中国存储芯片制造商长鑫存储正加速推进下一代DRAM技术研发，并宣布计划于今年底推出采用自主研发的4F²架构的服务器用DDR5产品，试图在先进制程存储芯片领域进一步缩小与三星电子、SK海力士等韩国头部企业的差距。
近日在上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇对外公布了4F²单元结构研发取得关键进展，预计于今年底推出融合4F²单元结构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
4F²是一种通过缩小DRAM存储单元面积来提高芯片存储密度的技术。传统DRAM主要采用6F²结构，而4F²技术可将单个存储单元的面积从6个特征尺寸单位缩小至4个单位。为实现这一目标，相关技术需要将部分原本平面排列的器件结构改为垂直排列，从而在相同芯片面积内集成更多存储单元，实现存储密度的提升。
随着半导体制程不断微缩，单纯依靠缩小电路尺寸提升存储容量的难度日益增加，研发成本和制造成本也随之上升。在此背景下，通过优化存储单元结构提高集成密度，正成为存储芯片行业探索的重要方向。
若长鑫存储能够按计划实现量产，将意味着中国存储芯片企业有望率先在部分先进DRAM制程领域取得新的进展，可能给由三星电子、SK海力士和美光科技长期占据优势的服务器内存市场带来新的竞争变量。
此前，中国存储芯片企业主要集中于通用型DRAM和移动存储等市场，重点提升市场份额。随着人工智能、高性能计算和数据中心需求持续增长，服务器内存的重要性不断上升，先进DRAM技术也成为全球存储芯片企业竞争的重点领域。
不过，对于长鑫存储能否真正实现4F²产品量产，韩国半导体业内仍持谨慎态度。在美国等国家出口管制的影响下，长鑫存储获取阿斯麦生产的极紫外（EUV）光刻设备难度较大。如何在现有设备和工艺条件下提高先进制程的良率，以及如何应对新技术导入过程中可能出现的工艺不稳定等问题，是其面临的挑战。
尽管如此，中国存储芯片产业的快速发展仍引发韩国业界关注。有观点认为，韩国企业目前在高带宽内存（HBM）等先进存储技术领域仍保持一定领先优势，但随着中国企业持续增加研发投入、扩大产能，追赶速度不容小觑。
长鑫存储的资金实力也在不断增强。今年7月，长鑫存储通过首次公开募股（IPO）募集最高666.1亿元人民币，为技术研发和产能扩张提供资金支持。
此外，长鑫存储今年8月宣布新一代移动DRAM LPDDR6进入量产阶段，并于上月宣布启动第五代DRAM工艺量产。接连取得的进展显示，该公司正加快向更先进的存储芯片市场迈进。
