韩国半导体产业面临警告信号。中国的内存企业在D램和闪存技术追赶上加速发展。尽管三星电子和SK海力士在先进内存市场保持优势，但中国政府的全力支持和庞大的内需市场使得竞争愈发激烈。预计到2030年，中国的半导体竞争力将超越韩国。15日，业界消息称，韩国经济人协会对去年国内200家主要出口企业进行调查，预测到2030年中国的半导体竞争力将超过韩国。以韩国的竞争力为100，中国的竞争力预计将从去年的99.3提升至2030年的107.1。这意味着在短短五年内，竞争优势可能会发生逆转。不仅是半导体，调查还显示，韩国的显示器、造船、电气电子等十大主要出口行业都将落后于中国。这一预测与中国内存企业的最新动态密切相关。中国D램制造商长鑫科技（CXMT）正在推进下一代服务器用D램的‘4F²’技术，该技术将单元面积减少33%，并计划在今年内实现量产。这项技术能够在同一晶圆上生产更多芯片，从而降低制造成本。三星电子和SK海力士也在研究相关技术，但尚未确定商业化时间。CXMT是否能确保稳定的良率尚不确定。然而，如果成功量产，其对市场的影响将是显著的。随着AI数据中心投资的扩大，内存市场的供应短缺持续，如果中国D램的供应增加，供需失衡可能会比预期更快得到缓解。这也可能导致三星电子和SK海力士的内存繁荣提前结束。CXMT还在扩大与中国大型科技公司的合作。最近与腾讯签订了超过200亿人民币（约合4.1万亿韩元）的服务器用D램长期供应合同。阿里巴巴云、字节跳动、联想、小米等也是其主要客户。CXMT依托庞大的内需市场，稳固了销售渠道，并积累了产品验证经验。其内存业务领域也在逐步扩大。CXMT正在北京新工厂建设闪存研发（R&D）生产线。相反，中国闪存制造商长江存储（YMTC）也在向客户提供低功耗D램样品，考虑进入市场。此前分别负责D램和闪存的中国两大内存企业正在相互渗透各自的领域。在闪存市场，中国的追赶已开始显现。市场研究机构Counterpoint Research的数据显示，YMTC在2023年第二季度的全球闪存出货量市场份额为16.5%，位列三星电子和SK海力士之后，成为全球第三。尽管面临美国的半导体设备出口管制，YMTC依然凭借独特的堆叠技术‘Xtacking’增强了生产竞争力。YMTC不仅在智能手机和PC用闪存方面发力，还在进军AI数据中心企业级固态硬盘（SSD）市场。8月，该公司申请在上海证券市场上市，计划融资约330亿人民币（约合7万亿韩元），以用于生产设备扩充和研发投资。中国追赶的威胁性更在于政府层面的全力支持。中国政府通过巨额补贴和扩大国内半导体采购，支持企业的成长。即使在良率和成本竞争力上暂时落后于韩国企业，依然能够通过持续生产和销售提升技术水平。最近，曾任中国工业和信息化部部长的李乐成访问了CXMT，强调将半导体产业视为与国家安全直接相关的战略产业，并表示将给予全力支持。中国政府计划通过第十五个五年规划（2026-2030年）培育包括高密度内存在内的先进半导体技术及相关产业供应链。然而，目前仍存在至少2至3年的技术差距。CXMT需要证明下一代D램的量产良率，而YMTC则需扩大高附加值产品的比例并确保全球客户。三星电子和SK海力士也在全力开发高带宽内存（HBM）等先进内存技术，以保持技术优势。问题在于，普遍预期中国的追赶将愈加迅速。基于巨额资金和内需市场，如果中国企业扩大通用内存的供应，势必会对韩国企业的市场主导地位和盈利能力造成压力。相较于短期内的技术逆转，更需警惕的是中国持续的生产能力扩张可能改变全球内存市场的格局。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

据路透社15日报道，SK海力士正向美国政府申请出口许可，以便将美国制造的半导体生产设备额外引入其在中国的工厂，这一申请与其在美国的新工厂建设计划相关联。 报道指出，SK海力士的美国子公司索利达姆正在推动在中国大连工厂的闲置空间内安装设备，以增加闪存的生产能力。为此，索利达姆已向美国政府申请向大连工厂追加进口设备的出口许可。 消息人士向路透社透露，SK海力士将中国工厂的设备进口计划与美国的新工厂建设相结合。 SK海力士在2023年为大连工厂设立了“模块B”的生产空间，但由于当时内存市场的低迷，未能完成设备的安装。目前，该空间仅安装了一部分设备，仍有余地可供额外设备的引入。 目前，大连工厂使用的设备来自美国主要半导体设备制造商，包括兰瑞科技、应用材料和KLA。由于美国限制向中国出口先进半导体制造设备，因此额外设备的引入需要获得美国政府的出口许可。 美国商务部去年撤回了对SK海力士和三星电子在中国工厂引入美国设备时无需单独申请出口许可的例外批准。此后，商务部表示，将允许出口现有工厂运营所需的设备，但不允许用于扩大生产能力或技术改进的设备。2027年适用的额外设备进口许可尚未出台。 SK海力士在向路透社发出的声明中表示：“模块B的设备安装正在与美国政府密切协商，并获得政府的批准。”同时强调：“并不打算扩大2023年完工的大连模块B的生产能力。” 最近，特朗普政府要求SK海力士等外国半导体企业在美国建设工厂，以振兴美国制造业并增加就业机会。路透社上个月报道，索利达姆正在考虑在美国建设首个闪存工厂，纽约州北部被认为是有力的候选地。 半导体制造工厂的建设需要数年的时间和数十亿美元的投资。相关人士表示，中国的生产扩张将有助于索利达姆筹集美国工厂建设的资金。另有消息人士透露，索利达姆也在考虑尽早进行首次公开募股（IPO），通过筹集的资金用于美国工厂的建设。 由于内存半导体供应短缺，闪存市场表现强劲。TechInsights的沃尔特·昆表示，自2023年中期以来，闪存价格上涨了7倍，并预计未来几年将持续供应短缺。

SK海力士已明确其针对超越高带宽内存(HBM)的下一代内存市场的技术战略。随着人工智能(AI)推理市场的快速增长，内存间的数据传输成为新的瓶颈，SK海力士计划通过定制化HBM、高带宽闪存(HBF)和三维堆叠DRAM等技术，继续在AI半导体市场中保持领先地位。 SK海力士开发总裁安贤在10月14日于首尔江南区COEX举行的第28届半导体展(SEDEX 2026)主题演讲中强调：“为了实现AI基础设施的持续增长，必须超越单一内存性能的提升，优化整体内存层次。” 安贤在以“AI时代，内存技术的演变方向”为主题的演讲中指出，随着AI推理需求的快速增长，现有内存结构的局限性逐渐显现。他预测，到2030年，AI基础设施的规模将比今年扩大19倍。 他特别提到，过去计算单元与内存之间的速度差异是问题，而未来HBM、DRAM和固态硬盘(SSD)等不同内存层次之间的数据传输将成为新的瓶颈。因此，除了提升现有内存的性能外，还需要在各层之间引入新的内存技术。 首先，HBM将演变为根据客户的AI系统量身定制的产品。SK海力士正在开发HBM4E和HBM5等下一代产品，并准备在基础芯片上搭载客户所需的功能。 安贤表示：“标准型HBM和定制型HBM将并行发展，但从长远来看，定制化趋势将进一步扩大，我们已准备好具备多项核心技术以充分满足客户需求。” 在HBM之后，SK海力士提出了HBF和三维堆叠DRAM技术。HBF是将HBM的堆叠技术应用于闪存的下一代内存，SK海力士的开发目标是实现与同代HBM相比，数据传输带宽降低至一半，同时存储容量提高10倍以上。 HBF的标准化也在加速进行中。SK海力士与闪迪和谷歌等全球合作伙伴合作，于今年7月在开放计算项目(OCP)上公开了初步规格，计划在明年1月制定最终规格。安贤强调：“在AI时代，多个客户和合作伙伴共同定义规格并制定标准，建立生态系统是非常必要的。” 三维堆叠DRAM技术是将DRAM直接堆叠在图形处理单元(GPU)等计算半导体上，目标是将输入输出连接数量扩大数十倍，提高数据传输性能并降低功耗。 此外，下一代企业级SSD技术“存储下一代(Storage-Next)”也在开发中。通过重新设计闪存和控制器结构，计划将输入输出处理性能提高4至8倍，并与客户共同开发。 安贤表示：“我们并不只是将内存视为单一组件，客户的技术需求各不相同，我们将通过新的内存解决方案推动AI生态系统的持续增长。”

韩美半导体于13日（当地时间）参加在美国旧金山莫斯科尼中心举行的‘2026年半导体西部展（SEMICON West）’，通过人工智能（AI）半导体先进封装设备加强与全球客户的网络联系。 韩美半导体介绍了第六代高带宽内存（HBM4）核心设备‘TC本德4’和计划于明年推出的下一代‘宽幅TC本德’。宽幅TC本德是针对芯片尺寸增大的高规格堆叠与粘接工艺的下一代设备。 同时，韩美半导体还展示了‘微型焊接与视觉定位（MSVP）’。MSVP是一种能够从半导体封装的切割、清洗、干燥、检测、分拣到装载等全过程进行一体化处理的设备，广泛应用于DRAM、闪存、HBM、系统半导体、PCB和玻璃基板等多种工艺中。 在AI系统半导体2.5D封装领域，韩美半导体也发布了多款设备。包括三种2.5D TC本德和两种FC本德在内的五种设备，旨在扩大对全球代工厂及后道工序（OSAT）企业的供应。 韩美半导体相关人士表示：“我们正在扩大对AI系统半导体2.5D封装市场的供应，并将在美国市场上加速AI半导体需求和制造投资的背景下，进一步加强与客户的合作。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子于12日（当地时间）作为最高级别的钻石赞助商参加了'OCP全球峰会2026'，发布了提升人工智能（AI）基础设施性能的下一代内存和存储技术战略及全球合作成果。 据业界消息，三星电子在此次活动中提出了三大技术方向：△第8代高带宽内存（HBM5）及定制HBM等高性能内存 △基于CXL的内存扩展技术 △利用下一代SSD的数据存储和管理技术。 心浩俊常务在主题演讲中介绍了以速度、内存扩展性和数据持久性为核心的技术战略。他强调：“为了应对日益庞大的AI模型和推理数据的增加，内存带宽的扩展、容量的保障和数据管理技术至关重要。” 同时，三星电子还展示了与全球企业的技术合作成果。三星电子与AMD共同演示了基于CXL的内存扩展解决方案，提出通过CMM-D基础的内存池技术灵活扩展AI系统的内存容量。 在展会现场，还设有两个专门区域，供参观者体验下一代内存技术。展出内容包括HBM4E、HBM5概念模型、LPDDR5X-PIM等高性能、低功耗内存，以及2纳米GAA晶圆、Grok LPU晶圆、NVIDIA Grok3 LPX系统等，全面展示了三星电子在晶圆代工和封装方面的综合技术实力。 根据市场调研机构的数据，三星电子在2023年第二季度的全球DRAM市场份额为39%（Counterpoint Research），NAND闪存市场份额为29.3%（TrendForce），均位居第一。 另一家市场调研公司Omdia预测：“今年三星电子的DRAM和NAND晶圆生产量将达到行业最高水平。”

美国国会近日表示，三星电子和SK海力士在中国的半导体生产设施可能成为美国供应链的风险因素。对此，中国方面认为，美国可能会施压盟国企业减少在华生产。 10月1日，中国媒体观察者网报道，美国众议院中美战略竞争特别委员会主席约翰·穆伦纳（共和党·密歇根州）最近向国务卿马克·鲁比奥发出信函，指出“美国对半导体盟国的要求正在发生变化”。 穆伦纳在信中表示，他对韩中关系的改善表示担忧，认为韩国企业在中国的半导体生产设施可能使美国供应链受到中国的压力而变得脆弱。 他特别提到三星电子在陕西省西安的工厂和SK海力士在江苏省无锡及辽宁省大连的工厂。这些工厂是两家公司主要的内存生产基地。市场调研机构TrendForce估计，去年三星电子在中国的NAND闪存生产量约占其总产量的30%至35%。SK海力士的DRAM生产中约有35%至40%以及NAND生产中40%至45%来自中国。 观察者网分析认为，三星电子和SK海力士作为美国人工智能（AI）和数据中心供应链的核心企业，其在中国的显著内存生产能力开始引起美国的关注。 此前，美国对中国的半导体政策主要集中在阻止中国获取先进的半导体制造设备。然而，未来可能会将盟国企业在中国的生产设施本身视为供应链风险，并要求降低对中国的依赖。 美国对三星电子和SK海力士在中国工厂的设备进口政策已经收紧。美国政府在2023年将这两家公司的中国工厂指定为出口管制例外的“验证最终用户”（VEU），允许在不需特别许可的情况下进口除极紫外（EUV）光刻设备外的大部分美国设备。 然而，去年VEU地位被取消，转而采用每年审查和批准所需设备进口数量的方式。观察者网指出，这使得两家公司必须每年获得美国的批准，无法再享受长期的出口管制例外。 观察者网预测，如果这一趋势持续，未来美国的压力可能不仅限于阻止中国获取先进设备，还可能逐步减少三星电子和SK海力士在中国的生产能力。 不过，由于这两家公司在中国建立了数十年的大规模生产设施，短期内迁移生产基地并不容易。此外，美国对韩国制造的内存半导体在人工智能和数据中心等领域的依赖程度也较高，这也是一个变数。 穆伦纳不仅对半导体问题表示担忧，还对近期韩中关系的改善表示关注。他提到，去年中国国家主席习近平时隔11年访问韩国，以及今年初韩国总统李在明时隔6年访问中国，认为韩中领导人的交流正在迅速扩大。 他还提到阿里巴巴和Temu等中国电子商务企业在个人信息保护、消费者保护、网络安全和产品安全等问题上的表现，认为韩国当局对中国企业的监管相对宽松。 穆伦纳要求国务院在本月底前就韩中关系的整体情况进行简报。 韩国外交部在回应对此信的询问时表示，无法具体评论，但强调韩美同盟是韩国外交政策的基础，双方在多个领域不断发展同盟关系，韩国监管机构对在国内经营的所有企业都给予公平对待。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士的美国子公司索利达姆计划最早于明年在美国证券市场进行首次公开募股（IPO）。上市时预计将筹集最多150亿美元（约20万亿韩元）的新资金。 路透社于25日报道，索利达姆最近与主要全球投资银行召开了关于选择IPO承销商的提案会议。索利达姆的企业价值预计将达到1500亿美元（约204万亿韩元）。如果上市成功，将成为2023年ARM或今年的Cerabras上市以来规模最大的半导体IPO。 索利达姆成立于2021年，当时SK海力士以约90亿美元（约10万3千亿韩元）收购了英特尔的NAND闪存和固态硬盘（SSD）业务部门。收购初期，由于内存市场低迷和整合成本增加，索利达姆曾记录大规模亏损，被视为SK海力士的财务负担。 然而，随着全球大型科技公司对人工智能（AI）数据中心投资的激增，索利达姆成功实现了反弹。AI服务器需要快速处理和存储大量数据，索利达姆拥有的企业级SSD（eSSD）技术成为其核心竞争力。尤其是在超大容量QLC基础的eSSD市场，独特的技术能力加速了业绩改善。 此次上市计划被解读为为了抢占快速增长的AI半导体市场主导权，提前筹集大规模资金的战略。最近，全球AI基础设施竞争加剧，服务器用超大容量NAND供应短缺现象加剧。通过提前投资，大幅提升生产能力，扩展市场份额。 索利达姆计划通过公开募股筹集最多20万亿韩元的资金，进行下一代eSSD技术开发和生产基地的重大投资。它正在考虑在美国纽约州等地新设NAND闪存生产和研究基地。 这对母公司SK海力士也将是一个重大利好。此次上市将为其摆脱收购时所承担的大规模债务和财务负担提供机会。通过上市后新股发行和旧股销售，将有大量现金流入，极大改善SK海力士集团的财务健康。投资能力的显著增强将使其在下一代内存领域的研发（R&D）执行变得更加容易。 这也是巩固AI内存领导地位的契机。SK海力士在高带宽内存（HBM）领域主导DRAM市场，而索利达姆的上市将使其在eSSD领域的竞争力得到外界的正式认可。这证明了在AI半导体的两个主要领域——DRAM和NAND闪存，SK海力士已建立了独占的市场地位。 业内人士表示：“索利达姆在美国上市将证明收购英特尔NAND业务部门是一个‘神来之笔’。如果IPO成功完成，SK海力士将同时在AI半导体的各个领域获得独特的资金实力和技术领导地位。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

全球人工智能（AI）基础设施投资热潮持续升温，市场规模预期大幅上调，全球半导体产业正迎来前所未有的高速增长周期。韩国进出口银行海外经济研究所20日发布的报告显示，受人工智能驱动的存储芯片需求爆发拉动，今年全球半导体市场全年规模有望突破1.6万亿美元，较今年5月发布的第二季度展望预测值上调幅度超过60%，市场总规模将达到去年的两倍。 此前，行业普遍预期全球半导体市场要到2030年才会突破1万亿美元大关，这一时间表如今已被大幅提前。报告指出，推动市场预测大幅上调的核心动力，来自美国、中国超大规模数据中心运营商的AI基础设施投资持续加码，AI处理与存储的数据量呈现指数级增长，直接拉动存储芯片需求和价格同步走高。 从细分品类来看，此轮半导体市场增长由存储芯片全面主导。报告预计，今年全球存储芯片市场规模将同比扩大至4倍，达到8865亿美元，在整体半导体市场中的占比将从去年的30%攀升至55%，高于此前第二季度报告预测的50%。 其中，DRAM市场规模预计达到5190亿美元，为去年的3.4倍；NAND闪存市场规模预计达到3600亿美元，为去年的4.9倍。DRAM全年增速预期从此前预测的147%上调至250%，NAND闪存增速则从300%上调至395%。 截至上月底，行业代表性产品通用DRAM现货价格达到25美元，NAND闪存价格达到30.5美元，较去年同期分别上涨至4.4倍和9倍。报告特别指出，NAND闪存市场的增长表现尤为突出，背后核心逻辑是AI产业的发展重心正快速从前期的大模型训练，转向大规模落地的推理应用，除DRAM、高带宽内存（HBM）之外，用于承载海量AI数据存储的NAND闪存，产业重要性正在持续提升。 报告还预计，存储芯片价格将在明年之后逐步趋稳。通用DRAM价格上涨趋势将持续至今年年第四季度，明年上半年保持高位平稳，下半年进入下行通道；NAND闪存价格上涨将持续至明年第一季度，此后全年将基本维持稳定。即便存储芯片价格后续进入持平或小幅调整阶段，在AI带来的结构性刚性需求支撑下，全球半导体市场整体增长态势不会中断，到2030年，全球半导体市场总规模仍有望达到约2万亿美元。 针对近期AI行业部分人士提出的“放慢发展速度”的技术风险讨论，市场普遍判断全球AI开发竞争非但不会降温，反而将进一步加速。报告同时提到，当前全球头部科技巨头已与三星电子、SK海力士等核心存储芯片企业签署为期3至5年的长期供货协议，这将大幅平滑产业供需波动，未来半导体行业传统的强周期特征将明显缓和。 业内人士表示，尽管市场出现“AI减速论”的相关讨论，但全球头部科技企业的数据中心投资、AI服务落地普及进程仍在持续加快，短期内存储芯片行业的高景气度不会出现明显逆转。

今年，上市交易所基金（ETF）市场中，债券混合型产品的受欢迎程度显著上升。特别是KB资产运用在2月份推出的“RISE三星电子SK海力士债券混合50”在上市仅4个月后，净资产超过4万亿韩元，成为国内债券混合型ETF中的第一名。 在与《亚洲经济》的采访中，陆东辉强调，在ETF投资中，首先要考虑的是“如何构建资产结构”，而不是“买什么”。他指出，与其寻找收益率最高的产品，不如先设定5年或10年后的资产规模，并根据这一目标组合ETF。 7月股市暴跌后投资者认知转变……ETF成为资产管理工具 陆东辉对准备开始ETF投资的个人投资者表示：“如果认为要买涨幅最大的ETF，投资就会变得困难。”他建议：“与其思考什么会涨得最多，不如考虑自己拥有的资金和账户在5年、10年后希望达到的规模，构建这样的结构更为重要。” 他解释说，先设定目标后，可以反向设计投资对象。如果假设当前有100，希望达到120，那么目标就是20。选择符合这一目标的ETF，投资方式自然会有所不同。 这种投资方式的变化在最近的ETF市场中也有所体现。过去，投资者通常选择收益率高的特定主题或行业，而如今越来越多的投资者开始将ETF作为管理自己资产的工具。 尤其是7月股市暴跌加速了投资者认知的转变。他指出，越来越多的投资者开始考虑代表性指数、股息和资产配置等，而不仅仅集中于人工智能（AI）和半导体等特定主题。他表示：“资产不会仅在这一年内运作，因此每当市场波动时，长期投资者似乎越来越多。” 今年债券混合型ETF的热销也被解读为对资产配置关注度提升的结果。由于可以同时包含股票和债券，既能抓住股票上涨的机会，又能降低波动性，因此养老金投资者的需求正在增加。KB资产运用也在构建包括债券混合型、月度分红和以代表性指数为基础的多种产品。陆东辉在关注资产、投资组合和投资者偏好的同时，强调：“最基本的是以投资者为先。” ETF市场将进一步扩大……养老金和机构投资者的投资基础扩大 这种变化预计将成为扩大ETF市场外延的因素。陆东辉认为，ETF市场仍有很大的增长潜力。投资者开始将ETF视为资产管理工具，而养老金和机构投资者对ETF的使用也有可能扩大。 他特别指出，在确定缴费（DC）型退休金和个人型退休金（IRP）中，仍有许多投资者选择存款等本金保障型产品。未来，如果确定给付（DB）型资金以及养老金、共济会等机构投资者对ETF的使用扩大，市场规模可能会进一步扩大。 陆东辉表示：“如果企业每年为了获得5%或7%的收益而进行运作，那么投资工具将是ETF。”他指出，养老金、共济会或一般企业的机构资金也在逐渐扩大对ETF的投资，因此考虑到这一点，市场规模不仅可以达到500万亿韩元，甚至1000万亿韩元也不是问题。 随着ETF市场的增长，陆东辉将AI视为下半年投资的关键词。他认为，投资者应关注在AI行业发展过程中出现的供需不足或瓶颈现象，而不仅仅是看到“AI”这个名字就投资。 陆东辉表示：“如果问下半年的关键词是什么，目前仍然是AI。”他指出，在AI产业发展过程中，出现瓶颈的领域往往会伴随股价上涨。他补充说：“由于内存不足，股价上涨，图形处理器（GPU）和中央处理器（CPU）也可能类似。”他表示，投资者应考虑现在需要什么产品，并计划在下半年推出新产品。 KB资产运用本月在国内首次推出专注于全球NAND闪存价值链的“RISE全球AI NAND闪存半导体”新产品，这也是基于这一判断。随着AI处理的数据量迅速增加，预计对存储数据的NAND闪存的需求也将结构性扩大。该产品的特点是将韩国、美国和日本上市的相关股票纳入投资，覆盖全球NAND价值链。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

在人工智能（AI）与高性能计算（HPC）需求持续拉动下，全球晶圆代工市场第二季度营收再创历史新高。台积电市场份额稳居七成以上，龙头地位不改；三星晶圆代工守住第二位，但被中芯国际逼近，双方份额差距已收窄至0.5个百分点。 市场调研机构TrendForce于10日发布数据显示，今年第二季度全球前十大晶圆代工企业合计营收约534.9亿美元，环比增长11.5%，再刷历史纪录。 TrendForce分析指出，AI、HPC处理器对先进制程产能的需求持续紧俏，电源管理芯片（PMIC）、功率分立器件等AI周边芯片需求同步走高；电视、个人电脑、笔记本电脑等消费电子供应链提前备货，也令部分成熟制程产能趋紧，多重因素共同拉动整体市场增长。 台积电第二季度营收为402亿美元，环比增长12.1%，市场份额达72.5%，继续稳居全球首位。AI服务器用GPU及XPU需求保持强劲，5纳米、4纳米、3纳米先进制程产能已被客户订单占满。同时，新款iPhone前期备货需求为营收提供支撑，2纳米制程首次贡献营收，晶圆出货量与平均销售价格（ASP）均较第一季度上升。 三星晶圆代工位居第二，第二季度营收为32.6亿美元，环比增长1.8%。包括高带宽存储器（HBM）基础裸片在内的先进制程新订单逐步增加，5纳米及以下制程代工价格亦有所上涨；但受竞争对手增速更快影响，其市场份额降至5.9%。 排名第三的中芯国际则加速追赶，第二季度营收环比大增20%，突破30亿美元，市场份额升至5.4%，与三星的差距缩至0.5个百分点。PC、笔记本电脑等消费电子供应链提前备货，加上AI周边IC、服务器网络产品订单增加，成为中芯国际营收增长的主要动力；存储芯片供应短缺也带动NAND、NOR闪存代工需求与价格上扬。 联华电子（UMC）以3.9%市场份额保持第四位，第二季度营收为21.8亿美元，环比增长12.7%。受益于PC、笔记本及部分消费电子产品提前备货，以及FPGA等服务器相关产品订单增加，8英寸晶圆产能利用率也明显回升。 格芯（GlobalFoundries）位居第五，第二季度营收为17.9亿美元，环比增长9.3%，市场份额3.2%；消费电子客户采购需求回升，叠加电源IC、跨阻放大器（TIA）、驱动芯片等AI及服务器周边零部件需求增加，带动出货量与ASP双升。 华虹集团营收超过12.7亿美元，环比增长3.5%，位居第六；高塔半导体（Tower Semiconductor）营收增长11.2%至4.6亿美元，排名第七；世界先进（VIS）营收增长13.8%至4.51亿美元，重返第八位。晶合集成（Nexchip）第二季度营收增长6.4%至4.47亿美元，但排名降至第九；力积电（PSMC）营收增长11.9%至4.32亿美元，位列第十。 TrendForce预计，今年第三季度全球晶圆代工市场仍将保持增长。受成熟制程产能吃紧及晶圆价格上涨预期影响，消费类IC设计企业投片量预计维持稳定；叠加旗舰智能手机进入季节性增产期，以及新一代AI、HPC平台产量提升，晶圆代工市场营收有望进一步走高。