SK海力士为了应对人工智能（AI）时代日益增长的内存需求，决定在用仁和青州投资总额达54万亿韩元的新生产设施（Fab）。公司认为，包括高带宽内存（HBM）在内的下一代DRAM和企业级SSD的需求将结构性增加，因此提前采取措施确保大规模生产能力。

SK海力士于7日召开董事会，决定在用仁半导体集群内的DRAM生产工厂（Y2）投资35.2万亿韩元，在青州的NAND闪存生产工厂（M17）投资19.1万亿韩元。总投资规模为54.3万亿韩元。

此次投资是公司在6月发布的中长期投资战略的后续措施。公司计划在用仁半导体集群投资总额达600万亿韩元，在青州生产基地扩展投资100万亿韩元，目前正在建设用仁1号Fab（Y1）。此次决定标志着在用仁和青州的后续生产设施建设正式启动。

用仁Y2是用仁四个Fab中的第二个生产设施，计划建设面积为34万1000坪的下一代DRAM生产基地。预计于明年7月开工，2029年6月开放首个洁净室，将生产包括HBM在内的下一代AI内存。目前正在建设的Y1也以明年2月开放首个洁净室为目标进行施工。

SK海力士原计划在2045年完成用仁半导体集群的建设，但已将这一时间提前至2033年，目标是在此之前完成四个Fab的建设。此次Y2投资决定是支持提前完工战略的关键步骤，投资将分阶段在2031年10月之前执行。

Y2投资不仅包括生产设施，还包括研发（R&D）综合中心、员工支持大楼、水处理设施和变电设施等基础设施建设费用。用仁集群的Y2所需的第一阶段电力和用水基础设施工程目前已完成99%，具备按计划建设工厂的基础。

青州将推进新Fab M17的建设，以应对AI时代急剧增长的NAND需求。M17的建设面积为20万6000坪，计划于明年2月开工，2028年12月开放首个洁净室。投资期限至2031年4月。

选择青州作为新生产基地是因为与现有生产设施的联动效应。青州已有NAND生产工厂M11、M12和M15在运作，电力、用水和土地等基础设施已基本建设完成，因此能够最快地扩大生产能力。

公司大规模投资的背景是对AI市场结构性增长的信心。市场调研机构Omdia预计，全球DRAM和NAND市场自去年起到2030年将年均增长19%。随着生成型AI向AI推理服务的扩展，HBM、服务器用DRAM以及企业级SSD的需求也在快速增长。尤其是在AI推理过程中，KV缓存存储需求以及代理AI、物理AI的扩散将进一步扩大NAND的应用范围。

SK海力士认为，在AI时代，技术实力和能够在客户所需时间内提供所需数量的生产能力是核心竞争力。因此，Fab建设将按计划进行，但洁净室的增建和设备的引入将根据客户需求逐步扩大，以提高投资效率。

公司期待此次投资不仅能为未来的增长奠定基础，还能提升国内半导体生态系统的竞争力，促进地方经济的活跃。用仁和青州两地同时进行的大规模投资将为合作伙伴提供共同成长的机会，促进就业创造和地方商业活跃，从而为国家经济的可持续增长做出贡献。

SK海力士相关人士表示：“此次投资是为了抓住AI市场增长速度带来的机会的战略性决定，旨在通过提前建立生产基础，成为全球AI半导体供应链稳定的核心合作伙伴。”