中国公开了用于先进半导体生产的极紫外线（EUV）光刻设备的核心部件光源系统样品。
半导体光源开发公司朗道燧岩于10月12日在上海举行的第26届中国国际工业博览会上首次展示了EUV光源系统样品，中国官方媒体《解放日报》于15日报道。现场相关人士表示，该系统的国产化率达到90%，大部分核心部件为自主开发。
EUV光源是制造7纳米（nm）以下先进半导体所需的核心技术。它通过高功率激光照射锡滴形成等离子体，并利用在此过程中产生的波长为13.5nm的极紫外线。光源是EUV光刻设备的核心组成部分。除了光源系统外，聚光的精密反射光学系统、掩模、晶圆传输与对准系统等也是EUV光刻设备的关键部件。
朗道燧岩的光源系统采用激光产生等离子体（LPP）方式，这与荷兰ASML在其商业EUV光刻设备中使用的方式相同。公司公开的低功率光源系统‘FlintNano LPP-OXXO’的EUV输出超过15W，连续工作时间超过100小时。而ASML的商业EUV光刻设备通常要求数百瓦的光源输出。必须提高输出、长期稳定性和运行率，才能在工业现场应用。
博览会现场相关人士表示，“该光源系统达到量产阶段还需3至5年。”此次公开被认为具有重要意义，标志着中国在EUV光源技术上从理论研究阶段迈向样品验证阶段。
另一方面，朗道燧岩成立于2024年，由王豪博士研究团队基于清华大学气体放电等离子体研究成果创办。该公司获得了张江高科技园区下属投资公司和中芯聚源等的投资。
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
