存储下一代(Storage-Next)”也在开发中。通过重新设计闪存和控制器结构，计划将输入输出处理性能提高4至8倍，并与客户共同开发。 安贤表示：“我们并不只是将内存视为单一组件，客户的技术需求各不相同，我们将通过新的内存解决方案推动AI生态系统的持续增长。”

SK海力士的美国子公司索利达姆正在大幅扩大对全球人工智能（AI）云公司的企业用SSD（eSSD）供应，迅速提升其NAND业务的竞争力。尽管在美国纳斯达克上市（IPO）前有部分声音提出“重复上市”的争议，但这被认为是对其巩固AI存储主导地位的根本商业目的的低估。 根据高盛在13日发布的半导体行业报告，索利达姆在今年上半年高容量企业用SSD（eSSD）市场中的四层单元（QLC）基础市场份额已超过60%，显示出快速增长。高盛指出：“主要生产线的开工率保持在100%，为进入美国资本市场奠定了坚实的业绩基础。”随着AI数据中心的扩展，数据存储需求急剧增加，具有出色电力效率和空间利用率的QLC基础eSSD订单集中在索利达姆。 索利达姆曾被视为SK海力士的“痛点”。自2021年SK海力士收购英特尔的NAND业务以来，索利达姆记录了数万亿韩元的亏损，增加了母公司的财务负担。 然而，凭借对大容量eSSD市场的独占供应，索利达姆在2024年第一季度成功实现盈利，完成了完美的转型。继年利润达到1.4万亿韩元后，今年上半年净利润达到了5.8万亿韩元，持续向好。 随着索利达姆在美国证券市场的上市前景逐渐明朗，部分人士提出了“重复上市”的担忧，但业内普遍认为此次IPO与典型的国内重复上市争议本质上不同。与将总部核心业务剥离进行再上市的物质分割不同，此次是通过海外并购（M&A）将美国公司纳入本地资本市场的结构。 成均馆大学法学院名誉教授崔俊善表示：“将优质业务分离的典型物质分割与海外公司的本地资本市场进入是完全不同的类型。”他指出：“应当关注资金的使用和对现有股东价值的提升，而不是形式上的上市问题。” 考虑到SK集团在AI基础设施扩展方面需要超过1000万亿韩元的大规模资金，以及美国等全球半导体厂扩张的同步推进，SK海力士在高带宽内存（HBM）和下一代DRAM投资上集中使用自有资金，而索利达姆则计划独立融资，推动新NAND工厂的设立和研发（R&D）。 此时也是上市的良机。摩根士丹利等海外投资银行（IB）指出，在闪迪、镁光等全球存储企业估值飙升的背景下，索利达姆以880亿美元（约11.85万亿韩元）的收购价格，预计在纳斯达克上市时将获得高达1500亿美元（约200万亿韩元）的企业价值认可。 由于新股发行，SK海力士的持股比例部分稀释似乎不可避免。然而，若索利达姆的规模不断扩大，增长速度加快，SK海力士所持股份的绝对价值反而有可能得到极大提升。 业内人士表示：“与其让母公司100%控股后将市场拱手让给中国或竞争对手，不如即使持股比例略有下降，长期来看在全球舞台上将企业价值扩大10倍更符合股东利益。”他补充道：“在主导AI存储市场的氛围下，轻微的股权稀释不会对业务推进造成重大障碍。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

KOSPI指数下跌超过6%，跌破6000点。半导体巨头三星电子和SK海力士分别下跌约8%和10%，拖累了整体指数的表现。 根据韩国交易所的数据，截至下午1时30分，KOSPI较前一交易日下跌424.40点（6.65%），报5959.84点。KOSPI在开盘初便加大跌幅，盘中曾触发卖出暂停机制。 当天KOSPI的下跌被解读为中国存储半导体公司技术进展消息对投资者情绪的打击。长鑫存储（CXMT）在DRAM技术开发上取得进展，并计划在年内推出下一代服务器产品。 前一晚，费城半导体指数下跌2.60%，美国存储半导体公司美光科技下跌3.88%。SK海力士的美国存托股票（ADR）也下跌4.02%。英伟达（-1.29%）、台积电（-1.29%）、博通（-1.88%）等也表现疲软。 半导体巨头股价大幅下跌。三星电子（-8.18%）、SK海力士（-10.65%）、SK广场（-12.40%）等均出现暴跌，外资的卖出压力也在加大。 在证券市场上，个人和机构分别净买入2兆6806亿韩元和1兆1034亿韩元，而外资则净卖出4兆240亿韩元。 市值前列的股票普遍表现疲软。三星生物制剂（-0.33%）、三星电机（-8.8%）、现代汽车（-5.3%）等均下跌。 同一时刻，KOSDAQ指数较前一交易日下跌29.72点（3.50%），报819.59点。在KOSDAQ市场上，个人净卖出2498亿韩元，而外资和机构分别净买入2234亿韩元和165亿韩元。 市值前列的股票大多数也表现疲软。阿尔特基因（-4.97%）、生态能源（-6.06%）、元益IPS（-2.37%）、伊奥科技（-4.01%）等均下跌。 徐相英，未来资产证券公司常务董事表示：“中国长鑫存储的技术进展刺激了半导体竞争加剧的担忧，加上沙特航班取消引发的中东局势紧张，风险规避情绪进一步增强。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国存储芯片制造商长鑫存储正加速推进下一代DRAM技术研发，并宣布计划于今年底推出采用自主研发的4F²架构的服务器用DDR5产品，试图在先进制程存储芯片领域进一步缩小与三星电子、SK海力士等韩国头部企业的差距。 近日在上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇对外公布了4F²单元结构研发取得关键进展，预计于今年底推出融合4F²单元结构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。 4F²是一种通过缩小DRAM存储单元面积来提高芯片存储密度的技术。传统DRAM主要采用6F²结构，而4F²技术可将单个存储单元的面积从6个特征尺寸单位缩小至4个单位。为实现这一目标，相关技术需要将部分原本平面排列的器件结构改为垂直排列，从而在相同芯片面积内集成更多存储单元，实现存储密度的提升。 随着半导体制程不断微缩，单纯依靠缩小电路尺寸提升存储容量的难度日益增加，研发成本和制造成本也随之上升。在此背景下，通过优化存储单元结构提高集成密度，正成为存储芯片行业探索的重要方向。 三星电子预计将在2028年左右于10纳米以下的下一代工艺中引入4F²技术并实现产品生产。SK海力士则于去年公布了与4F²相关的技术路线图，但尚未公开明确的量产计划。 若长鑫存储能够按计划实现量产，将意味着中国存储芯片企业有望率先在部分先进DRAM制程领域取得新的进展，可能给由三星电子、SK海力士和美光科技长期占据优势的服务器内存市场带来新的竞争变量。 此前，中国存储芯片企业主要集中于通用型DRAM和移动存储等市场，重点提升市场份额。随着人工智能、高性能计算和数据中心需求持续增长，服务器内存的重要性不断上升，先进DRAM技术也成为全球存储芯片企业竞争的重点领域。 不过，对于长鑫存储能否真正实现4F²产品量产，韩国半导体业内仍持谨慎态度。在美国等国家出口管制的影响下，长鑫存储获取阿斯麦生产的极紫外（EUV）光刻设备难度较大。如何在现有设备和工艺条件下提高先进制程的良率，以及如何应对新技术导入过程中可能出现的工艺不稳定等问题，是其面临的挑战。 尽管如此，中国存储芯片产业的快速发展仍引发韩国业界关注。有观点认为，韩国企业目前在高带宽内存（HBM）等先进存储技术领域仍保持一定领先优势，但随着中国企业持续增加研发投入、扩大产能，追赶速度不容小觑。 长鑫存储的资金实力也在不断增强。今年7月，长鑫存储通过首次公开募股（IPO）募集最高666.1亿元人民币，为技术研发和产能扩张提供资金支持。 此外，长鑫存储今年8月宣布新一代移动DRAM LPDDR6进入量产阶段，并于上月宣布启动第五代DRAM工艺量产。接连取得的进展显示，该公司正加快向更先进的存储芯片市场迈进。

三星电子今年第3季度营业利润历史首次突破100万亿韩元，书写韩国企业历史新纪录。 据三星电子8日发布数据显示，初步统计第三季度营业利润为107.4万亿韩元（约合人民币5368亿元），同比大增782.5%，销售额为195亿韩元，同比增长126.6%。 这是韩国企业历史首次单季利润突破100万亿韩元，放眼全球科技巨头来看，包括英伟达、苹果等也尚未达到这一水平。此前仅有沙特国营企业沙特阿拉伯国家石油公司（沙特阿美）曾在2022年第二季度创下约865亿美元的营业利润外，当时正值俄乌冲突导致国际能源价格大幅上涨。 三星电子业绩屡创新高，主要得益于人工智能（AI）热潮推动的半导体需求持续旺盛，以及公司在存储器领域的技术竞争力恢复。 自去年第四季度销售额达到93.8万亿韩元、营业利润达到20.1万亿韩元，双双创下历史最高纪录以来，三星电子已经连续四个季度刷新销售额和营业利润纪录。 仅第三季度单季营业利润已逼近去年全年营业利润的2.5倍，接近2022年至2025年四年间营业利润总和（126.3万亿韩元）。 截至第三季度，今年三星电子累计营业利润已达254.1万亿韩元，全年营业利润有望进一步冲刺350万亿韩元。 虽然三星电子当天尚未公布各业务部门的具体业绩，但市场普遍认为，半导体业务（DS）尤其是存储器业务仍是本季度业绩增长的核心驱动力。 随着全球主要科技企业围绕通用人工智能（AGI）展开竞争，AI服务器和数据中心建设持续扩大，高带宽存储器（HBM）、DRAM以及NAND闪存等存储器产品的需求居高不下。 业界预计，三星电子DS部门第三季度营业利润可能与集团整体营业利润相当，甚至略高于整体水平。 市场研究机构TrendForce预计，今年第四季度通用DRAM价格将环比上涨10%至15%，NAND闪存价格则可能上涨15%至20%。随着存储器价格持续上涨，三星电子半导体业务的盈利能力有望进一步改善。 此外，三星电子已开始全球率先量产HBM4。市场预计，HBM4从明年开始将对三星电子的业绩增长发挥更加明显的推动作用。 已有券商将三星电子明年营业利润预测值从562万亿韩元上调至632万亿韩元，显示市场对AI半导体周期的乐观程度正在进一步升温。 但半导体业务内部仍存在明显分化。业内预计，系统LSI和晶圆代工业务第三季度仍可能出现约1万亿韩元规模的亏损。尽管随着产能利用率提升，非存储器业务正在逐步恢复，但美国得州泰勒晶圆厂投产相关成本仍将令盈利能力承压。 负责智能手机、电视及家电等业务的DX部门也继续面临较大的成本压力。受零部件价格上涨影响，该部门继第二季度出现公司成立以来首次亏损后，第三季度可能延续亏损势头。 其中，移动体验及网络业务的营业亏损预计可能超过1.5万亿韩元，电视及生活家电业务预计也可能亏损约5000亿韩元。 相比之下，三星显示器预计实现约1万亿韩元营业利润，哈曼营业利润预计在2000亿至4000亿韩元之间。

根据联合新闻的报道，去年国家信息资源管理院火灾后，政府宣布系统已100%恢复，但这一说法与实际恢复的数据比例并无关系。 去年9月26日，国家信息资源管理院大田总部计算机室地下的锂离子电池发生火灾，导致电力供应中断，政府24和国民信箱等709个政府行政信息系统同时瘫痪。火灾被扑灭，但计算机设备和数据存储装置大量损失，造成国家行政网络出现前所未有的计算机故障状态。 国会行政安全委员会所属的国民力量党议员真钟五在6日从国家信息资源管理院获得的资料显示，去年火灾导致的故障系统为709个，数据总量为878.36太字节(TB)。 其中，完全烧毁的政府业务用存储空间‘G盘’占总量的98.82%，即868TB。G盘是74个中央行政机构约19万名公务员使用的业务存储空间。火灾时，原始数据和备份存放在同一地点，未进行分散存储，导致G盘的数据恢复变得不可能。除G盘外，708个系统的数据比例约为10.36TB（1.18%）。 行政安全部于去年12月30日宣布，受火灾影响的709个系统已‘100%恢复’。然而，由于G盘的原数据恢复实际上不可能，因此已被新系统替代。 真议员指出，政府所宣称的‘100%恢复’并不意味着数据恢复，而是指系统的正常运行。 真议员指出：“系统重新启动与丢失的工作资料恢复是完全不同的问题”，并呼吁政府不要仅仅强调‘100%恢复’的数字，而应对74个机构的实际数据损失和恢复规模进行全面调查并公开。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子有望成为韩国首家单季度营业利润突破100万亿韩元（约合人民币4990亿元）的企业。在人工智能（AI）热潮带动存储芯片需求激增的背景下，三星电子继今年第二季度后，有望再次刷新历史最佳业绩。 据金融信息机构FnGuide于5日发布的数据，三星电子今年第三季度销售额和营业利润将分别达200.7657万亿韩元和106.9435万亿韩元，均有望超过第二季度销售额（171.4995万亿韩元）和营业利润（89.4924万亿韩元）。三星电子将于8日公布第三季度初步业绩。尽管近期韩元兑美元汇率上升，促使部分券商下调业绩预期，但市场仍普遍认为营业利润突破100万亿韩元的可能性较高。 本轮业绩增长的主要推动力是半导体（DS）部门旗下存储业务。随着大型科技企业扩大AI数据中心投资，不仅HBM需求旺盛，DDR5等服务器用DRAM以及企业级固态硬盘（eSSD）需求也保持强劲，在供给不足的情况下，存储芯片价格维持高位。分析认为，存储业务的高盈利能力有望抵消晶圆代工、系统LSI以及电视和家电等其他业务的疲软表现。 尤其从第三季度开始，HBM4对业绩的贡献预计将进一步扩大。三星电子今年上半年全面启动HBM4量产后，正在迅速提高产量。公司此前在第二季度业绩电话会议上预计，第三季度HBM4销售额将较上一季度增长三倍以上。三星证券预计，第三季度整体HBM销售额将环比增长60%。高附加值HBM4占比提升，不仅有助于扩大销量，也将改善盈利能力。 市场关注的重点是第四季度及以后走势。HBM产量扩大正在影响通用DRAM供应。三星电子预计，明年HBM将占整个行业DRAM晶圆产能的30%，高于目前的水平（20%）。在整体产能有限的情况下，更多产能分配给HBM，意味着用于服务器、个人电脑和移动设备等领域的通用DRAM供应空间可能进一步收窄。 存储芯片价格也有望延续强势。市场研究机构TrendForce预计，第四季度通用DRAM合约价格将环比上涨10%至15%，NAND闪存价格将上涨15%至20%。由于存储芯片企业优先将先进制程产能分配给利润率较高的HBM和服务器产品，以服务器DRAM为中心的供应短缺仍在持续。对三星电子而言，HBM4销量扩大与通用存储芯片价格上涨有望形成双重推动。 美国美光近期公布的强劲业绩也进一步强化了市场对存储芯片行业景气的预期。随着AI应用从模型训练进一步扩展至推理和AI智能体等领域，存储需求不断增加，而短期内供应难以大幅扩张，市场预计供方占据优势的格局仍将持续。 IBK投资证券研究员金云浩（音）表示，预计当前的存储芯片供应短缺将持续，在此背景下，行业盈利能力有望维持当前水平，利润规模也将保持稳定增长。

中国的生成型人工智能（AI）用户在今年上半年已超过7亿人。智能计算规模在一年内增长了177%，休默诺イド成品数量在上半年已超过400种。 根据中国互联网信息中心（CNNIC）发布的《生成型AI应用发展报告（2026）》显示，截至6月底，中国的生成型AI用户数量已超过7亿，普及率达到50%。与去年12月的6亿200万用户（普及率42.8%）相比，半年内增加了近1亿人。 截至6月，智能计算规模达到2185EFLOPS（艾克萨浮点运算每秒），同比增长177%。由国内技术构建的首个10万卡级AI超级集群也已投入使用，涵盖芯片、计算、存储、网络、冷却等核心硬件和软件。 年销售额超过2000万人民币（约合4000万元）的制造企业中，AI技术的应用率已超过30%。在集成电路和AI等数字产业领域，国家级先进制造业集群已累计形成16个。6月，国务院在农业与农村现代化相关的第15个五年计划中，明确提出了AI应用和智能农业的目标。 报告指出，物理AI（实现智能）机器人在工业生产、医疗手术和生活服务等领域的应用范围正在扩大。今年上半年，中国的休默诺イド成品数量已超过400种，预计年产量将超过10万台。 在休默诺イド领域，中国展现出世界领先的实力。根据五大专利局（IP5）的统计，今年上半年，中国的休默诺イド专利申请数量为1584件，远超美国（113件）和韩国（35件）。中国的市场份额从2024年的51.8%上升至今年上半年的60.8%，而美国则从27.3%降至21.8%，韩国从6.3%降至4.6%。 模型和数据的供应也在增加。报告显示，深思科技和文创AI等本土企业相继发布了参数规模达到万亿级的开源大型语言模型。这些本土模型在钢铁、有色金属、电力、通信等主要行业的产品开发、质量检测和客户服务中得到了广泛应用。高质量的数据集已构建超过12万个。 政策和资金流动也为此提供了支持。报告指出，中国的生成型AI政策重心已从“技术攻关”转向“现场应用”和“规范治理”的并行发展，国务院的“人工智能+”行动意见为多个部门后续政策的出台奠定了基础。今年上半年，AI相关投资达到1255笔，约2501亿4000万人民币（约50万亿元）。与去年同期相比，笔数增长78%，金额增长182%。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。