市场调研机构集邦咨询（TrendForce）于20日发布的数据显示，今年第一季度，包括三星电子和SK海力士在内的全球NAND闪存制造商企业级固态硬盘（SSD）业务收入均大幅下滑。受北美地区主要客户持续消化库存导致采购需求锐减，叠加NAND闪存芯片价格持续探底的双重压力影响，行业整体盈利能力遭受显著冲击。 具体来看，三星电子第一季度企业级SSD销售额为18.89亿美元，环比下降34.9%，但市场份额仍实现小幅提升，从39.5%微增至39.6%。同期，SK海力士的企业级SSD销售额骤降至9.93亿美元，环比骤降56.8%，市场份额从31.3%下滑至20.8%。此外，位列行业第三和第四位的美光科技与铠侠同样未能幸免，销售额分别下降27.3%和21.8%。 企业级SSD作为高附加值产品，在人工智能（AI）数据中心等高端应用场景中占据核心地位，成为各大存储厂商重要的营收支柱。此前，存储厂商凭借企业级SSD业务的稳健表现，才得以部分缓解消费级SSD市场持续疲软带来的冲击。以三星电子为例，今年第一季度NAND业务实现总收入达42亿美元，其中企业级SSD贡献占比高达44%；同期，SK海力士NAND业务收入达21.9亿美元，贡献占比达47%，凸显该业务板块的战略重要性。 分析指出，企业级SSD销售乏力的主要由于季节性需求减弱以及北美客户库存持续高企等市场因素。同时，企业级SSD产品价格在第一季度出现约20%的环比暴跌。面对这一局势，美光科技已率先采取减产措施，宣布将推迟下一代制程转换计划并减少NAND晶圆投入。 然而，市场普遍对第二季度行情持谨慎乐观态度。集邦咨询分析称，随着北美地区AI基础设施建设需求持续扩张，加之中国云计算企业加速推进数据中心存储容量升级，预计相关厂商的盈利能力将逐步回升。 数据显示，NAND闪存价格自去年第四季度出现38%的大幅下跌后，今年第一季度再度下挫10%至15%。这一价格走势主要受个人电脑（PC）及笔记本电脑等消费级SSD全球需求急剧萎缩影响。分析指出，在当前市场环境下，NAND厂商亟需通过提升企业级SSD业务的盈利能力来巩固市场地位，为未来发展奠定坚实基础。

据芯片行业10日消息，日本NAND闪存企业铠侠（KIOXIA）正在大幅扩充产能，积极进军人工智能（AI）数据中心市场。目前，全球NAND市场由三星电子和SK海力士主导，但随着竞争加剧，领先企业的市场份额正在逐渐缩小。后进企业扩充产能后，NAND市场格局可能随时重塑的担忧开始出现。 铠侠近日公布中长期经营战略，计划截至2029年把主要NAND生产工厂的产能在去年基础上提升一倍以上。公司还计划在明年3月前提高先进第八代NAND生产比例，以此实现先进产品营收超过传统通用NAND产品的目标。 值得注意的是，铠侠还在正式推进下一代NAND产品存储级内存（SCM）的生产。该产品结合NAND与DRAM的优势，具备更快的读写速度与更大的存储容量，是下一代存储技术的核心。 为实现上述目标，铠侠计划利用每年最多20%的营收进行设备投资。目前，公司在日本四日市和北上地区分别运营NAND生产工厂。借助去年完成的上市融资及日本政府的支援，铠侠正在全力开发面向AI数据中心的新一代产品。 随着全球NAND市场竞争日趋激烈，业界分析指出，后发企业的积极投资可能打破三星与SK海力士主导的市场格局。数据显示，NAND市场排名第一的三星电子市场份额已从去年第四季度的33.9%降至今年第一季度的31.9%，包括旗下Solidigm在内的SK海力士份额也从20.5%降至16.6%。 相比之下，排名第三的美光（Micron）市场份额从13.8%升至15.4%。铠侠份额则为14.6%，与第二至第四名之间的差距不大。SK海力士与美光的份额差距仅为1.2个百分点，三星电子的份额也持续下滑，形势不容乐观。 另外，美国闪迪（SanDisk）市场份额为12.9%，中国长江存储（YMTC）为8.1%，均取得不容小觑的成绩，导致市场竞争的不确定性进一步加剧。NAND的技术门槛相对低于DRAM，因此后发企业可以在较短时间内缩小与领先企业的技术与产能差距。 此前，三星电子今年第一季度的NAND营收为42亿美元，环比减少25%，主要受企业级固态硬盘（SSD）需求疲软影响。同期，SK海力士的NAND营收为21.9亿美元，环比下降35.5%。 业内人士表示，海外竞争企业在本国政府的大力支援下快速追赶，技术与市场差距正在缩小。韩国企业不仅需要加快先进技术开发，也需要与新一届政府积极沟通，争取政策和资金支持。

油价持续上涨【图片来源 韩联社】 尽管上月韩元兑美元汇率走高，但受国际油价一个月内下跌7%的影响，韩国进口物价连续两个月下跌。 韩国银行（央行）16日发布的《进出口物价指数》报告显示，今年3月韩国进口物价指数为143.04（2020年=100），环比下降0.4%，继2月下降1%后连两个月呈下行趋势。意味着自去年10月以来持续四个月的上涨态势告一段落。 从品类来看，原材料价格环比下降3.3%，而中间产品（0.7%）、资本品（1.6%）和消费品（0.9%）价格均保持上涨。具体来看，矿产品（-3.7%）和煤炭及石油制品（-3.2%）价格跌幅显著，其中，原油（-6.2%）、石脑油（-3.9%）、丙烷气（-2.4%）及二次电池（-3.5%）等细分品类价格均出现较大幅度回落。 央行分析指出，尽管3月韩元兑美元汇率环上升，从2月的平均1445.56韩元上涨至3月的1456.95韩元，但国际油价的大幅回落成为主导进口物价走势的关键因素。数据显示，迪拜原油月均价格从2月的每桶77.92美元降至3月的72.49美元，下跌7%。 央行物价统计组负责人李文熙（音）表示：“4月以来，迪拜原油价格延续下行趋势，环比下降5.4%，而韩元兑美元汇率则小幅上涨约0.3%。当前市场不确定性较高，但若这一趋势持续，油价下跌将对进口物价产生显著影响。”他强调，虽然关税因素未直接计入进口物价调查因素，但全球经济环境变化、市场供需调整及企业定价策略等因素仍可能对物价走势产生间接影响。 在出口方面，3月出口物价指数（韩元基准）环比回升0.3%至135.00。其中，农林水产品价格上涨1.6%，工业制品在计算机、电子及光学设备（1.2%）和一次金属制品（2%）等品类带动下上涨0.3%。闪存（6.1%）、电动机（5.7%）和精炼铜制品（5.1%）等细分品类涨幅居前。 贸易数据显示，3月进口物量指数同比上升5.1%至113.92，进口金额指数上升1.8%至136.10；出口物量指数同比上升3.4%至121.18，出口金额指数上升0.9%至133.96。此外，净商品交易条件指数同比上升0.8%至92.53，实现连续21个月同比上涨，主要得益于进口价格（-3.2%）降幅大于出口价格（-2.4%）。收入贸易条件指数同比提升4.3%至112.13，反映出净交易条件指数和出口物量指数的同步改善。

POCO F7系列 【图片提供 小米】 小米集团旗下海外品牌POCO于28日宣布，将于下月在韩国推出POCO F7 Pro和POCO F7 Ultra两款新机型，这也是该系列产品首次登陆韩国市场。这两款手机凭借高端硬件配置和差异化定价策略，或将进一步影响韩国中高端智能手机市场的竞争格局。 性能方面，POCO F7 Pro搭载高通骁龙8 Gen3处理器，配备最高12GB内存和512GB存储空间，并采用LPDDR5X内存和UFS 4.0闪存技术，以提升多任务处理能力。该机型内置6000mAh电池，支持90W快充，并搭载Surge G1电池管理芯片和Surge P3充电芯片，以优化续航表现和充电安全性。 更高端的POCO F7 Ultra则采用高通最新旗舰芯片骁龙8 Elite，其单核性能跑分突破2100分，多核成绩超过6500分，性能表现位居安卓阵营前列。该机型容量充足，以满足高性能需求用户的使用场景。 两款机型均配备6.67英寸AMOLED屏幕，支持120Hz刷新率。其中，F7 Pro采用FHD+分辨率，峰值亮度达1800尼特，并覆盖康宁大猩猩玻璃7i以增强抗摔耐磨性；F7 Ultra则升级至2K分辨率，并支持自适应刷新率和HDR10+显示标准。此外，两款机型均搭载VisionBoost D7独立显示芯片，以优化游戏和视频播放的流畅度。 在影像方面，F7 Pro后置5000万像素主摄（支持OIS光学防抖）和800万像素超广角镜头，而F7 Ultra则采用三摄系统，包括5000万像素主摄、5000万像素2X长焦镜头（支持OIS）和3200万像素超广角镜头，进一步强化拍摄能力。 POCO F7 Pro提供黑、银、蓝三种配色，12GB+256GB版本售价约54.6万韩元（约合人民币2706元），12GB+512GB版本售价60.7万韩元。F7 Ultra则提供黑、黄两种配色，12GB+256GB版本定价71万韩元，16GB+512GB版本售价76万韩元。 行业相关人士指出，POCO此次在韩国市场推出的F7系列机型，在性能、屏幕和影像等方面均具备较强竞争力，其定价策略或将吸引对性价比敏感的中高端用户群体。随着该系列产品的上市，韩国智能手机市场的竞争格局可能迎来新的变化。

韩国银行（央行）21日公布的数据显示，2月生产者物价指数为120.33（2020年基准为100），环比上涨0.05%。自去年11月转为上涨以来，该指数已连续四个月保持上升趋势。 从商品涨跌率来看，农林水产品价格环比上涨0.4%，主要受农产品（3.6%）和水产品（1%）价格上涨影响；工业产品价格整体持平，其中计算机、电子及光学仪器（-0.7%）价格下降，而化学产品（0.3%）和初级金属产品（0.3%）等价格均上涨。 电力、天然气和水费价格整体持平。在具体品类中，鱿鱼（20.5%）、苹果（20.4%）、柑橘（14.7%）价格大幅上涨，而猪肉（-7.5%）、手机（-13.6%）、闪存（-4.3%）、国际航空游客（-3.4%）等价格则有所下降。 央行物价统计组组长李文熙（音）表示，存储半导体市场中，以通用产品为主的需求有所放缓，而手机价格则因新产品上市导致旧款价格下调。 生产者物价是衡量工业企业产品出厂价格变动趋势和变动程度的指数，是反映某一时期生产领域价格变动情况的重要经济指标。生产者物价指数变化的影响一般会在1至2个月之后反映到消费者实际购买物价上。 数据显示，包括进口商品在内的国内供应物价指数环比上涨0.2%。原材料因进口商品价格上涨3%，环比上涨2.4%；中间产品价格持平；最终产品价格则下降0.2%。 首尔一家大型超市内，市民正在选购蔬菜。【图片提供 韩联社】

中国凭借三轮高达6869亿元人民币的政府补贴，以及强劲的半导体内需，正在以惊人速度追赶韩国和美国等半导体强国。与韩国专注存储芯片不同，中国正在构建涵盖整个半导体生态系统的产业链。美国对7纳米以下制程所需的极紫外光（EUV）光刻机以及人工智能（AI）加速器所需的高带宽存储器（HBM）实施出口管制后，中国加快自主研发GPU和半导体设备，以减少对外依赖。 中国第一大DRAM企业长鑫存储（CXMT）快速扩大产能，导致韩国半导体产业遭到威胁。长鑫存储已量产17-18纳米制程的DDR4、LPDDR4X等主流DRAM，并成功投产12纳米级别的DDR5、LPDDR5X（低功耗存储）。2020年长鑫存储的晶圆月产量仅为4万片，但去年已增至20万片。相比之下，韩国的总月产量约为114万片（三星电子68万片，SK海力士46万片），由此可见长鑫存储正在迅速追赶。 此外，中国企业还通过低价策略引发存储芯片价格战。目前，中国制造的DDR4价格仅为韩国产品的一半，甚至比二手产品价格还低约5%。去年7月，通用PC DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的固定交易均价为2.1美元，今年1月已降至1.35美元，跌幅高达35.7%。长鑫存储的DDR5早期良率仅为20%，但经过持续优化，目前已提升至80%。 NAND闪存领域的技术差距也正在迅速缩小。长江存储（YMTC）本月已开始量产294层NAND闪存，而SK海力士和三星电子分别量产321层和286层产品。存储芯片的层数决定存储容量和密度，是关键竞争指标，中国企业已逼近韩国。长江存储受美国制裁无法获得荷兰ASML的EUV设备，导致产品在质量和稳定方面落后，但业内普遍认为，韩国企业仅能依靠在高端NAND市场的差异化竞争力来保持领先地位。 与韩国高度依赖出口不同，中国国内IT企业大规模采购本土芯片。华为早在2004年成立海思半导体，并成功研发自主应用处理器（AP）麒麟9000s，该芯片由中国晶圆代工厂中芯国际（SMIC）采用7纳米制程代工，最终用于华为Mate 60 Pro智能手机。华为在过去十年间已投入约1.2万亿元人民币进行半导体研发。 目前，业界对中国半导体技术水平评价不一。汉阳大学融合电子工程学系教授朴在勤表示，中国持续扩展DRAM和NAND市场份额，在主流市场凭借政府补贴的低价策略占据优势，韩国企业必须向高端市场转型，以确保竞争力。韩国产业研究院专家金杨澎（音）则认为，中国在主流市场的低价竞争扰乱半导体市场秩序，但韩国企业的整体竞争力尚未受到致命威胁。 实际上，中国针对韩国的高端芯片也已经发起挑战。目前，韩国企业在HBM市场占据主导地位，成为英伟达、超威等AI芯片巨头的主要供应商。中国则集中力量研究HBM带宽优化技术，以提升数据传输速率。汉阳大学教授白瑞仁（音）指出，韩国的研发侧重硬件制造，而中国则更加注重系统级应用，未来中国提升HBM领域的研发能力后，全球HBM市场格局可能发生变化。 面对美国的半导体设备出口管制，中国加快推进设备国产化。上海微电子已实现90-28纳米级别光刻机量产，并启动7纳米以下EUV光刻机研发。北方华创（NAURA）主攻刻蚀与沉积设备，中微半导体则研发等离子刻蚀设备。去年中国半导体设备国产化率目标为40%，多数研发资金来自国家集成电路产业投资基金。相比之下，韩国尚无光刻机制造能力。 【图片来源 GettyImagesBank】

据半导体业界11日消息，三星电子正在升级中国西安工厂工艺至286层（V9）NAND闪存，以应对市场低迷和来自中国半导体公司的竞争。 自2023年以来，三星一直在推动西安工厂的主流128层（V6）NAND工艺过渡至236层（V8）生产线，并决定进一步安装V9生产线。三星计划在今年上半年引进新设备，并在下半年建立一条每月产能为2000至5000片晶圆的生产线。 西安工厂是三星唯一的海外存储芯片生产基地，对全球供应链至关重要，约占三星NAND总产量的40%。升级至286层NAND工艺预计能显著提高该工厂的生产能力。美国拜登政府授予三星“经过验证的最终用户（VEU）”许可，三星得以能够在中国生产超过200层的NAND，继续使用先进的制造工艺。 与此同时，三星还在韩国国内扩展先进NAND工艺，并自2024年下半年起把400层（V10）NAND应用于平泽P1工厂量产线。三星电子表示，计划加速向236层和286层NAND的过渡，以确保长期的产品竞争力。 尽管取得上述进步，但三星预计今年第一季度每月产能为42万个NAND单元，较上一季度减少25%。这一减少反映出当前移动和PC市场需求低迷，受到价格上涨和利率上涨等经济因素的影响。然而，人工智能（AI）数据中心等行业的需求不断增长，促使三星等半导体公司更专注于高性能、高容量的NAND生产。 三星电子西安工厂全景【图片来源 三星电子】

继DRAM之后，中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）有望进军技术门槛更高的高带宽存储器（HBM）市场，这一动向让韩国存储芯片双雄三星电子与 SK海力士倍感压力。 尽管美国对华制裁仍在持续，但长鑫存储仍在快速提升技术实力。业内担忧，如果长鑫存储不仅继续扩大传统DRAM生产，还加速量产先进HBM产品，未来数年内，韩国存储半导体产业或将受到严重冲击。 据相关业界12日消息，长鑫存储正在为第二代HBM产品——HBM2进行设备投资。早在2016年，三星电子和SK海力士就已开始量产HBM2，尽管长鑫存储在时间上落后近10年，但由于HBM2规格已趋于标准化，业内专家认为中国厂商在该领域的研发进程可能会大幅加快。 半导体行业相关人士表示：“从技术研发速度来看，中国企业正迅速追赶韩国企业，这已经是不争的事实。与DRAM和NAND闪存相似，较旧的HBM由于设计已标准化，开发周期大幅缩短。但关键仍在于能否在1至2年内掌握稳定的量产技术。” 值得关注的是，长鑫存储在2020年后技术进步明显加快。根据中国市场研究机构前瞻产业研究院的数据，2020年中国国产DRAM在全球市场的占有率仍为0%，但截至2024年已上升至 5%。过去，韩国半导体业内普遍认为中国企业要实现DRAM量产至少需要10年以上，但现实发展速度已远超预期。 长鑫存储近期不仅在DDR4 DRAM领域站稳脚跟，还在DDR5研发上取得突破，引发市场对其未来大规模量产的担忧。市场调查机构TechInsights指出，长鑫存储生产的DDR5 DRAM关键制程线宽已接近三星电子和SK海力士，表明中韩两国企业在技术层面的差距正迅速缩小。 面对中国企业的快速崛起，三星电子和SK海力士正处于重要的战略决策节点。两家公司在DDR4 DRAM市场已受到中国企业低价竞争的冲击，而对未来 5 年的市场走势同样感到不安。 韩国KAIST（韩国科学技术院）电气电子工程系特聘教授柳会峻表示：“中国企业已经具备在三星、SK海力士推出新产品1年左右就能开发出样品的能力，但在大规模量产方面仍可能面临技术障碍。” 柳会峻指出，在标准化存储芯片市场，中国企业凭借成本和产能优势，韩国企业很难与之展开价格战，因此必须转变业务模式，拓展产品组合，以保持竞争力。他建议三星和SK海力士应聚焦于内存内处理（PIM）、计算快速链接（CXL）等定制化存储技术，以此寻找突破口。 他进一步解释道：“PIM本质上是‘定制化DRAM’，需要与客户建立紧密的合作伙伴关系，同时与工艺技术深度结合，而这正是韩国企业的优势所在。目前全球半导体市场正掀起人工智能（AI）热潮，韩国存储厂商可以通过PIM等定制化存储产品，在AI终端设备市场开拓新的增长机会。” 【图片来源 长鑫存储】

去年创下历史最高业绩的SK海力士预计将顺利完成原定于今年3月进行的英特尔NAND闪存业务收购的最后一笔资金交付。未来，SK海力士将接手英特尔NAND业务相关的知识产权（IP）以及中国大连工厂的运营权和员工。此次交易消除了不确定性，不仅吸收了生产设施，还包括技术和人员，这对公司是积极的。然而，考虑到特朗普政府可能在第二任期内加强对华经济制裁，以及NAND行业面临的市场困境，不应仅仅抱持乐观态度。 据半导体业界23日透露，SK海力士继2021年支付70亿美元完成第一次资金交付后，将于今年3月支付剩余的20亿美元，从而完成对英特尔NAND闪存、固态硬盘（SSD）业务的收购合并（M&A）。SK海力士相关人士解释称：“交易完成后，大连工厂的运营权将全面移交，从而实现业务的整体统一性。” 通过收购英特尔NAND业务，SK海力士克服了在该领域的劣势。此前，NAND闪存业务一直是SK海力士的“痛点”。海力士在DRAM领域一直紧随三星电子之后，保持第二的位置，但在NAND业务方面一直停留在第五位。但现在，海力士巩固了DRAM第二、NAND第二的位置，与三星电子一起形成了明确的存储半导体两强格局。 然而，业界对SK海力士收购中国工厂的前景持审慎态度，尤其是在特朗普政府加大对华经济制裁的背景下。由于特朗普总统一贯坚持对中国商品征收高关税的政策，这无疑增加了业务的不确定性。有分析指出，随着中国企业的快速发展，韩国半导体在全球市场的竞争优势可能会受到削弱。 半导体工程学会会长柳会峻对SK海力士收购英特尔一事表示：“特朗普政府推行的‘美国优先’政策可能产生影响。从长远来看，当中美关系缓和时，这或许会成为一个重要筹码，但当前更像是‘接了一个包袱’。” 特别是业内专家对中国工厂NAND闪存的增长性持负面展望。虽然普遍认为由于AI热潮导致数据中心扩充等，NAND闪存行业暂时需求会增加，但担心中国业务会成为绊脚石。 前韩国半导体产业协会副会长李昌汉评价说：“SK海力士短期内能否维持整体产量不确定，但在中国开展业务本身就具有一定风险。”他还指出：“仅靠现有的存储业务，在中国构建高端产品群很困难，只能进行补充现有产量的投资，很难进行尖端技术的新投资。” 在三星电子工作了30多年的嘉泉大学半导体大学院特聘教授金容晳表示：“SK海力士、三星电子等在中国生产的NAND闪存等即使在当地有一定市场，但最终也难以完全排除对美国的出口。虽然各有自己的判断，但如果特朗普持续对中国进行打压，那么用于工艺升级的设备引进也具有一定困难。” 他特别强调，特朗普政策带来的不确定性以及中国半导体企业的崛起是需要关注的长期变量。他指出：“随着中国企业逐渐提高存储生产能力，韩国半导体企业的全球市场地位可能会受到威胁。从长远来看，或许需要逐步减少对中国市场的依赖。” NAND行业展望也不乐观。有预测称，今年全球主要半导体企业将开始削减NAND闪存的产量。市场调查机构集邦咨询（Trend Force）表示，今年NAND闪存行业预计将面临因需求疲软和供应过剩导致的双重压力。对此，主要制造商正通过降低开工率和延迟工艺升级来实施减产，包括美光、三星电子、SK海力士（含Solidigm）、铠侠和西部数据等公司。 NAND制造商选择减产是因为市场行情持续恶化。受国内外不确定性扩大影响，智能手机和笔记本电脑等核心消费电子产品的出货量持续低迷。而企业级SSD市场也因IT投资放缓而增长受限。 此外，NAND价格从去年第三季度起开始下跌，今年上半年的需求前景依然悲观。中国存储企业的崛起也加剧了市场竞争。集邦咨询指出：“中国供应商借助国家替代政策积极扩大产量，全球市场竞争日益加剧。”据了解，美光、铠侠和西部数据已宣布削减产量，而三星电子和SK海力士也需要根据市场情况调整生产战略，以应对库存压力和技术升级的挑战。 SK海力士韩国京畿道利川总部【图片来源 韩联社】

SK海力士23日发布2024财年及第四季度财报显示，2024财年营收66.193万亿韩元（约合人民币3350.87亿元）；营业利润为23.4673万亿韩元，营业利润率35%；净利润为19.7969万亿韩元，净利润率30%；创下有史以来最佳年度业绩。 2024年总营收与此前最高纪录的2022年营收（44.6216万亿韩元）相比高出21万亿韩元以上，去年营业利润也超越2018年（20.8437万亿韩元）存储芯片市场繁荣时期的业绩。 去年第四季度营收为19.767万亿韩元，环比增长12%；营业利润为8.0828万亿韩元，环比增长15%；净利润为8.0065万亿韩元。去年第四季度营业利润率与净利润率均达到41%。 SK海力士解释称，去年第四季度呈现迅猛增势的HBM占据整个DRAM营收的40%以上，企业级固态硬盘（eSSD）销售也持续增加。在人工智能（AI）半导体需求强劲的情况下，公司凭借业界领先的高带宽存储器（HBM）技术实力和盈利为主的经营活动，成功实现历史最佳业绩。 截至2024年底，SK海力士的现金及现金等价物为14.2万亿韩元，同比增长5.2万亿韩元，债务为22.7万亿韩元，同比减少6.8万亿韩元。债务和净债务比率也分别大幅改善至31%和12%。 SK海力士预测，随着大型科技公司对AI服务器投资的扩大，AI推理技术的重要性也日益增加，因此高性能计算所必需的HBM和高容量服务器DRAM的需求会持续增长。同时在客户端产品市场预测部分库存调整的情况下，搭载AI的个人电脑和智能手机销售有望提升，预计下半年市场状况有所改善。 对此，公司计划今年增加HBM3E的供应量，并适时开发出HBM4，根据客户需求进行供应。与此同时，在需求稳定持续的情况下，为了提升DDR5和LPDDR5的生产竞争力，SK海力士计划推进所需的先进工艺转换。NAND闪存方面，公司计划继去年之后继续以盈利为主的运营和满足需求的灵活销售战略应对市场。 另外，SK海力士把固定年度股息从每股1200韩元上调至1500韩元，幅度达25%，并扩大现金股息全年总额至1万亿韩元规模。公司表示今后仅派发固定股息，把此前政策中包含的年度累计自由现金流（FCF）中5%的份额优先用于加强健全的财务结构。 SK海力士首席财务官（CFO）金祐贤副社长表示：“通过大幅提高高附加值产品销售比重，在市场状况调整时期具备较过去更能实现稳定营收和利润的业务结构，未来也会维持以盈利能力较强产品为主的投资，并根据市场情况进行灵活调整。“ 【图片来源 韩联社】