美国特朗普政府正在着手重新审查对半导体企业发放的补贴，但全球半导体企业依旧纷纷宣布扩大在美投资计划，导致三星电子和SK海力士等韩国半导体企业面临更大压力。如果在缺乏补贴的情况下也需要增加投资，韩国企业则必须全面调整全球生产战略，引发业内担忧。 美国半导体企业美光科技（Micron）当地时间12日宣布，计划扩大美国本土投资至2000亿美元，较去年拜登政府时期公布的1250亿美元计划增加60%。这一声明发表正值特朗普多次公开表示，不依赖政府补贴，仅通过关税施压即可促使全球半导体企业加大在美投资。 今年3月初，中国台湾晶圆代工企业台积电（TSMC）宣布计划追加1000亿美元的在美投资后，全球半导体企业之间逐渐出现一波“亲特朗普”趋势。 美国商务部在美光发布扩张计划后随即宣布提供最高2.75亿美元的补贴，但市场普遍认为这笔资金是对去年12月与拜登政府达成初步协议的最终确认，因此不能看作新增补贴。 有分析指出，特朗普政府可能会以此次美光的投资声明为契机，正式启动对《芯片法案》补贴条款的重新协商。主管《芯片法案》补贴的美国商务部部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）本月4日在国会听证会上表示：“部分芯片补贴似乎过于慷慨”，并透露正在与部分企业重新协商补贴条款。 如果特朗普政府在不增加补贴的情况下持续施压企业加大投资，三星电子和SK海力士的负担则会大幅加重，甚至可能需要调整全球生产战略。 三星电子在拜登政府期间宣布，计划投资超过370亿美元，截至2026年在得克萨斯州泰勒市新建半导体代工厂，并在去年12月与美国商务部正式签署协议，获得47.45亿美元补贴。SK海力士则计划截至2028年在印第安纳州西拉斐特建造一座人工智能（AI）存储半导体封装工厂，并在上月与美方签订协议，获得最多4.58亿美元直接补贴和5亿美元贷款。

据芯片行业10日消息，日本NAND闪存企业铠侠（KIOXIA）正在大幅扩充产能，积极进军人工智能（AI）数据中心市场。目前，全球NAND市场由三星电子和SK海力士主导，但随着竞争加剧，领先企业的市场份额正在逐渐缩小。后进企业扩充产能后，NAND市场格局可能随时重塑的担忧开始出现。 铠侠近日公布中长期经营战略，计划截至2029年把主要NAND生产工厂的产能在去年基础上提升一倍以上。公司还计划在明年3月前提高先进第八代NAND生产比例，以此实现先进产品营收超过传统通用NAND产品的目标。 值得注意的是，铠侠还在正式推进下一代NAND产品存储级内存（SCM）的生产。该产品结合NAND与DRAM的优势，具备更快的读写速度与更大的存储容量，是下一代存储技术的核心。 为实现上述目标，铠侠计划利用每年最多20%的营收进行设备投资。目前，公司在日本四日市和北上地区分别运营NAND生产工厂。借助去年完成的上市融资及日本政府的支援，铠侠正在全力开发面向AI数据中心的新一代产品。 随着全球NAND市场竞争日趋激烈，业界分析指出，后发企业的积极投资可能打破三星与SK海力士主导的市场格局。数据显示，NAND市场排名第一的三星电子市场份额已从去年第四季度的33.9%降至今年第一季度的31.9%，包括旗下Solidigm在内的SK海力士份额也从20.5%降至16.6%。 相比之下，排名第三的美光（Micron）市场份额从13.8%升至15.4%。铠侠份额则为14.6%，与第二至第四名之间的差距不大。SK海力士与美光的份额差距仅为1.2个百分点，三星电子的份额也持续下滑，形势不容乐观。 另外，美国闪迪（SanDisk）市场份额为12.9%，中国长江存储（YMTC）为8.1%，均取得不容小觑的成绩，导致市场竞争的不确定性进一步加剧。NAND的技术门槛相对低于DRAM，因此后发企业可以在较短时间内缩小与领先企业的技术与产能差距。 此前，三星电子今年第一季度的NAND营收为42亿美元，环比减少25%，主要受企业级固态硬盘（SSD）需求疲软影响。同期，SK海力士的NAND营收为21.9亿美元，环比下降35.5%。 业内人士表示，海外竞争企业在本国政府的大力支援下快速追赶，技术与市场差距正在缩小。韩国企业不仅需要加快先进技术开发，也需要与新一届政府积极沟通，争取政策和资金支持。

成功当选第21任韩国总统的李在明在竞选期间多次承诺扩大对半导体产业的支援，引发外界对韩国半导体产业竞争力是否会进一步增强的高度关注。 李在明4月28日成为共同民主党总统候选人后，公布的首项竞选承诺就是半导体产业扶持计划。他在当天通过社交媒体发文表示：“全球经济霸权的关键在于掌控半导体，保护半导体就是保护我们的未来”，并强调会以“压倒性的超级差距与超前技术，打造世界第一的半导体强国”。 为此，李在明承诺尽快制定包含对半导体企业提供补贴和税收优惠内容的《半导体特别法》。他还表示，计划对在国内生产和销售的半导体产品提供最高10%的生产税额抵免，扩大税收优惠力度。 同日，李在明在当选总统候选人后的首次经济行程中，对SK海力士利川工厂进行访问，并主持召开“K-半导体AI存储半导体企业座谈会”。他在会上表示：“为确保韩国在部分领先的半导体领域不受冲击，继续引领全球市场，希望听取企业对所需政策措施的意见”，表现出对产业界意见的高度重视。 从李在明的竞选纲领中可以看出，他在经济政策部分纳入多项半导体产业支援相关内容，主要包括推动下一代AI半导体技术的开发和相关产业生态系统的培育，强化对系统半导体和先进封装技术的支援以打造综合性半导体生态中心，以及通过建设RE100半导体集群来提升韩国在出口和产业竞争力方面的优势。 目前，美国、日本、中国、台湾等主要国家和地区都在积极推动半导体产业发展，投入巨额补贴支援政策。随着半导体逐渐成为经济与安全的核心，各国都不遗余力地保护本国战略技术并争夺供应链主导权。 此外，面对来自美国的关税政策与出口管制，以及政府大力支持下中国持续推进的“半导体崛起”，全球半导体市场的不确定性不断攀升。业界指出，韩国要想在这场竞争中占据优势，就必须迅速立法，提供与竞争国家相当的支援力度。 因此，半导体界普遍欢迎李在明在竞选中提出强化产业支援的承诺，并期待未来能够出台更为具体的政策细则。目前大方向已经明确，但在执行层面依旧缺乏细致方案。 业内人士指出，目前半导体行业正处在巨大的不确定之中，政府高度重视本身就是积极信号，但要想真正推动AI半导体发展，还需提出更加具体可行的措施。作为对国家经济贡献极大的产业，业界普遍希望能有更加现实和可靠的支援政策，确保韩国与竞争国家站在同一起跑线。 随着新政府的上台，备受关注的《半导体特别法》也有望成为制度支撑的重要基础。该法案的核心在于为半导体企业提供补贴，但就是否在法案中列入“每周52小时工作制”这一例外规定，在国会陷入僵局。 李在明在竞选期间承诺推动该法案立法，但并未明确表态是否支持在法案中加入相关工作时间例外条款。共同民主党则决定不在法案中写入该条款，仅保留产业支援内容，并在4月指定该法案为“快速处理议案”。实际上，半导体业已长期呼吁为研发人员提供更为灵活的工作时间制度，以提升全球竞争力。 业内人士表示，要想在全球竞争中赢得优势，就必须尽快通过能提供政策支持依据的《半导体特别法》。52小时工作制的讨论固然重要，但如果因此影响立法，则可能错失增强竞争力的“黄金时期”。

中国在存储半导体市场上对韩国的威胁日益加剧。继在旧款产品DDR4 DRAM市场大举投放产品之后，当前又正式迈入DDR5 DRAM量产阶段。DDR5是三星电子和SK海力士等韩国企业主攻的通用型存储器产品。一旦中国增加DDR5供应，势必会引发产品价格下跌，进而对三星电子和SK海力士的业绩造成冲击。 据芯片行业8日消息，中国存储芯片行业龙头长鑫存储（CXMT）计划逐步减少服务器和PC用DDR4 DRAM的产量，预计在明年中期完全停止该产品的生产，仅有应对国内市场代工订单需求的部分产线除外。 长鑫存储停止DDR4生产后，转而扩大DDR5的产能，今年计划把整体内存产量的60%转为DDR5。业内预计，截至今年年底，长鑫存储的月度晶圆投片能力或达到28万片，明年有望突破30万片，相当于全球DRAM产能的15%。 长鑫存储自去年下半年大规模生产DDR4不到一年时间，就迅速转向DDR5生产。自去年12月实现DDR5量产后，今年已向中国国内客户提供服务器用DDR5样品。由此可见，长鑫存储试图快速退出利润空间不断萎缩的DDR4市场，借助人工智能（AI）带来的旺盛需求，抢占DDR5市场份额。 DDR5是目前市场上流通的最先进通用型DRAM产品。去年中国在DDR4市场展开价格攻势，但三星电子和SK海力士等韩国企业则通过快速转向DDR5工艺、加强高端需求布局来加以应对。如果长鑫存储全面转向DDR5，韩国企业则难免会受到冲击。随着市场供应增加，高端产品DDR5的盈利能力也可能下降。 DDR4价格在去年下半年多次大幅下跌，原因正是中国企业实施低价策略。2023年10月以来，PC用DDR4 8Gb（1Gx8）产品的月度固定成交价首次出现下跌，2024年8月降至2.05美元，较前月下降2.38%；9月又较8月大跌17.07%；11月环比暴跌20.59%。 有观点认为，如果三星电子和SK海力士维持品质与技术优势，在不降价的情况下也有可能获得客户青睐。尤其是在机器人、电动汽车、自动驾驶等高端应用领域，与低廉的价格相比，优秀的质量保证更加重要。 业内人士指出，中国企业在政府支持下对通用存储市场采取强硬态度，但产品性能是否可靠尚未得到充分验证。韩国电子技术研究院（KETI）特聘研究委员李圭福（音）表示，必须全力开发能够用于电动汽车、自动驾驶、机器人等新兴领域的存储产品，并进一步扩大与中国的技术差距。

三星电子去年对于半导体良率不佳采取的更换部门总管这一“强硬手段”初见成效，在最近的下一代DRAM良率测试中取得令人满意的成果。DRAM的性能直接关系到高带宽存储器（HBM）的市场竞争能力，因此外界对于三星半导体实现超越并恢复领先的期待也随之升温。 据电子行业30日消息，三星电子本月在10纳米级第六代DRAM晶圆的性能实验中实现50%以上良率。也就是说，从一片晶圆中生产出的1000多颗DRAM芯片中，一半以上达到性能标准。业内普遍认为，40%左右的良率即可满足量产要求，而三星此次的成果远超这一标准。考虑到去年相同产品的良率未达30%，此次提升可谓显著。 三星实现突破的关键在于芯片设计。为了提高芯片运行效率，研发团队试图采用多种新型结构。实际上，设计变更并非易事，不仅需要承认过去设计的不足，还可能在此过程中与竞争对手拉开技术差距，同时需要投入大量资金。三星原计划去年底量产10纳米级第六代DRAM，但如果改变设计，计划可能延后一年以上，因此风险极高。 去年5月回归设备解决方案（DS）部门的副会长全永铉判断，唯有修改设计才能恢复核心竞争能力。一年之后，当初的决定正在逐步显现成效。三星电子目前以年内量产为目标，继续推进第六代DRAM的后续测试。业内人士表示，为确认是否已经具备可以立即销售的稳定性能，还需要通过更加严格的测试。 随着下一代DRAM开发进展顺利，市场对HBM的期待也在升温。HBM芯片由多层DRAM堆叠而成。三星此前在第五代HBM（HBM3E）上遭SK海力士超越，因此正在计划以全球首款10纳米级第六代DRAM为基础，在年内实现第六代HBM（HBM4）量产，力争逆转颓势。要想按照计划推出产品，10纳米级第六代DRAM的技术水平至关重要。 为了配合下一代DRAM与HBM4的生产，三星还计划下半年起以平泽四厂为主扩充最先进的半导体生产设备。此外，三星还正在推进华城工厂DRAM 17产线工艺转换，旨在通过大幅设备投资来提升成本竞争能力。 为弥补在第六代产品上败给竞争对手的失误，三星还在同步推进10纳米级第七代DRAM的开发。据悉，三星已在平泽二厂建立第七代DRAM试验产线，并在研发阶段成功制出运作样品（working sample）。三星的策略是通过调整DRAM元件长度降低开发难度并加快量产进度。 SK海力士已经领先完成10纳米级第六代DRAM的开发，但如果三星能在第七代DRAM开发中实现反超，则有望摆脱“半导体危机论”，以此重新夺回DRAM市场份额第一的宝座。业内人士透露，三星的目标是最早在明年下半年开始第七代DRAM的量产。

据SK海力士22日消息，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb三阶储存单元（TLC）4D NAND闪存的移动终端解决方案产品UFS 4.1。 SK海力士方面表示，为了在移动设备上实现端侧人工智能（AI）的稳定运行，所搭载的NAND闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗特性。通过这款对AI工作负载优化的UFS 4.1产品，公司计划进一步巩固在旗舰智能手机市场中的内存技术领导地位。 随着端侧AI的需求持续增长，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键，超薄设计和低功耗性已成为移动设备的行业标准。 为顺应这一趋势，SK海力士此次开发的新品较上一代238层NAND闪存产品能效提升7%。与此同时，产品厚度从1mm成功减至0.85mm，能够适配超薄智能手机。 此外，该产品支持第四代UFS产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入速度，相较上一代产品分别提升15%与40%，达到现有UFS 4.1产品中的全球领先水平。 这一方式能够实时提供端侧AI所需的数据，显著提升应用程序的运行效率与响应速度，从而有效增强用户的实际性能体验。UFS 4.1产品提供512GB和1TB两种容量规格，公司计划年内向客户交付样品进行验证流程，并在明年第一季度正式进入量产阶段。 SK海力士开发总管（CDO）安炫社长表示，以此次产品开发为契机，公司计划年内完成全球最高321层4D NAND闪存的消费级和数据中心级固态硬盘（SSD）产品开发工作。通过这一举措，公司计划在NAND闪存领域构建具备AI技术竞争力的产品组合，进一步巩固“AI存储器供应商”地位。

在Galaxy S25系列的强劲销售推动下，三星电子今年第一季度实现历史最高季度营收，但服务器用DRAM销售增加与高带宽存储器（HBM）销售下滑等因素令半导体业务依旧承压。公司预计今年全年或呈现“上低下高”走势，第二季度则可能受到关税等不确定性因素影响。 三星电子30日发布财报显示，今年第一季度合并营业利润为6.6853万亿韩元（约合人民币341.49亿元），同比增长1.2%，较市场预期高出近30%。营收达79.1405万亿韩元，同比增长10.05%，刷新去年第三季度创下的历史最高纪录。净利润为8.2229万亿韩元，同比增长21.74%。 从各部门来看，负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门营收25.1万亿韩元，营业利润1.1万亿韩元。其中内存营收19.1万亿韩元，环比下降17%。DRAM销售有所改善，但受出口管制影响，HBM销售减少。系统LSI业绩小幅回升，晶圆代工需求疲软而表现不佳。 负责手机业务的设备体验（DX）部门营收51.7万亿韩元，营业利润4.7万亿韩元。第一季度旗舰机型销售增长，加上零部件降价及资源优化，助力移动体验（MX）与网络业务营收达到37万亿韩元，营业利润4.3万亿韩元。 此外，电视与家电业务通过高端产品销售改善盈利。哈曼目前处于业务淡季，但也实现3.4万亿韩元营收，营业利润为3000亿韩元。显示面板（SDC）业务营收5.9万亿韩元，营业利润5000亿韩元。三星电子一直以来持续加大研发投入，今年第一季度研发支出达到9万亿韩元，创下历史新高。 近来全球贸易环境恶化，经济增长放缓，第二季度经营面临较大的不确定性。韩联社旗下联合Infomax汇总的17家证券机构预测，三星电子第二季度营业利润或为6.6797万亿韩元，同比下降36.04%；营收预计为76.002万亿韩元，同比增长2.61%。 三星方面表示，如果经营不确定性得到缓解，下半年业绩有望回升。公司计划通过扩大HBM3E、128GB DDR5等高附加值产品销售，巩固存储市场竞争力，并加快第八代V-NAND的转产。系统LSI业务则扩大SoC与高像素图像传感器供应，晶圆代工计划致力2纳米工艺量产和应对移动与车载需求。 手机业务方面，三星计划第二季度主要提升Galaxy S25 Edge等旗舰产品销售，并在下半年加大折叠屏与人工智能（AI）功能优化投入。另外，公司还正在拓展高端平板、穿戴设备与扩展现实（XR）新品。电视和家电业务则主要以AI新品为核心推动销售增长。 三星江南店内陈列的Galaxy S25系列产品【图片来源 韩联社】

位于首尔瑞草区的三星电子总部大楼。【图片提供 韩联社】 据半导体业界消息，三星电子日前向美国商务部传达意见称，美国对华尖端技术的制裁可能会导致意外结果，反而阻碍创新。尽管美国对华制裁持续升级，但中国在尖端半导体领域屡屡取得突破，三星此举被视为向美国政府进行呼吁放宽管制。 据悉，三星电子于上月13日向美国商务部工业安全局（BIS）提交《尖端半导体及集成电路实地调查措施》的临时最终规则（IFR）的意见报告。三星电子在报告中称，希望该规定能有效保障美国国家安全，同时这项规定可能造成意外后果及阻碍创新，希望能放宽该规定。 三星电子所担忧的这项规定，是美国前总统拜登在其任期结束之际于今年1月16日发布。这项规定要求晶圆代工企业在采用14-16纳米以下制程工艺、晶体管数量超过300亿个时，需要对客户身份进行溯源，并按季度向美方报告。 当时美方表示，希望晶圆代工企业通过此举验证所生产的芯片不会流入被列入“黑名单”的企业。意在防范再次发生如华为去年通过初创企业算能科技（Sophgo）的名义迂回获取台积电芯片的事例。美国商务部通过这一规定将算能科技等可疑企业加入黑名单，并要求三星电子、台积电、英特尔等24家主要晶圆代工及测试企业对客户进行审核验证。 三星电子等芯片厂商对这一规定可能产生的负面效果表示忧虑，若代工企业每季度向美方报告客户信息，可能会失去原有的中国无晶圆厂（Fabless）客户，对三星电子造成打击。 此外，这一规定反而会加快中国半导体的自主程度，由于三星电子、台积电、英特尔等企业均为规定适用对象，中国的无晶圆厂可能将芯片制造业务转托于如中芯国际（SMIC）等中国代工厂商。 半导体业界相关人士称，代工企业需要在为多样化客户寻求解决方案的过程中积累技术实力，美国的这一规定反而是将客户资源转手让于中国本土代工企业，从而助力其技术自主。 以去年第四季度数据为准，连续从台积电“挖人”的中芯国际以5.5%的市场份额位居全球晶圆代工行业第三位，正紧追排名第二位的三星电子（8.1%）。甚至有观点认为，三星电子在代工领域的竞争对手已不是台积电，而是中芯国际。美国半导体协会在提交给商务部的意见报告中也明确表示，出口管制应在不会损害美国制造、就业和核心技术领域的领导地位前提下进行，可见美国国内也已认识到，从长期来看管制措施可能反而助推中国实现半导体自主。

在美国持续收紧对华人工智能（AI）芯片出口管制背景下，中国科技企业正加快自主替代步伐。华为近日发布了新一代AI芯片“昇腾920”（Ascend 920），并计划于今年下半年正式投产。与此同时，去年推出的“昇腾910C”也将于下月开始大规模量产。 据业界23日消息，昇腾920将在中国半导体代工企业中芯国际（SMIC）的6纳米工艺上实现量产。该芯片的整体性能比上一代提升超过40%，其性能有望接近美国英伟达（NVIDIA）为中国市场定制的AI芯片“H20”。 分析人士指出，随着美国政府近期叫停H20芯片对华出口，华为新一代AI芯片的推出有望在中国市场上实现对英伟达的全面替代。 此外，华为还计划大规模生产此前推出的“昇腾910C”芯片。虽然性能略低于昇腾920，但凭借较高的性价比，预计将广泛应用于本土AI企业的中低端AI模型训练任务中。 伴随美国对华出口限制的不断升级，中国AI芯片产业的自主研发正在提速。与此同时，韩国半导体企业可能面临对华出口渠道受限的风险。 据了解，三星电子自去年起向英伟达H20芯片供应第四代高带宽内存产品HBM3，最新一批H20芯片则使用了SK海力士生产的第五代HBM3E（8层）产品。若中国市场对英伟达芯片需求持续下滑，韩国企业的HBM出口渠道将受到冲击。 尽管中国企业或可尝试通过第三方渠道绕过出口限制获取韩国HBM，但随着美国监管愈发严密，相关路径的现实可行性较低。 业内也有声音指出，中国本土半导体企业正在加速追赶。长鑫存储（CXMT）去年就比原计划提前两年开始量产第二代HBM2产品，未来或有望推出可用于AI芯片的高性能内存解决方案。 目前业界关注焦点之一，是华为是否会推出能替代英伟达下一代AI芯片“B20”的产品。B20原定于今年第二季度在中国市场推出，整体性能优于H20。 相关人士表示，“目前中国企业正在逐步将英伟达挤出本土AI芯片市场，韩国企业也应加快推进供应链多元化战略，降低对单一客户的依赖。” 【图片来源 韩联社】

在中美关税摩擦持续加剧的背景下，中共中央政治局常委、国务院副总理丁薛祥近日赴陕西调研，并视察了位于西安的三星（中国）半导体有限公司，引发各界广泛关注。分析认为，此举释放出中方希望深化中韩半导体产业合作、共同应对美方出口管制的明确信号。 据悉，丁薛祥于4月14日至16日赴陕西省开展调研工作，其间专程前往三星电子西安半导体工厂并与企业负责人座谈交流。丁薛祥是中共最高领导层成员之一，在党内排名第六，长期担任习近平总书记秘书，被普遍视为“习家军”核心成员之一，政治地位稳固，是未来国家重要领导人选之一。 丁薛祥现任中央科技委员会主任，全面统筹国家科技战略，亦是推动中国“半导体强国”战略的关键人物。在此次视察过程中，丁薛祥不仅考察了生产线运转情况，还就全球贸易形势发表讲话，批评美方对华加征关税及实施技术封锁等措施。 “对外开放是中国的基本国策，”丁薛祥表示，“面对日益抬头的保护主义，中国扩大高水平对外开放的决心更加坚定。关税战、贸易战不得人心，中国愿与各方深化合作、优势互补，实现互利共赢。” 三星电子西安工厂是该公司全球NAND闪存芯片生产的重要基地之一，目前拥有两条生产线，产能占全球总产量的四成以上。工厂目前正加快推进第八代（178层）和第九代（256层）NAND产品的量产布局。 业内人士指出，丁薛祥此行的重要意义，在于向外界释放中国将通过加强与包括三星在内的国际领先企业合作，积极应对美方新一轮半导体出口限制的明确信号。除三星工厂外，丁薛祥还视察了正泰智能电气西北产业园、隆基绿能科技股份有限公司、西北有色金属研究院、西北工业大学、陕西工业职业技术学院及中欧班列西安集结中心等多家重点机构，均为国家当前重点发展和扶持的战略性新兴产业相关单位。 “丁常委此次调研代表了党中央和习近平总书记的工作部署，其所到之处均体现出鲜明的政策导向。”一位业内人士表示，“此行也体现出中方希望加强与韩方产业协作、共同应对外部挑战的战略意图。” 据公开资料显示，自2019年国务院原总理李克强视察三星西安工厂以来，丁薛祥是首位到访该厂的中共中央政治局常委。此前一个月，习近平主席曾在北京出席中国发展高层论坛2025年年会，并会见三星电子会长李在镕，显示中方高层正密集向韩方传递深化合作的积极信号。 业内普遍认为，尽管中国已培育出长江存储（YMTC）、长鑫存储（CXMT）等本土存储芯片企业，但在高带宽存储（HBM）等关键领域，与三星、SK海力士等韩企仍存在一定技术差距。在美方不断加强对AI芯片出口限制的背景下，中方有意通过与韩企开展务实合作，稳固半导体产业链安全。 近期，美国前总统特朗普再度发声，呼吁拜登政府扩大对华技术出口限制措施，继英伟达专为中国市场定制的AI芯片“H20”被列入管控清单后，英特尔、AMD等厂商产品亦被纳入限制范围，中美科技领域竞争进一步升温。 三星半导体西安园区 【图片来源 三星电子中国】