三星电子把中国定位为全球供应链的核心枢纽和重要合作市场，围绕半导体、显示器、汽车电子等主力业务同步构建生产和需求基础。 韩国金融监督院30日电子公告显示，三星电子以半导体、显示器和汽车电子业务为中心的在华营收超过28万亿韩元（约合人民币1387.86亿元）。在全球供应链重组加速的背景下，中国依旧是三星电子生产、研发、销售网络中不可或缺的重要支柱。 今年上半年，三星电子在中国市场实现营收28.79万亿韩元，占总营收的18.7%，按国家统计中国依旧是最大市场之一。三星在华共运营29家非上市子公司，构建涵盖生产、销售、研发的完整体系。 三星在中国市场的核心是位于西安的NAND闪存生产法人（SCS）。这座自2014年投产的工厂经过多次扩建，已成为三星电子海外最大单一投资项目。西安生产的V-NAND供应全球服务器和SSD市场，与韩国平泽、华城工厂共同构成存储芯片业务的三大支柱。 显示器部门以苏州和天津为中心运营OLED模组工厂。三星显示在2020年底完成LCD产线撤出后转向OLED业务，中国与越南一同成为智能手机面板供应的两大基地。 负责汽车电子业务的哈曼在华增长势头明显。上半年全球汽车产量同比增长2.3%，其中中国产量占比扩大，带动哈曼数字座舱等汽车电子产品需求。与本土整车厂商的合作扩大也对哈曼业绩改善起到积极作用。 负责家电和移动业务的设备体验（DX）部门则从生产转向以销售为主。在北京、苏州、香港等地设有销售法人，以高端电视、家电、智能手机为中心开拓本土市场。天津、惠州产线撤出后，三星顺应中国消费群体和销售网络，集中实施高端市场主攻战略。 此外，三星电子还在北京、南京、广州、深圳、西安等五地运营研发组织，与本土技术生态系统开展合作，超越单纯生产基地，强化研发测试功能。 业内认为，凭借此次APEC工商领导人峰会，三星在华角色可能会再次受到关注。包括三星电子会长李在镕和英伟达CEO黄仁勋在内的全球半导体、AI行业人士大规模出席峰会，随着半导体、AI、供应链合作等议题展开讨论，三星中国业务在未来全球战略中的定位也备受关注。

据SK海力士29日消息，经初步核算，今年第三季度公司营业利润达11.3834万亿韩元（约合人民币564亿元），同比增长61.9%。同期销售额为24.4489万亿韩元（39.1%），净利润达12.5975万亿韩元（119%），净利率高达52%。至此，SK海力士仅用一个季度便刷新第二季度创下的销售额（22.232万亿韩元）与营业利润（9.2129万亿韩元）最高纪录。 SK海力士方面表示，这一业绩成果主要得益于DRAM与NAND闪存价格上涨以及人工智能（AI）服务器的高性能产品出货量增加。值得一提的是，营业利润首次突破10万亿韩元，创公司成立以来的最高纪录。截至第三季度末，现金性资产环比增加10.9万亿韩元，达到27.9万亿韩元。借款规模维持在24.1万亿韩元，成功转为净现金3.8万亿韩元的财务结构。 SK海力士预测，随着AI市场转向以推理为中心，逐步出现将AI服务器运算负担分散到普通服务器等多种基础设施的趋势，这将推动高性能DDR5、企业级SSD（eSSD）等整个存储器领域的需求扩张，此外，包括“星际之门（Stargate）项目”在内的主要人工智能企业近期纷纷签署战略合作伙伴关系，并相继公布AI数据中心扩建计划，这一趋势同样被视为利好信号。 SK海力士预计，此趋势将带动高带宽存储器（HBM）及一般服务器用内存等多领域的均衡需求增长。公司计划加速向最先进的第六代10纳米级（1c）工艺转换，完善涵盖服务器、移动及图形等的全系列DRAM产品线，以扩大供应、满足客户需求。NAND闪存方面，计划扩大全球最高堆叠层数的321层TLC、QLC产品的供应，以应对市场需求。公司透露，目前DRAM与NAND闪存全线产品的客户需求已落实至明年。 同时，SK海力士已与包括NVIDIA在内的主要客户完成明年HBM供货协议，并于上月成功开发出第六代高带宽存储器（HBM4），计划自第四季度起正式出货。该产品满足客户所有性能需求，具备业内最高速传输能力。 此外，为应对不断增长的AI存储需求，SK海力士已提前启用清州M15X新工厂，旨在快速扩大产能并加速先进制程转换。公司计划明年投资规模将较今年有所增加，并持续维持符合市场状况的最优投资策略。

全球半导体市场进入“超级周期”的信号正在各处显现，业界普遍预测，三星电子与SK海力士明年的全年营业利润或突破60万亿韩元（约合人民币3010亿元）。全球晶圆代工龙头企业台积电（TSMC）在公布第三季度业绩时表示，生产能力已经不足以满足快速增长的人工智能（AI）需求。此前三星电子也公布超出市场预期的第三季度业绩，引发业界对于半导体需求远超预期的分析。 台积电董事长魏哲家在16日的第三季度财报会议上表示：“AI需求依旧强劲，比三个月前预期的更高。无论前段工序还是后段封测，AI芯片生产能力都非常紧张。”他预计，截至2026年，AI相关产能都难以完全满足市场需求，因此未来几年资本支出或维持高位。 台积电今年第三季度营收达9899亿新台币，净利润4523亿新台币，均创下季度历史新高，分别同比增长30.3%和39.1%。在AI带来的超高性能芯片需求下，台积电几乎垄断先进制程市场，即使持续进行大规模资本投入，也难以满足市场的强劲需求。魏哲家强调：“我们从客户方直接感受到强烈的需求信号，这表明AI的长期趋势正在从结构上推动增长。” 随着AI芯片需求的爆发式增长，供应高带宽存储器（HBM）等产品的三星电子与SK海力士业绩前景愈加乐观。三星电子第三季度实现营业利润12.1万亿韩元，远超市场预期。今年全年营业利润市场共识（券商平均预测）在过去一个月内从46万亿韩元飙升至60万亿韩元。 KB证券预计，三星电子今年营业利润或达64.2万亿韩元，有望创下自2018年（58.8万亿韩元）以来的最高纪录。KB证券表示，2026至2027年，DRAM市场可能面临严重供应短缺。过去三年HBM为主的投资导致DRAM新增产能受限，加上NAND闪存的减产策略，整体产能下降，再叠加一般服务器的更新需求，存储芯片供不应求与价格上涨预计持续。 三星电子作为全球DRAM产能第一的企业，可能成为此次供应短缺与价格上涨的最大受益者。三星第五代HBM（HBM3E）即将正式向主要客户供货，第六代HBM（HBM4）也即将开始量产，明年HBM营收有望较今年增长三倍。未来资产证券预测，三星电子明年营业利润或达68.9万亿韩元，随着代工业务的良性发展与良率提升，折价可能逐步消除。 HBM市场占有率全球第一的SK海力士今年营业利润共识也在一个月内从48万亿韩元上调至54万亿韩元。该公司今年第一季度首次登顶全球DRAM市场份额第一，第二季度成为整体存储市场第一。目前SK海力士DRAM总产能远低于三星电子，但凭借高附加值的HBM产品实现领先。 韩亚证券预计，SK海力士今年营业利润或达62.9万亿韩元，并分析称SK海力士的竞争优势依旧稳固，作为AI时代的关键企业，在HBM领域稳居全球第一。HBM的重要之处在于缓解存储产业固有的周期性波动。与每季度协商价格的标准DRAM不同，HBM采用按年签订供货与价格合同的模式，波动性更低。业内认为，即使三星电子快速扩大HBM市场份额，SK海力士的整体供货量增加也足以支撑业绩持续增长。

据《日本经济新闻》1日报道，在去年全球71个主要商品和服务领域的市场份额调查中，韩国企业在其中四个领域保持全球第一，与前一年持平。 韩国夺冠的领域包括DRAM半导体、NAND闪存、OLED面板、超薄电视四个尖端技术产业，并且第一名均由三星电子获得，第二名也由SK海力士、LG显示、LG电子等韩国企业占据。 在DRAM半导体领域，三星电子以41.1%的市场份额排名第一，SK海力士以33.8%紧随其后。两家公司合计占有74.9%的全球市场份额，显示出韩国企业正在主导全球DRAM市场。 在NAND闪存市场，三星电子和SK海力士分别以34.8%和21.3%的份额位居前两位。在OLED面板领域，三星电子以41.7%位居第一，LG显示以23.8%排在第二。在高端家电代表产品超薄电视市场，三星电子以16.3%居首，LG电子则以14.6%紧随其后。 从国家来看，韩国以4个项目排名全球第四，仅次于美国（27个）、中国（18个）和日本（9个）。 美国在生成式人工智能（AI）、图形处理器（GPU）、云服务等未来技术领域占据首位；中国则在通信基础设施、电动汽车电池、造船等国家战略产业领域保持较高份额。 另外，中国在15个领域的市场份额出现下滑。在监控摄像头市场，中国前四大企业的合计份额由2023年的52.5%降至2024年的49.9%，下滑2.6个百分点。 《日本经济新闻》分析认为，中国企业份额下滑主要受到美国对华限制措施的影响。此外，中国房地产泡沫破裂导致内需市场低迷，也削弱中国企业的竞争能力。

美国政府突然收紧对三星电子和SK海力士在华工厂的设备出口许可，韩国芯片行业忧心加剧。分析认为，这不仅是对韩国企业在华先进制程升级的阻断，还可能削弱企业的全球竞争优势，最终导致在中美博弈中承受“双重打击”。 美国商务部当地时间8月29日宣布，撤销此前授予三星、SK海力士及英特尔在华工厂的“经验证最终用户”（VEU）资格。自明年1月起，相关企业如果要向中国工厂引进美国设备，必须逐案审批。业内解读，这一措施实质上等于切断韩企在华设备更新通道。 三星与SK海力士在华投资巨大，三星西安工厂承担公司全球NAND产能的大约四成，SK海力士无锡工厂贡献公司DRAM产能的四成，大连工厂也占据NAND产量的近两成。两家公司在华累计投入已达数十万亿韩元，业内人士直言：“工厂撤离几乎不可能，现在连升级之路也遭切断，经营不确定性和额外成本可能不断上升。” 如果无法引进最新设备，韩企在华工厂恐怕被迫停留在老旧产品产线，产能占比又高达整体的四成。与此同时，设备供应延误也可能带来良率下滑和生产受阻。全球核心半导体设备大多由美国企业主导，韩国本土设备厂商同样难以摆脱影响。 反观中国半导体企业则可能借机受益。长鑫存储（CXMT）今年产量预计同比增长逾五成，市场份额有望从第一季度的6%升至第四季度的8%。专家警告称，如果美方措施未同步限制中企，恐怕出现“韩国企业受损，中国企业扩张”的局面。 数据显示，三星中国法人上半年营收已出现大幅下滑，其中三星中国半导体（SCS）下降36.4%，上海三星半导体（SSS）下降22%。 美国总统特朗普提出的“半导体100%关税”尚未明朗，近期又传出美国或以补贴为手段推动对三星的股权介入，引起外界高度关注。与此同时，中国强烈谴责美方举措严重破坏全球半导体产业链，并誓言采取必要措施维护企业利益。 韩国产业通商资源部回应称，已向美国政府强调韩国企业在华工厂的稳定运营对于全球半导体供应链的重要程度，并表示继续与美方保持紧密协商。

近年来，美国持续对中国半导体企业施加制裁与高额关税，然而中国半导体产业的崛起势头并未因此放缓。在政府大规模补贴与强劲内需市场的双重支撑下，长鑫存储（CXMT）、长江存储（YMTC）及中芯国际（SMIC）等龙头企业正加速推进技术自主化进程。以“超差距技术”为傲的韩国半导体行业，虽仍在全球存储器市场占据主导地位，但随着中国企业追赶速度超出预期，正面临日益严峻的竞争压力。 成立于2016年的长鑫存储，仅用数年凭借低价DDR4产品在全球通用存储器市场崭露头角。DDR4产能从2022年的每月7万片迅速扩张至2023年的20万片，对三星电子、SK海力士及美光等传统巨头构成实质性压力。这一迅猛发展甚至引发“鲶鱼效应”，促使部分领先企业相继宣布退出DDR4生产领域。然而，今年长鑫存储突然调整战略，宣布停止DDR4生产，转而全力投入人工智能核心存储器HBM（高带宽存储器）的研发与制造。业界普遍分析认为，长鑫存储将在华为“昇腾”AI芯片的HBM3供应中承担关键角色。 长鑫存储的产能扩张路径引发广泛关注。在两年内实现从月产7万片到20万片的跃升后，又果断停产转型，充分反映出半导体产业格局的剧烈变动。就技术代际而言，三星与SK海力士已进入HBM3E量产阶段，而长鑫存储目前仍处于HBM2向HBM3过渡的初期，存在至少两代的差距。然而，中国去年仅凭借HBM2就占据全球四分之一产量，这一事实已对韩国企业构成不容忽视的市场威胁。 中国NAND闪存龙头企业长江存储，则通过提升设备国产化率有效应对美国制裁。金融机构摩根士丹利发布的数据显示，中国晶圆厂设备整体国产化率约为18%，而长江存储已达到45%的高水平。这一成果得益于其在蚀刻、沉积等关键工艺环节与中微半导体（AMEC）、北方华创（Naura）等本土设备企业的深入协作。尽管初期良率问题和成熟工艺产能过剩仍是潜在风险，但在国家集成电路产业投资基金（大基金）的持续支持及人工智能需求快速增长的背景下，战略价值已远超实际产能数值。预计今年年内，长江存储将启动首条完全采用国产设备的生产线。若顺利投产，其年产量有望实现翻倍，全球市场份额或突破15%。 中国最大的晶圆代工企业中芯国际同样未受美国关税政策明显冲击。今年第二季度，该公司实现营业收入22亿美元，同比增长16.2%，产能利用率高达92.5%，除研发产线外基本处于满负荷运转状态。在华位居第二的华虹半导体同期表现同样亮眼，实现营收5.661亿美元，同比增长18.3%，产能利用率达108.3%，创历史新高。 坚实的本土市场需求及对东南亚地区的出口增长，有效缓解了外部关税压力。中芯国际84.3%的营收来源于中国内需市场，仅12.9%依赖美国；华虹半导体亦83%的收入来自内需，美国市场占比降至9.4%，显示出“以内需市场为根基”的战略成为应对国际风险的重要缓冲机制。 目前，三星电子与SK海力士仍稳居全球存储器市场前两位。其中，SK海力士凭借HBM3领域的技术优势，已成为英伟达等国际科技企业的重要供应商。然而，中国企业通过差异化路径加速追赶，长鑫存储聚焦HBM战略，长江存储持续推进设备国产化，中芯国际则依托内需市场保持高负荷运转。尽管韩国企业仍掌握全球半数以上市场份额，但在政府政策扶持与庞大内需驱动下，中国正在构建具有自身特色的竞争力体系。 中国半导体崛起的核心逻辑体现为“政府主导、内需驱动、以速度取胜”，而韩国的优势则建立在“全球技术领先、客户网络广泛、产业链生态完整”的基础之上。然而，中国在技术差距缩小方面表现出的惊人速度，已成为韩国半导体产业面临的最严峻挑战。业界专家指出，未来五年将成为韩国半导体发展的关键分水岭。为维持技术领先地位，韩国不仅需在HBM和AI芯片等先进工艺领域持续突破，更要在材料、零部件与设备等全产业链环节不断创新。 美国的制裁未能阻挡中国半导体崛起的步伐，这已成为不争的事实。国半导体行业若欲坚守全球领先地位，亟需突破原有成功模式的局限，积极探索新的发展战略与路径。

据SK海力士25日消息，公司目前已经成功开发并量产全球首款321层2Tb（太比特）QLC NAND闪存产品。这一突破不仅刷新NAND闪存技术的层数纪录，也为高容量与高性能存储解决方案开辟新的道路。 根据行业分类，NAND闪存按单元（Cell）存储比特数的不同分为SLC、MLC、TLC、QLC、PLC等类型。其中QLC单元可存储4位信息，在单位面积内能够实现更高的数据存储密度。此次SK海力士实现业界首个“300层以上的QLC NAND”，在现有NAND产品中拥有最高的集成度。公司表示，该产品已通过全球主要客户验证，预计明年上半年正式投入AI数据中心市场。 为了最大化成本竞争力，SK海力士把该产品容量提升至2Tb，是现有产品的两倍。一般来说，大容量通常伴随更复杂的存储管理与更慢的数据处理速度。对此，公司通过把NAND芯片内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，大幅增强并行处理能力，从而缓解性能下降问题。 在性能方面，新产品数据传输速度提升一倍，写入性能最高提升56%，读取性能提升18%。此外，数据写入能效提高23%以上，为AI数据中心等低功耗应用场景提供更强的竞争力。 应用层面，SK海力士计划首先在PC固态硬盘（SSD）中采用321层QLC NAND，随后扩展至企业级SSD（eSSD）和智能手机用嵌入式存储（UFS）产品。与此同时，公司计划依托独有的32层堆叠封装（32DP）技术，实现较现有产品高出一倍的集成度，正式进军面向AI服务器的超高容量eSSD市场。 SK海力士NAND开发负责人郑羽杓（音）副社长表示：“此次产品的量产不仅进一步丰富高容量存储产品组合，同时确保成本优势。为应对快速增长的AI需求和数据中心市场的高性能要求，我们会作为‘全方位面向AI的存储器供应商’，迎来更大飞跃。”

今年上半年，三星电子在中国市场的销售额因美国对华制裁、中国前端需求放缓及竞争加剧而下滑，而美国市场则实现增长。 根据三星电子17日发布的半年度报告，今年上半年其对中国的出口额为28.7918万亿韩元（约合人民币1488亿元），较去年同期的32.3452万亿韩元下降约11%。 在半年度报告中，负责移动与家电的设备体验部门（DX部门）和半导体部门（DS部门）的地区销售额未作单独披露，但业内分析认为，对中国出口的产品主要为半导体，包括LPDDR、NAND、图像传感器、显示驱动芯片（DDI）等移动端产品，以及部分高带宽存储器（HBM2、HBM2E）。 同期，美国市场出口额为33.4759万亿韩元，首次超过中国市场。相比去年底依靠中国“以旧换新”政策让中国出口额超过美国，仅半年时间，这一格局便发生逆转。 中国的生产与销售法人业绩也出现下滑。位于西安的NAND闪存生产法人三星中国半导体（SCS）今年上半年实现销售额4.4146万亿韩元，营业利润5336亿韩元，均低于去年同期的6.0214万亿韩元销售额和6444亿韩元营业利润。同期，三星上海半导体（SSS）销售额从15.8779万亿韩元降至12.3457万亿韩元，营业利润也从2322亿韩元下降至1938亿韩元。 业内分析指出，中国市场业绩低迷主要受今年上半年“以旧换新”政策刺激减弱、经济复苏延迟导致前端产业萎缩，以及本土竞争企业中国长鑫存储（CXMT）市场份额提升等因素影响，同时美国对华制裁也起到了关键作用。 相比之下，美国的生产与销售法人表现强劲。三星在美国的半导体代工及销售业务受益于人工智能（AI）服务器和数据中心投资扩大带动的AI半导体需求，实现销售额和利润双增长。其中，三星奥斯汀半导体（SAS）上半年销售额达2.2968万亿韩元，营业利润4238亿韩元，分别较去年同期增长5.6%和65.3%；三星美国半导体（SSI）销售额则由17.7267万亿韩元增至22.7204万亿韩元，同比增长28.2%。

长江存储科技有限责任公司（Yangtze Memory Technologies）成立于2016年，总部位于武汉。是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业。长江存储为全球合作伙伴提供3D NAND闪存晶圆及颗粒， 嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。

在全球半导体行业持续低迷的态势下，三星电子今年第二季度营业利润仅达4.6万亿韩元（约合人民币241.3亿元），远低于市场预期。 三星电子于8日公布的今年第二季度初步业绩报告显示，营业利润同比大跌55.94%，环比减少31.24%，显著低于市场普遍预期的6万亿韩元水平。创自2023年第四季度（2.8247万亿韩元）以来，时隔六个季度营业利润再次跌破5万亿韩元大关。 具体来看，负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门因预先计提库存资产评估损失准备金，叠加先进AI芯片受对华出口管制政策影响，对整体利润造成直接冲击。尽管改良版高带宽内存（HBM）产品已进入客户评估及小批量出货阶段，但其效益尚未能在第二季度业绩中得到体现。同时，非存储半导体业务仍面临销售受阻和生产线开工率持续走低的双重压力。但随着下半年市场需求逐步回暖，该业务板块的产能有望提升，从而改善亏损状况。此外，汇率波动和关税政策调整等因素也对企业整体盈利能力产生了负面影响。 从各业务板块表现来看，当前包括晶圆代工和系统LSI在内的非存储半导体部门及NAND业务仍处于亏损状态，而高附加值的HBM产品尚未产生显著的盈利贡献。韩国投资证券研究员蔡敏淑（音）指出，第二季度HBM的实际销售表现不及预期，加之NAND产品价格环比持续走低，预计相关业务亏损幅度将进一步扩大。晶圆代工业务的亏损规模预计与第一季度持平，自6月以来韩元汇率急剧贬值对营收和利润产生额外压力。 作为第一季度业绩贡献主力的移动体验（MX）部门，随着智能手机市场进入传统淡季，Galaxy S25系列产品的市场热度逐渐消退；同时，电视与家电业务也因市场需求持续疲软、关税成本上升以及行业竞争加剧等多重因素，盈利能力明显下滑。 虽然三星电子未公布各部门具体业绩数据，但证券业界普遍预测，DS部门营业利润约为1万亿韩元，MX与网络业务约为2万亿韩元，显示器部门预计在6000亿至7000亿韩元之间，电视与家电业务约为4000亿至5000亿韩元，哈曼部门则在3000亿至4000亿韩元区间。 市场普遍认为，三星电子业绩有望在下半年逐步回暖。其中，以存储芯片为核心的半导体业务复苏前景尤为值得期待。随着存储芯片价格企稳回升，行业整体供需关系有望持续改善。此外，在半导体市场低迷期发挥关键作用的手机与显示器业务也将迎来旺季。 韩亚证券研究员金禄昊（音）表示：“三星电子营业利润预计将在第二季度触底回升。随着随着HBM3E 12层产品向超威半导体（AMD）批量供货，DRAM市场供需趋于稳定，叠加HBM产品占比提升推动行业进入涨价周期。同时，晶圆代工业务通过降本增效和拓展新客户，预计第三季度起亏损将逐步收窄。”