在Galaxy S25系列的强劲销售推动下，三星电子今年第一季度实现历史最高季度营收，但服务器用DRAM销售增加与高带宽存储器（HBM）销售下滑等因素令半导体业务依旧承压。公司预计今年全年或呈现“上低下高”走势，第二季度则可能受到关税等不确定性因素影响。 三星电子30日发布财报显示，今年第一季度合并营业利润为6.6853万亿韩元（约合人民币341.49亿元），同比增长1.2%，较市场预期高出近30%。营收达79.1405万亿韩元，同比增长10.05%，刷新去年第三季度创下的历史最高纪录。净利润为8.2229万亿韩元，同比增长21.74%。 从各部门来看，负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门营收25.1万亿韩元，营业利润1.1万亿韩元。其中内存营收19.1万亿韩元，环比下降17%。DRAM销售有所改善，但受出口管制影响，HBM销售减少。系统LSI业绩小幅回升，晶圆代工需求疲软而表现不佳。 负责手机业务的设备体验（DX）部门营收51.7万亿韩元，营业利润4.7万亿韩元。第一季度旗舰机型销售增长，加上零部件降价及资源优化，助力移动体验（MX）与网络业务营收达到37万亿韩元，营业利润4.3万亿韩元。 此外，电视与家电业务通过高端产品销售改善盈利。哈曼目前处于业务淡季，但也实现3.4万亿韩元营收，营业利润为3000亿韩元。显示面板（SDC）业务营收5.9万亿韩元，营业利润5000亿韩元。三星电子一直以来持续加大研发投入，今年第一季度研发支出达到9万亿韩元，创下历史新高。 近来全球贸易环境恶化，经济增长放缓，第二季度经营面临较大的不确定性。韩联社旗下联合Infomax汇总的17家证券机构预测，三星电子第二季度营业利润或为6.6797万亿韩元，同比下降36.04%；营收预计为76.002万亿韩元，同比增长2.61%。 三星方面表示，如果经营不确定性得到缓解，下半年业绩有望回升。公司计划通过扩大HBM3E、128GB DDR5等高附加值产品销售，巩固存储市场竞争力，并加快第八代V-NAND的转产。系统LSI业务则扩大SoC与高像素图像传感器供应，晶圆代工计划致力2纳米工艺量产和应对移动与车载需求。 手机业务方面，三星计划第二季度主要提升Galaxy S25 Edge等旗舰产品销售，并在下半年加大折叠屏与人工智能（AI）功能优化投入。另外，公司还正在拓展高端平板、穿戴设备与扩展现实（XR）新品。电视和家电业务则主要以AI新品为核心推动销售增长。 三星江南店内陈列的Galaxy S25系列产品【图片来源 韩联社】

在中美关税摩擦持续加剧的背景下，中共中央政治局常委、国务院副总理丁薛祥近日赴陕西调研，并视察了位于西安的三星（中国）半导体有限公司，引发各界广泛关注。分析认为，此举释放出中方希望深化中韩半导体产业合作、共同应对美方出口管制的明确信号。 据悉，丁薛祥于4月14日至16日赴陕西省开展调研工作，其间专程前往三星电子西安半导体工厂并与企业负责人座谈交流。丁薛祥是中共最高领导层成员之一，在党内排名第六，长期担任习近平总书记秘书，被普遍视为“习家军”核心成员之一，政治地位稳固，是未来国家重要领导人选之一。 丁薛祥现任中央科技委员会主任，全面统筹国家科技战略，亦是推动中国“半导体强国”战略的关键人物。在此次视察过程中，丁薛祥不仅考察了生产线运转情况，还就全球贸易形势发表讲话，批评美方对华加征关税及实施技术封锁等措施。 “对外开放是中国的基本国策，”丁薛祥表示，“面对日益抬头的保护主义，中国扩大高水平对外开放的决心更加坚定。关税战、贸易战不得人心，中国愿与各方深化合作、优势互补，实现互利共赢。” 三星电子西安工厂是该公司全球NAND闪存芯片生产的重要基地之一，目前拥有两条生产线，产能占全球总产量的四成以上。工厂目前正加快推进第八代（178层）和第九代（256层）NAND产品的量产布局。 业内人士指出，丁薛祥此行的重要意义，在于向外界释放中国将通过加强与包括三星在内的国际领先企业合作，积极应对美方新一轮半导体出口限制的明确信号。除三星工厂外，丁薛祥还视察了正泰智能电气西北产业园、隆基绿能科技股份有限公司、西北有色金属研究院、西北工业大学、陕西工业职业技术学院及中欧班列西安集结中心等多家重点机构，均为国家当前重点发展和扶持的战略性新兴产业相关单位。 “丁常委此次调研代表了党中央和习近平总书记的工作部署，其所到之处均体现出鲜明的政策导向。”一位业内人士表示，“此行也体现出中方希望加强与韩方产业协作、共同应对外部挑战的战略意图。” 据公开资料显示，自2019年国务院原总理李克强视察三星西安工厂以来，丁薛祥是首位到访该厂的中共中央政治局常委。此前一个月，习近平主席曾在北京出席中国发展高层论坛2025年年会，并会见三星电子会长李在镕，显示中方高层正密集向韩方传递深化合作的积极信号。 业内普遍认为，尽管中国已培育出长江存储（YMTC）、长鑫存储（CXMT）等本土存储芯片企业，但在高带宽存储（HBM）等关键领域，与三星、SK海力士等韩企仍存在一定技术差距。在美方不断加强对AI芯片出口限制的背景下，中方有意通过与韩企开展务实合作，稳固半导体产业链安全。 近期，美国前总统特朗普再度发声，呼吁拜登政府扩大对华技术出口限制措施，继英伟达专为中国市场定制的AI芯片“H20”被列入管控清单后，英特尔、AMD等厂商产品亦被纳入限制范围，中美科技领域竞争进一步升温。 三星半导体西安园区 【图片来源 三星电子中国】

三星电子【图片来源 韩联社】 三星电子于8日公布的初步财报显示，今年第一季度营业利润为6.6万亿韩元（约合人民币330.8亿元），同比减少0.15%。销售额为79万亿韩元，同比增加9.84%，创历史同期新高，显著超出市场预期。 此前，市场普遍预测三星第一季度营业利润将低于5万亿韩元。分析指出，Galaxy S25系列智能手机的热销及DRAM存储芯片出货量强劲，成为推动业绩超预期的主要因素。据悉，今年2月上市的Galaxy S25系列在韩国市场上市仅21天便突破百万销量，刷新该系列产品销售纪录。三星电子营业利润自去年第二季度（10.4439万亿韩元）以后连续两个季度下滑，时隔3个季度后小幅回升。 分业务板块来看，尽管未披露详细数据，证券机构推测移动体验（MX）部门贡献营业利润约4万亿韩元，成为业绩增长主力；负责半导体事业的设备解决方案（DS）部门营业利润约达1万亿韩元。据推测，存储芯片业务实现约3万亿韩元营业利润，但系统LSI及晶圆代工业务赤字规模约为2万亿韩元。 得益于中国实施“以旧换新”政策，带动智能手机需求同比增长15%，存储芯片行业去库存进程加速。此外，在美国总统特朗普关税政策调整预期下，供应链提前备货也拉动了DRAM出货量增长。同时，近期存储芯片行业普遍提价，市场预期三星业绩或将开启复苏周期。SK证券研究员韩东熙（音）指出：“尽管面临传统淡季及显示面板业务承压，但DDR5价格上调、NAND闪存部分产品涨价等因素，有望支撑存储业务利润持续回升。” 然而，第二季度前景仍存不确定性。iM证券研究员宋明燮（音）表示：“三星电子高带宽存储器（HBM）因未确保大客户订单，销售增幅有限。尽管DDR5价格企稳，但库存饱和。此外，DDR4与NAND产品需求仍不振，价格上行空间受限。加之美国关税政策还未完全落地，不确定性加剧。” 金融研究机构Informax预测，三星电子第二季度营业利润或同比下滑41.24%，达6.1368万亿韩元。销售额同比增加2.2%，达75.6979万亿韩元。

上月28日，三星电子会长李在镕结束对中国的访问后回到韩国。【图片提供 韩联社】 三星电子会长李在镕上周中国之行期间，集团半导体、电池、显示器等核心业务负责人总动员陪同。在全球最大电动汽车市场中国，三星希望借积极构筑与当地企业的良好关系来推动集团汽车电子业务发展。 据经济界消息，三星电子半导体业务负责人全永铉、三星SDI社长崔周善、三星显示器社长李清（音）上月22日起陪同李在镕对中国进行了为期一周的的访问，先后到访小米北京工厂、比亚迪深圳工厂等，期间还与大批企业高层进行闭门会议。 半导体、电池和显示器是三星集团的三大核心业务，从上世纪90年代开始在中国建立起大规模生产基地。三星电子半导体自2014年起在西安运营NAND闪存工厂，显示器业务先后于1999年和2004年起在天津和东莞生产中小型有机发光二极管（OLED）模组。 三星SDI从2008年起在天津生产供电动汽车及小型IT设备使用的小型电池，2015年起在西安制造供电动汽车及储能系统（ESS）使用的方形电池。但在美国近年来的关税“大棒”下，三星砸下重金投资在中国建设的生产设施面临战略调整。 核心高管集体踏上访华之路，被各界解读为三星今后将深化与中国企业合作。在中国生产后出口至美国虽难度日益加大，但面向中国内需市场的供应仍具潜力。 同时需要半导体、电池、显示器三大核心部件的电动汽车及汽车电子业务正在成为三星的战略焦点，中国市场规模庞大，在改善三星电子及旗下子公司业绩上扮演其他市场无可比拟的角色。去年中国电动汽车销量同比大幅增长48.3%，三星一位高管表示，中国电动汽车市场规模逐年扩大，在欧洲市场快速扩张，这对于韩国来说既是挑战也是机遇。对于整车企业来说，可能面临与中国企业的激烈竞争，但同时也将成为三星等汽车电子零部件的机遇。 在显示器领域，虽然中国企业正在快速缩小与韩国的差距，但韩国仍在OLED领域保持优势。三星计划通过车载OLED显示屏（数字仪表盘、中控娱乐系统）等抢占高端电动汽车市场，市场调机构Omdia提供数据显示，去年全球车用高端显示屏市场中，韩国产品市场份额为32.5%首次登顶。 中国政府近年推出消费品“以旧换新”政策以刺激内需，对于三星来说也是一大利好。去年下半年起，中国政府为扩大市场流通性，安排3000亿元人民币的超长期特别国债资金，用于支援购买新款电动汽车、智能手机等，进一步提振电动汽车市场预期。 在三星上月举行的高管培训上，李在镕强调三星处于生死存亡关头，要求高管以向死而生的觉悟应对危机。本次中国之行，副会长庆桂显的同行颇为引人注目。面对中国半导体技术自主水平的提高，韩国半导体业界陷入恐慌。在上月19日举行的股东大会上，庆桂显表示，虽然中国可能逐步渗透低端（low-end）市场，三星仍可通过加快尖端节点开发巩固竞争力。去年5月，庆桂显还曾陪同李在镕会见访韩的中国国务院总理李强。

受通用存储芯片价格疲软影响，韩国半导体巨头三星电子与SK海力士2025年第一季度的业绩预计不及市场预期。尽管业界预测第二季度半导体行业将迎来复苏，但市场回暖的步伐或较为缓慢，难以出现剧烈反弹。 据韩国金融信息公司FnGuide于3月31日发布的预测，三星电子今年第一季度的营业利润预计在5万亿韩元（约合人民币245.8亿元）左右，较去年同期的6.6万亿韩元以及前年第四季度的6.5万亿韩元下降超1万亿韩元。分析认为，存储芯片价格疲软以及晶圆代工（代工制造）业务亏损扩大是导致业绩下滑的主要原因。 多家券商预测，三星电子半导体部门（DS部门）尽管在存储业务上取得2万亿韩元以上的盈利，但由于系统半导体和晶圆代工业务亏损严重，整体预计亏损约4000亿韩元。尤其是高带宽存储（HBM）芯片因出口管制受到影响，同时通用存储芯片价格下跌，进一步拖累盈利能力。 SK海力士的业绩也呈现类似趋势。市场分析机构预测，SK海力士今年第一季度的营业利润将达到6.5万亿韩元，虽然较去年同期的2.886万亿韩元有所增长，但相比去年第四季度的8.1万亿韩元仍减少超1万亿韩元。业界认为，通用DRAM存储芯片价格下滑以及HBM对主要客户英伟达（NVIDIA）的出货量减少，是导致业绩下降的主要原因。 尽管第一季度业绩低迷，但市场对第二季度的表现持谨慎乐观态度。近期，存储芯片需求回暖迹象显现，美国存储芯片厂商美光（Micron）宣布大幅上调产品价格，预示着市场即将迎来转折点。业内预计，AI及数据中心需求增长将推动存储芯片市场逐步复苏。 三星电子内部人士透露，DS部门高层近期向员工表示，第一季度将成为全年业绩的“低谷”，从第二季度开始，行业景气度将逐步回升，预计公司盈利能力也将恢复。但他同时指出，市场难以出现“V型反弹”或“戏剧性逆转”，更多是回归正常水平。 中国市场需求增长被视为韩国半导体企业业绩改善的重要因素之一。分析机构表示，近期中国市场的移动端DRAM库存调整已接近尾声，DDR4现货价格在DDR5之后也呈现上升趋势，显示出上半年存储芯片价格已进入上行通道。此外，全球存储芯片厂商维持谨慎的供货策略，也在一定程度上推动了价格上涨。 NAND闪存价格方面，经过长期减产，市场预计4月起价格将进入上升周期。分析人士指出，NAND闪存价格将在4月上涨，而DRAM价格在库存调整后也趋于稳定，预计二季度后将进入上升趋势。他还表示，中国的“以旧换新”政策以及美国关税政策促使市场进行提前库存积累，再加上AI基础设施投资增长，整体存储芯片需求有望超出市场预期。 【图片来源 韩联社】

在以旧换新政策拉动下，三星电子和SK海力士去年在华销售额惊喜翻番。 三星电子12日公开的业务报告显示，去年主要地区销售额中，对华出口为64.9275万亿韩元（约合人民币3240亿元），同比大幅增长53.9%。 业务报告中未对负责移动、家电的DX（设备体验）部门和负责半导体的DS（设备解决方案）部门进行单独统计，但据悉对华出口产品中半导体占大部分。仅从出口额来看，去年对华出口额略高于对美国出口额（61.3533万亿韩元）。 三星中国销售和生产法人的业绩也有所改善，根据审计报告，三星电子在西安运营的NAND闪存生产法人三星中国半导体（SCS）西安工厂去年销售额和营业利润分别为11.1802万亿韩元和1.1954万亿韩元，与2023年相比业界显著改善。销售法人上海三星半导体（SSS）去年销售额为30.0684万亿韩元，同比增长近一倍。 业界认为，这一增长势头主要得益于中国的经济刺激政策 。为提振内需经济，中国去年投入1500亿元人民币支持消费品以旧换新，推动此前低迷的移动产品需求复苏，带动半导体需求也随之增长。 三星电子在中国销售和出口的半导体包括LPDDR、NAND、图像传感器、显示驱动芯片（DDI）等移动产品，以及HBM2、HBM2E等部分高带宽存储器（HBM）。 SK海力士去年在中国的成绩也可圈可点。SK海力士目前在无锡运营DRAM工厂，在重庆运营封装工厂，在大连运营从英特尔手中收购的NAND工厂，根据公司审计报告，半导体生产法人SK海力士半导体中国（无锡工厂）去年实现了5.6127万亿韩元的销售额，创营业利润5985亿韩元，与2023年相比营业利润“狂飙”7454亿韩元。 此外，在中国负责DRAM和NAND销售的SK海力士（无锡）半导体销售去年销售额和净利润分别为13.0104万亿韩元和1432亿韩元，同比分别增长64.3%和65.4%。 SK海力士主要向科技企业聚集的美国集中销售HBM等服务器和人工智能（AI）用产品，在中国主要销售LPDDR、NAND等移动产品。截至去年第三季度，SK海力士海内外销售总规模中，美国占比58.8%，中国占比27.5%。 三星电子中国西安半导体工厂 【图片提供 韩联社】

中国依靠政府的大力支持，正在从技术“追赶者”向“先导者”转型，在人工智能（AI）、量子科技、生物、半导体、二次电池等领域迅速崛起，威胁韩国的传统优势产业。韩国的钢铁、石化等支柱行业也受到冲击，可能面临产业重组。 韩国产业研究院10日公开的分析报告显示，在韩国12大主要产业中，全球竞争力较高的目前仅有造船、显示器、家电三大领域，汽车、半导体、钢铁、化学等主力出口产业竞争力仅属“中等”，机器人、生物医疗、3D打印等未来产业更是处于“较低”水平。韩国制造业具备一定竞争力，但在研发、设计、供应链等关键环节较为落后。 自2006年起，中国加强对高科技领域的研发投入，2015年经两会提出《中国制造2025》，推动技术成果产业化。中国国家统计局数据显示，去年中国研发（R&D）投资达4963亿美元，是韩国（1075亿美元）的4.6倍，在经济低迷的情况下，AI、量子计算和生物科技等领域的投入也在增长。 中国半导体产业的崛起尤为显著。2014年起，中国政府推动半导体国产化进程，目前NAND闪存技术已接近韩国，高密度存储、AI芯片、功率半导体等领域甚至领先。系统半导体无晶圆厂（Fabless）方面，中国企业数量已达3500家，是韩国的15倍。2023年国际固态电路会议（ISSCC）论文录用量中，中国大陆（59篇）超越韩国（32篇）、台湾（23篇）和日本（10篇）。 AI投资也已经成为中国的发展重点。全球市场调研机构AIPRM预测，如果维持2023年的投资水平，截至2030年，中国与美国的AI技术差距或缩小至14年，而韩国则会落后中国183年。二次电池方面，中国的技术、设备、材料等环节已实现近90%的国产化。在矿产冶炼环节，中国的全球市场占有率高达60%至90%，负极、正极、电解质、隔膜等核心零部件的市场份额达到55%至85%。 业界原本认为，中国宁德时代（CATL）主导的磷酸铁锂（LFP）电池难以占据主流，但实际上低成本和高能量密度已成功赢得市场。与此同时，中国已开发出半固态电池并实现商业化，而韩国企业原本专注全固态电池开发，现在不得不重新评估技术路线，LG新能源甚至已经投资半固态电池研发。 去年中国政府把六大未来产业培育列为最高优先事项，计划在2027年前建成全球未来产业的战略枢纽。今年两会期间的3月6日，中国宣布设立1万亿元人民币的国家创业投资引导基金，专注投资AI、量子科技、氢电池等领域。 韩国科学技术企划评价院研究员徐行雅（音）指出，中国通过庞大的人才储备和研究资金，在短期内建立起其他国家难以复制的大规模科研基础设施，并集中资源突破国家级核心技术。相比之下，韩国自2000年代起更多依赖市场机制，政府仅提供支持，而未主导产业发展。过去韩国政府主导的汽车、半导体、石化、航空、造船等行业结构调整也已销声匿迹。 【图片来源 网络】

近日，存储芯片产业的一则消息引发行业高度关注，三星电子与中国存储芯片厂商长江存储达成一项重磅协议，将从长江存储获得开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”技术专利许可协议，这是中国存储芯片产业历史上首次“反向输出”。成立不足十年的长江存储竟然对半导体巨头三星输出专利，这一听上去似乎是“天方夜谭”般的魔幻剧情正在变为现实。 三星在存储芯片领域一直是神话一般的存在，但在迈向更高堆叠层数的道路上却被技术问题羁绊。三星此前采用的技术在NAND堆叠层数超过400层时会不堪重负，为突破这一瓶颈，三星亟需新的技术方案，若自研技术三星需要每年投入12至15亿美元，而购买长江存储的“混合键合”成本仅为自研的五分之一，并且能让三星产品上市周期缩短18至24个月，这对三星无疑是极大的诱惑。 长江存储向三星提供专利的消息乍一看是偶然，但实际是中国半导体产业技术实力和市场地位提升的体现，正如横空出世的DeepSeek一样，这是中国的综合国力、科技实力、人才储备、产业创新都达到一定高度后产生的。 近年来中韩经济合作，特别是在尖端产业领域的合作受到各种外部因素的消极干扰，韩国国内一直担忧这种合作将大大削弱韩国相关产业在国际上的竞争力。两国在部分领域的竞争虽在日趋激烈，但合作空间更大更广。长江存储向三星提供专利或许仅仅只是一个开始，期待中韩两国在半导体产业上的合作可以向更加开放、协同和创新的方向发展。 长江存储向三星提供专利技术 【图片来源 网络】

美国硬盘巨头西部数据（Western Digital）将其半导体存储业务分拆上市，这一举动让其与日本铠侠（Kioxia）的合并可能性再次浮出水面。若两家公司合并，市场份额将与当前存储行业龙头三星电子相当，因此，这一半导体行业的“重量级交易”能否达成备受关注。 据《日本经济新闻》26日报道，西部数据于本月21日（当地时间）将旗下存储业务部门——闪迪公司（SanDisk Corporation）在美国纳斯达克独立上市。这一举措再次引发市场对西部数据与铠侠合并可能性的关注。 事实上，早在2023年，西部数据与铠侠就曾试图推进合并。根据当时的方案，西部数据将拆分半导体业务，并与铠侠成立一家控股公司。然而，由于铠侠股东之一SK海力士的反对，该计划最终搁浅。SK海力士通过投资基金贝恩资本（Bain Capital）财团，投入约4万亿韩元（约合人民币201亿元）持有铠侠15%的股份。尽管SK海力士是铠侠的投资方，但由于两者在存储芯片领域存在直接竞争关系，因此SK海力士反对铠侠扩大市场份额。 根据市场调研机构集邦咨询（TrendForce）的数据，截至2024年第三季度，全球NAND闪存市场份额排名中，铠侠位列第三（15.1%），西部数据排名第四（10.7%）。如果两家公司成功合并，合计市场份额将达到25.8%，超过SK海力士（20.6%），并对行业龙头三星电子（35.2%）形成更大挑战。 除了市场份额的提升，合并还将增强两家企业的竞争力。在全球存储芯片市场竞争加剧的背景下，合并能够优化生产流程，降低研发成本，提高生产能力和技术实力，形成更强的市场竞争力。 业界普遍认为，今年西部数据与铠侠的合并将迎来关键契机。去年年底，铠侠已成功在东京证券交易所上市，而西部数据此次分拆存储业务，也让各自的股权价值更加透明，降低了合并谈判的障碍。此前合并受阻的一个主要原因是估值难题——当时铠侠尚未上市，而西部数据是一家业务多元化的企业，难以对存储业务进行精准估值。 不过，合并仍然面临来自监管层的挑战。美国、欧洲及日本等国家和地区的反垄断机构可能会担忧，此次合并是否会对市场竞争造成不利影响。此外，在当前中美关系紧张的背景下，中国监管机构对美日企业的合并可能会采取更严格的审查措施，从而增加合并的不确定性。相关人士表示：“中美关系未来可能进一步恶化，美国想要说服中国批准此项交易的难度也将加大。” 【图片来源 AI制作】

近日，业内分析认为，三星电子在存储半导体领域的技术领先优势正在迅速缩小。中国长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）正在加快技术追赶步伐，三星曾占据主导地位的NAND闪存市场也面临竞争压力。与此同时，三星在下一代存储产品的研发进展缓慢，部分业内人士认为其研发（R&D）和产品开发战略调整已迫在眉睫。 据业界27日消息，三星电子半导体（DS）部门在下一代产品及工艺开发方面面临困难。三星在400层级NAND闪存的量产过程中，决定采用长江存储的“混合键合（Hybrid Bonding）”技术专利。混合键合是一种不使用凸点（Bump），直接连接晶圆与晶圆的先进封装工艺。在尖端DRAM领域，三星正对10nm级第六代（1c）DRAM进行重新设计，而下一代10nm级第七代（1d）DRAM的研发进展也不顺利。 三星电子决定在400层级NAND闪存生产中采用长江存储的混合键合专利，这被视为长江存储在关键技术上已经占据上风。此前，长江存储在NAND市场的影响力较小。数据显示，截至2024年第三季度，三星电子在全球NAND市场的份额为35.2%，排名第一，SK海力士以20.6%排名第二，而长江存储的市场份额则低于5%。 然而，长江存储凭借混合键合技术迎头赶上。与三星和SK海力士主要改进现有堆叠工艺不同，长江存储过去几年专注于3D NAND的混合键合技术，并成功实现商业化。长江存储将这一技术命名为“Xtacking”，随着NAND堆叠层数进入400层级，传统工艺遇到了瓶颈，混合键合技术成为突破关键。相比之下，三星和SK海力士目前的量产NAND分别为286层和321层。 除了NAND市场，三星在DRAM领域的竞争力也受到冲击。三星最近决定对最先进的1c DRAM芯片进行重新设计，这一决定可能会导致市场布局延迟。 DRAM技术每提升一代，都会进一步缩小电路尺寸，提高性能并降低功耗。目前，三星、SK海力士和美光的市场竞争主要围绕1a和1b DRAM展开，而1c DRAM的研发被视为下一个关键战场。然而，由于重新设计1c DRAM需要耗费大量时间，包括重新绘制电路图、调整生产所需的光罩（Mask）等，市场竞争格局可能受到影响。美光公司已于本月25日（当地时间）宣布向客户提供1c DRAM样品，这意味着其在技术推进上已经领先于三星。 如果1c DRAM开发受阻，三星的第六代高带宽存储（HBM4）业务也将受到严重影响。三星在第五代HBM（HBM3E）市场中已被SK海力士超越，导致在AI半导体时代落后。为了扭转局势，三星计划在HBM4产品中采用1c DRAM技术，而SK海力士则计划在其HBM产品中采用1b DRAM。 此外，三星下一代1d DRAM的研发进展也不及预期。业内人士透露：“三星最初计划将1d DRAM的电路线宽缩小到10.3至10.4nm，但目前的技术条件下难以实现这一目标。” 随着中国存储芯片厂商的快速崛起，三星电子在NAND和DRAM领域都面临着巨大的挑战。未来，三星是否能够通过战略调整，重新夺回技术优势，仍需拭目以待。 【图片来源 韩联社】