中国在存储半导体市场上对韩国的威胁日益加剧。继在旧款产品DDR4 DRAM市场大举投放产品之后，当前又正式迈入DDR5 DRAM量产阶段。DDR5是三星电子和SK海力士等韩国企业主攻的通用型存储器产品。一旦中国增加DDR5供应，势必会引发产品价格下跌，进而对三星电子和SK海力士的业绩造成冲击。 据芯片行业8日消息，中国存储芯片行业龙头长鑫存储（CXMT）计划逐步减少服务器和PC用DDR4 DRAM的产量，预计在明年中期完全停止该产品的生产，仅有应对国内市场代工订单需求的部分产线除外。 长鑫存储停止DDR4生产后，转而扩大DDR5的产能，今年计划把整体内存产量的60%转为DDR5。业内预计，截至今年年底，长鑫存储的月度晶圆投片能力或达到28万片，明年有望突破30万片，相当于全球DRAM产能的15%。 长鑫存储自去年下半年大规模生产DDR4不到一年时间，就迅速转向DDR5生产。自去年12月实现DDR5量产后，今年已向中国国内客户提供服务器用DDR5样品。由此可见，长鑫存储试图快速退出利润空间不断萎缩的DDR4市场，借助人工智能（AI）带来的旺盛需求，抢占DDR5市场份额。 DDR5是目前市场上流通的最先进通用型DRAM产品。去年中国在DDR4市场展开价格攻势，但三星电子和SK海力士等韩国企业则通过快速转向DDR5工艺、加强高端需求布局来加以应对。如果长鑫存储全面转向DDR5，韩国企业则难免会受到冲击。随着市场供应增加，高端产品DDR5的盈利能力也可能下降。 DDR4价格在去年下半年多次大幅下跌，原因正是中国企业实施低价策略。2023年10月以来，PC用DDR4 8Gb（1Gx8）产品的月度固定成交价首次出现下跌，2024年8月降至2.05美元，较前月下降2.38%；9月又较8月大跌17.07%；11月环比暴跌20.59%。 有观点认为，如果三星电子和SK海力士维持品质与技术优势，在不降价的情况下也有可能获得客户青睐。尤其是在机器人、电动汽车、自动驾驶等高端应用领域，与低廉的价格相比，优秀的质量保证更加重要。 业内人士指出，中国企业在政府支持下对通用存储市场采取强硬态度，但产品性能是否可靠尚未得到充分验证。韩国电子技术研究院（KETI）特聘研究委员李圭福（音）表示，必须全力开发能够用于电动汽车、自动驾驶、机器人等新兴领域的存储产品，并进一步扩大与中国的技术差距。

韩国统计厅30日发布《4月产业活动动向》显示，韩国产业活动指标时隔三个月再次出现生产、消费、投资三大指标全面下滑局面。受美国对部分商品征收25%关税影响，汽车行业首当其冲，产业生产重回负增长轨道。美国贸易壁垒影响开始在韩国经济数据中全面显现，同时投资和消费两大内需指标也持续低迷，对内外经济双双陷入停滞局面。 具体来看，剔除农林渔业并经过季节调整后的全产业生产指数为113.5（2020年为100），较上月下降0.8%，三个月来首次转为负增长。公共行政、矿工、服务、建筑等各大行业生产均出现下滑，其中矿工业生产下降0.9%，制造业则受汽车（-4.2%）、半导体（-2.9%）等影响，同比下降0.9%。 汽车生产自去年11月（-6.6%）后时隔5个月再次转为下降。分析认为，主要原因在于美国特朗普政府自4月3日起对进口汽车正式实施25%的高额关税。韩国银行（央行）此前发布分析称，如果美国持续当前关税政策，韩国产业中汽车行业或受到最大冲击，这一担忧正在逐渐成为现实。 此外，现代汽车集团在美国佐治亚州新建的现代汽车美洲新厂（HMGMA）已经开始量产，也成为韩国汽车产量减少的因素之一。统计厅经济动向统计审议官李斗元表示，汽车产量减少主要集中在环保车型和特殊用途车型领域，佐治亚州工厂3月开始全面运营，与关税因素共同导致国内产量下降。 各项内需指标同样呈现负增长。反映服务消费情况的服务业生产指数较上月下降0.1%，继3月（-0.1%）之后连续两个月出现下滑。代表实物消费的零售销售额指数则受半耐用品（-2%）、耐用品（-1.4%）、非耐用品（-0.3%）销量全面减少的影响，整体较上月下降0.9%，也是自3月（-1%）以来连续两个月减少。 4月设备投资环比下降0.4%，连续两个月下滑。在汽车等运输设备方面的投资增长9.9%，但在半导体制造设备等机械设备方面投资减少4.5%。反映建筑业生产情况的建筑施工实绩（以固定价格计算）环比下降0.7%，同样连续两个月出现减少，其中土木工程增长6.6%，但建筑工程减少3.1%导致整体下滑。 生产、消费、投资三大经济指标均出现下降，但反映三至四个月平均趋势的景气综合指数依旧呈现上升趋势。反映当前经济状况的同步综合指数循环变动值环比上升0.2个点，预示未来经济走势的先行综合指数循环变动值环比上升0.3个点。李斗元表示，4月主要指标受内外不确定性增强、消费心理恢复缓慢、建筑行业低迷等因素综合影响，整体呈现下行趋势。

三星电子去年对于半导体良率不佳采取的更换部门总管这一“强硬手段”初见成效，在最近的下一代DRAM良率测试中取得令人满意的成果。DRAM的性能直接关系到高带宽存储器（HBM）的市场竞争能力，因此外界对于三星半导体实现超越并恢复领先的期待也随之升温。 据电子行业30日消息，三星电子本月在10纳米级第六代DRAM晶圆的性能实验中实现50%以上良率。也就是说，从一片晶圆中生产出的1000多颗DRAM芯片中，一半以上达到性能标准。业内普遍认为，40%左右的良率即可满足量产要求，而三星此次的成果远超这一标准。考虑到去年相同产品的良率未达30%，此次提升可谓显著。 三星实现突破的关键在于芯片设计。为了提高芯片运行效率，研发团队试图采用多种新型结构。实际上，设计变更并非易事，不仅需要承认过去设计的不足，还可能在此过程中与竞争对手拉开技术差距，同时需要投入大量资金。三星原计划去年底量产10纳米级第六代DRAM，但如果改变设计，计划可能延后一年以上，因此风险极高。 去年5月回归设备解决方案（DS）部门的副会长全永铉判断，唯有修改设计才能恢复核心竞争能力。一年之后，当初的决定正在逐步显现成效。三星电子目前以年内量产为目标，继续推进第六代DRAM的后续测试。业内人士表示，为确认是否已经具备可以立即销售的稳定性能，还需要通过更加严格的测试。 随着下一代DRAM开发进展顺利，市场对HBM的期待也在升温。HBM芯片由多层DRAM堆叠而成。三星此前在第五代HBM（HBM3E）上遭SK海力士超越，因此正在计划以全球首款10纳米级第六代DRAM为基础，在年内实现第六代HBM（HBM4）量产，力争逆转颓势。要想按照计划推出产品，10纳米级第六代DRAM的技术水平至关重要。 为了配合下一代DRAM与HBM4的生产，三星还计划下半年起以平泽四厂为主扩充最先进的半导体生产设备。此外，三星还正在推进华城工厂DRAM 17产线工艺转换，旨在通过大幅设备投资来提升成本竞争能力。 为弥补在第六代产品上败给竞争对手的失误，三星还在同步推进10纳米级第七代DRAM的开发。据悉，三星已在平泽二厂建立第七代DRAM试验产线，并在研发阶段成功制出运作样品（working sample）。三星的策略是通过调整DRAM元件长度降低开发难度并加快量产进度。 SK海力士已经领先完成10纳米级第六代DRAM的开发，但如果三星能在第七代DRAM开发中实现反超，则有望摆脱“半导体危机论”，以此重新夺回DRAM市场份额第一的宝座。业内人士透露，三星的目标是最早在明年下半年开始第七代DRAM的量产。

据SK海力士22日消息，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb三阶储存单元（TLC）4D NAND闪存的移动终端解决方案产品UFS 4.1。 SK海力士方面表示，为了在移动设备上实现端侧人工智能（AI）的稳定运行，所搭载的NAND闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗特性。通过这款对AI工作负载优化的UFS 4.1产品，公司计划进一步巩固在旗舰智能手机市场中的内存技术领导地位。 随着端侧AI的需求持续增长，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键，超薄设计和低功耗性已成为移动设备的行业标准。 为顺应这一趋势，SK海力士此次开发的新品较上一代238层NAND闪存产品能效提升7%。与此同时，产品厚度从1mm成功减至0.85mm，能够适配超薄智能手机。 此外，该产品支持第四代UFS产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入速度，相较上一代产品分别提升15%与40%，达到现有UFS 4.1产品中的全球领先水平。 这一方式能够实时提供端侧AI所需的数据，显著提升应用程序的运行效率与响应速度，从而有效增强用户的实际性能体验。UFS 4.1产品提供512GB和1TB两种容量规格，公司计划年内向客户交付样品进行验证流程，并在明年第一季度正式进入量产阶段。 SK海力士开发总管（CDO）安炫社长表示，以此次产品开发为契机，公司计划年内完成全球最高321层4D NAND闪存的消费级和数据中心级固态硬盘（SSD）产品开发工作。通过这一举措，公司计划在NAND闪存领域构建具备AI技术竞争力的产品组合，进一步巩固“AI存储器供应商”地位。

在美国持续收紧对华人工智能（AI）芯片出口管制背景下，中国科技企业正加快自主替代步伐。华为近日发布了新一代AI芯片“昇腾920”（Ascend 920），并计划于今年下半年正式投产。与此同时，去年推出的“昇腾910C”也将于下月开始大规模量产。 据业界23日消息，昇腾920将在中国半导体代工企业中芯国际（SMIC）的6纳米工艺上实现量产。该芯片的整体性能比上一代提升超过40%，其性能有望接近美国英伟达（NVIDIA）为中国市场定制的AI芯片“H20”。 分析人士指出，随着美国政府近期叫停H20芯片对华出口，华为新一代AI芯片的推出有望在中国市场上实现对英伟达的全面替代。 此外，华为还计划大规模生产此前推出的“昇腾910C”芯片。虽然性能略低于昇腾920，但凭借较高的性价比，预计将广泛应用于本土AI企业的中低端AI模型训练任务中。 伴随美国对华出口限制的不断升级，中国AI芯片产业的自主研发正在提速。与此同时，韩国半导体企业可能面临对华出口渠道受限的风险。 据了解，三星电子自去年起向英伟达H20芯片供应第四代高带宽内存产品HBM3，最新一批H20芯片则使用了SK海力士生产的第五代HBM3E（8层）产品。若中国市场对英伟达芯片需求持续下滑，韩国企业的HBM出口渠道将受到冲击。 尽管中国企业或可尝试通过第三方渠道绕过出口限制获取韩国HBM，但随着美国监管愈发严密，相关路径的现实可行性较低。 业内也有声音指出，中国本土半导体企业正在加速追赶。长鑫存储（CXMT）去年就比原计划提前两年开始量产第二代HBM2产品，未来或有望推出可用于AI芯片的高性能内存解决方案。 目前业界关注焦点之一，是华为是否会推出能替代英伟达下一代AI芯片“B20”的产品。B20原定于今年第二季度在中国市场推出，整体性能优于H20。 相关人士表示，“目前中国企业正在逐步将英伟达挤出本土AI芯片市场，韩国企业也应加快推进供应链多元化战略，降低对单一客户的依赖。” 【图片来源 韩联社】

三星电机昆明工厂【图片来源 韩联社】 三星电机宣布关闭位于中国的昆山工厂。该厂自2009年起专注生产智能高密度互连（HDI）智能手机主板，时隔15年后正式关停。这一举措是三星电机在整理东莞法人之后，三星电机对事业性较低项目的又一次重要调整，旨在聚焦于新一代半导体基板及片式多层陶瓷电容器（MLCC）等高附加值领域。 三星电机日前公布的2024年监查报告显示，2019年末启动的昆山法人清算工作于去年年末结束。三星电机昆山法人于2009年成立，自2010年6月起开始进行HDI量产，是三星电机HDI产品的核心生产基地之一。然而，由于市场门槛低，中国等竞争企业激增、市场环境的变化以及成本压力的持续加剧，该工厂的收益性大幅恶化。因此，三星电机于2019年12月宣布逐步退出该业务领域，并经过约五年的清算工作，于去年年末正式宣告退出HDI智能手机主板业务。此外，三星电机在2023年底完成对东莞工厂的清算工作。该工厂生产音响、台式电脑、键盘、软盘驱动器（FDD）等产品，是三星集团于1992年中韩建交之际在中国设立的首家法人。 此番调整后，三星电机将战略重心转向先进半导体基板、多层陶瓷电容器等更高附加值的产品线，旨在全面提升公司的整体竞争力和盈利水平。随着三星电机清算完成昆山和东莞两大工厂，在中国运营的工厂仅剩高新和天津两家。其中，天津工厂作为三星电机主力产品MLCC的核心生产据点，公司高度重视，三星电子会长李在镕曾亲自访问了该工厂。 随着人工智能（AI）、电装等高附加值市场逐渐扩大，三星电机将以专注尖端事业为核心策略，加速推出FC-BGA封装基板、电装用MLCC、玻璃基板等创新产品，加快转型高附加值事业，以此稳固市场地位。

继DRAM之后，中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）有望进军技术门槛更高的高带宽存储器（HBM）市场，这一动向让韩国存储芯片双雄三星电子与 SK海力士倍感压力。 尽管美国对华制裁仍在持续，但长鑫存储仍在快速提升技术实力。业内担忧，如果长鑫存储不仅继续扩大传统DRAM生产，还加速量产先进HBM产品，未来数年内，韩国存储半导体产业或将受到严重冲击。 据相关业界12日消息，长鑫存储正在为第二代HBM产品——HBM2进行设备投资。早在2016年，三星电子和SK海力士就已开始量产HBM2，尽管长鑫存储在时间上落后近10年，但由于HBM2规格已趋于标准化，业内专家认为中国厂商在该领域的研发进程可能会大幅加快。 半导体行业相关人士表示：“从技术研发速度来看，中国企业正迅速追赶韩国企业，这已经是不争的事实。与DRAM和NAND闪存相似，较旧的HBM由于设计已标准化，开发周期大幅缩短。但关键仍在于能否在1至2年内掌握稳定的量产技术。” 值得关注的是，长鑫存储在2020年后技术进步明显加快。根据中国市场研究机构前瞻产业研究院的数据，2020年中国国产DRAM在全球市场的占有率仍为0%，但截至2024年已上升至 5%。过去，韩国半导体业内普遍认为中国企业要实现DRAM量产至少需要10年以上，但现实发展速度已远超预期。 长鑫存储近期不仅在DDR4 DRAM领域站稳脚跟，还在DDR5研发上取得突破，引发市场对其未来大规模量产的担忧。市场调查机构TechInsights指出，长鑫存储生产的DDR5 DRAM关键制程线宽已接近三星电子和SK海力士，表明中韩两国企业在技术层面的差距正迅速缩小。 面对中国企业的快速崛起，三星电子和SK海力士正处于重要的战略决策节点。两家公司在DDR4 DRAM市场已受到中国企业低价竞争的冲击，而对未来 5 年的市场走势同样感到不安。 韩国KAIST（韩国科学技术院）电气电子工程系特聘教授柳会峻表示：“中国企业已经具备在三星、SK海力士推出新产品1年左右就能开发出样品的能力，但在大规模量产方面仍可能面临技术障碍。” 柳会峻指出，在标准化存储芯片市场，中国企业凭借成本和产能优势，韩国企业很难与之展开价格战，因此必须转变业务模式，拓展产品组合，以保持竞争力。他建议三星和SK海力士应聚焦于内存内处理（PIM）、计算快速链接（CXL）等定制化存储技术，以此寻找突破口。 他进一步解释道：“PIM本质上是‘定制化DRAM’，需要与客户建立紧密的合作伙伴关系，同时与工艺技术深度结合，而这正是韩国企业的优势所在。目前全球半导体市场正掀起人工智能（AI）热潮，韩国存储厂商可以通过PIM等定制化存储产品，在AI终端设备市场开拓新的增长机会。” 【图片来源 长鑫存储】

三星电子会长李在镕4日与日本软银集团董事长兼CEO孙正义、OpenAI CEO萨姆·奥尔特曼举行三方会谈，“人工智能（AI）三角同盟”构想有望加速推进。值得关注的是，软银集团与OpenAI此前已联合甲骨文共同推进“星际之门”项目。 这个耗资5000亿美元的超级AI项目堪称人类史上最大规模的AI计划。此前美日主导的AI联盟中韩国缺席，此次会谈为三星参与提供了契机。项目核心目标是构建支持下一代尖端AI研发的物理、数字基础设施，包括超大规模数据中心建设。软银计划向星际之门注资超150亿美元，并考虑单独向OpenAI追加投资150-250亿美元。 面对中国深度求索（DeepSeek）公司“低成本高效能”AI的挑战，参与该项目的OpenAI将强化技术研发。此前DeepSeek将API定价压低至每百万token仅0.28美元，仅为OpenAI定价的1/30。为此，OpenAI正通过企业估值提升筹措资金，据《华尔街日报》披露其估值正从1750亿美元向3400亿美元跃进，同时加速AI设备与AI芯片研发。 三星电子凭借在半导体、TV、智能手机、生活家电等领域的技术积累，被视为理想合作伙伴。孙正义当天在三星电子瑞草总部向记者表示"将与李在镕会长商讨‘星际之门’项目合作可能"，虽三星未正式表态，但多方合作可能性显著。 半导体技术将成为“AI三角同盟”的核心纽带：三星拥有HBM高带宽内存、次世代DRAM和晶圆代工技术；软银旗下ARM具备顶尖芯片设计能力；OpenAI则亟需AI运算芯片支持。三方在定制AI处理器开发方面存在巨大合作空间。 在AI基础设施领域，三星可提供数据中心专用半导体、定制芯片设计代工、存储及网络解决方案。其HBM3、HBM3E及规划中的HBM4技术，DDR5 DRAM量产能力，以及512GB CXL内存模块技术都极具竞争力。若软银ARM与OpenAI设计自研AI芯片，三星3纳米GAA制程可承接生产。 此外，三星与OpenAI在AI设备和服务领域合作潜力巨大，包括搭载生成式AI的智能手机、AI电视开发等。软银在IoT和机器人领域的优势也可与AI家居、智能机器人服务形成协同。奥尔特曼在座谈中强调："韩国拥有半导体、能源等AI相关优势产业，是积极拥抱AI技术的国家。" 这场“三角同盟”的酝酿正值全球AI产业爆发期。据贝恩咨询预测，AI产业规模将从2023年的1850亿美元激增至2027年的9900亿美元。 从左至右依次为三星电子会长李在镕、OpenAI CEO萨姆·奥尔特曼和日本软银集团董事长兼CEO孙正义。【图片来源 韩联社】

SK海力士去年第四季度营业利润超过8万亿韩元（约合人民币406.42亿元），刷新季度及年度最高纪录。凭借在HBM3E（第五代高带宽存储器）技术上的领先优势，SK海力士宣布与台积电（TSMC）组成联合团队，并计划在今年下半年量产HBM4（第六代）。 SK海力士在23日的业绩发布中表示，今年的HBM营收预计同比增长超过100%。随着ASIC（专用集成电路）芯片的客户需求显著增加，公司客户基础也会进一步扩大。也就是说，SK海力士有意拓宽HBM客户群体，从此前以英伟达为中心的合作关系延伸至更多客户。 为了应对不断增长的人工智能（AI）需求，SK海力士正在把用于HBM的DRAM生产能力从目前的10万片提升到今年年底的17万片。AI技术趋势逐渐从训练转向推理阶段，但对HBM的需求依旧保持强劲。对于AI趋势变化是否会减缓HBM需求的质疑，SK海力士回应称，AI技术的演进会推动高性能HBM的需求增长，“物理AI”领域的拓展预计会成为HBM需求的增长动力。 SK海力士还强调计划与台积电组成联合团队，以提升HBM4的性能和功耗表现。与此前的HBM3E不同，HBM4的核心组件“基底芯片”需要交由代工生产。SK海力士计划在今年下半年量产12层堆叠HBM4产品，并在客户需要时提供16层堆叠版本。 HBM的出色表现助力SK海力士去年达成历史最佳业绩。2024年营收66.193万亿韩元，营业利润达23.4673万亿韩元，同时创下新高。其中，HBM全年营收同比增长4.5倍以上，第四季度HBM营收占DRAM整体营收的40%以上。去年9月，全球首款12层堆叠HBM3E量产产品顺利投产，预计今年上半年HBM3E出货量的一半以上由12层堆叠产品贡献。 SK海力士首席财务官（CFO）金祐贤表示：“通过大幅提高高附加值产品的销售占比，公司在市场调整期间也实现稳定的收入和利润。我们会继续坚持以确保收益为核心的投资原则，并根据市场变化灵活调整策略。” 【图片来源 韩联社】

韩国电池产业在全球电动车电池市场的竞争力正面临严峻挑战。由于价格竞争力逊于中国，技术开发进度落后于美国和日本，K-电池的全球市场地位进一步下降，陷入苦战。 根据市场调查机构SNE Research日前公布的数据，2024年1月至11月，韩国三大电池企业（LG新能源、SK On、三星SDI）在全球电动车电池市场（不含中国）的占有率同比下降2.7个百分点，仅为45.6%。与之形成对比的是，具有价格优势的中国电池企业如比亚迪、孚能科技、中创新航等，正在包括欧洲、巴西、泰国、以色列和澳大利亚等多个新兴市场迅速扩大供应范围。这种竞争使得韩国企业的市场份额被进一步蚕食。 即便是市场份额第一的中国宁德时代（CATL），也因竞争压力占有率下降了1.5个百分点。与此同时，美国特斯拉和日本丰田-松下合资公司PPES则分别实现了市场份额增长2.1个百分点和0.5个百分点。 韩国电池企业的业绩也受到严重冲击。LG新能源近日公布的2024年第四季度初步财报显示，销售额为6.4512万亿韩元（约合人民币324.43亿元），同比下降6.2%；营业利润则转为亏损，亏损额达2255亿韩元，远低于市场预期。这一情况主要归因于中国产低价电池的快速扩张和电动车市场需求的暂时性放缓。分析认为，SK On和三星SDI的第四季度财报表现也可能低于市场预期。 在新技术领域，K-电池同样面临巨大挑战。全固态电池作为全球电池产业的竞争焦点，被认为能够彻底解决现有电池起火风险，并提供更高性能。然而，韩国企业在该领域的开发进度明显落后于海外竞争者。 美国初创企业QuantumScape计划在今年内实现20GWh（吉瓦时）规模的全固态电池量产，可为近23.8万辆现代艾尼氪（Ioniq） 5车型供电。而韩国的三星SDI预计到2027年才能实现量产，比美国落后约两年。与此同时，日本在本国政府补贴支持下，全固态电池的研发进度也大幅加快，且拥有全球最多相关专利。 业内人士预测，今年至少将有两家企业宣布全固态电池开发成功，市场商业化时间点可能早于预期。 2024年12月18日，在中国厦门市举行的发布演示前，观众们观看来自中国宁德时代（CATL）的下一代电池换电站。【图片来源 AP/韩联社】