“从1工区搬运的土方量约为1500万立方米，需25吨的自卸车往返约200万次。” 在上个月30日，记者访问了位于京畿道用仁市处仁区的用国家产业园区半导体集群地块。这里将建设6个三星电子半导体生产设施（Fab），目前仍有山地、农田和工厂广泛分布。韩国土地住房公社（LH）将于本月开始土地开发工程，为三星电子提供建设工厂的土地。尽管在缩短设计和发包程序的时间，但仍面临着道路改建、文化遗产调查、企业和居民迁移等任务。 用国家产业园区的项目涉及在约235万平米的土地上建设6个三星电子工厂、发电厂和合作园区。6个工厂将建立总共36条半导体生产线。该地块于2023年3月被选为国家产业园区候选地，并于2024年12月获得产业园区计划批准。 为了建设工厂，必须进行大规模的土木工程，使用山地挖出的土方填平低洼的农田。仅在1工区就需搬运约1500万立方米的土方。LH将其换算为25吨自卸车的运送次数，约为200万次。 LH为了快速向三星电子提供工厂用地，缩短了通常需要1年9个月的设计和发包程序，约在11个月内完成。最近，LH还选定了大宇建设财团作为1工区的施工责任型建设项目管理（CM）承包商。 在施工过程中，将首次引入公共工程的工期加速技术。施工单位将提出设计与施工并行等缩短工期的方案，并在事后结算所需的额外费用。目前，大宇建设提出的方案正在审核中，具体的执行计划将随后确定。如果补偿和施工条件得到支持，也在考虑提前供应部分土地。 土地开发的同时，道路扩建和改建也是必须解决的任务。国道45号线将从安城市阳城面长西里经过国家产业园区到用仁市处仁区南东，12.53公里的路段将从原来的4车道扩建至6至8车道。该项目规模约为8911亿韩元，是应对国家产业园区及附近公共住宅区交通量增加的关键基础设施。 然而，在8月份的第一次招标中，由于没有申请资格预审的公司，招标流标。参与的公司在满足施工业绩要求方面遇到困难，因此采购厅将相同工程的业绩认可期限从最近10年扩大至20年，并于上个月重新公告。新公告的投标书提交截止日期为明年3月，施工期限为从开工之日起1800天。道路工程也将采用设计与施工并行的方式，但施工单位的选定等程序仍待进行。 文化遗产调查和现有企业及居民的迁移也是主要任务。产业园区内文化遗产调查的对象共有27处。LH用仁事业本部的金成杰表示：“自9月以来，我们已开始进行伐木、文化遗产调查、法定保护种捕捉和迁移等前期工程。”他解释说：“这些工作完成后，才能进行正式的土地开发工程。” 根据LH的说法，约99%的私有土地的补偿已完成。LH用仁事业本部的尹基钟表示：“部分山林所有者因价格问题未能达成初步协议，但正在进行重新裁决和保管程序。”他还表示：“我们正在协商居民临时居住地的保障和工厂及养殖场迁移的要求。” 为需要迁移的企业制定迁移对策。计划优先为希望迁移的52家企业中的89家企业建设约15万平米的企业迁移园区。 在当天，记者还参观了三星电子平泽校园，了解半导体生产基地建成后的情况。该地约有7万人在此工作，包括员工、合作伙伴和建筑工人，P5的建设也在进行中。平泽校园的面积约为87万平米，而用国家产业园区的总面积约为其2.7倍。 政府计划将用仁与平泽、华城、器兴和伊川等地联动，发展成为全球最大的半导体超级集群。在三星电子建设工厂并启动生产设施之前，除了土地供应外，道路等基础设施也必须到位。本月开始的土地开发工程与各类基础设施工程的进度协调，将是未来项目的任务。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子与SK海力士正在加快高带宽内存（HBM）的扩产速度，但预计明年仍将面临供需不足。业界预测，明年HBM的平均售价将比今年上涨超过两倍。这是因为在新生产线实际投产之前，AI加速器对HBM的需求正在迅速增长。 根据30日的行业消息，市场调研机构TrendForce预计，明年HBM的混合平均售价将比今年上涨121%。这一价格上涨是由于供需不足以及HBM4等高价产品比例增加的共同结果。预计明年下半年将开始出货HBM4E。然而，由于产品构成的变化，这并不意味着同类HBM产品的价格普遍上涨2.2倍。 直接影响业绩的是今年正在进行的价格谈判。与通用DRAM不同，HBM通常与主要客户按年度确定数量和价格。从今年第二季度开始，关于2027年供应的HBM4数量的谈判已正式启动。SK海力士在7月的电话会议中也表示，正在与主要客户协商明年的供应量和价格。业界认为，目前提到的价格上涨部分将反映在今年签订的合同中，并在明年出货。 三星电子与SK海力士同时加快扩产。三星电子正在平泽P4扩大HBM4用1c DRAM（D1c）的生产能力。业界预计，计划在明年第一季度前达到每月10万至12万片的生产规模。P5设备的引入也在讨论提前，但预计真正的供应贡献将在2028年之后。在温阳和天安也在扩充HBM封装设备。 SK海力士则提前了青州M15X的HBM生产扩张计划，并将今年的设备投资规模提高到40万亿韩元的后半部分。用仁集群的第一座工厂Y1将于明年逐步开始生产准备。Y2将投入35.2万亿韩元。青州还在建设负责HBM后工序的19万亿韩元规模的P&T7。 尽管大规模投资持续，但供应不会立即增加。新生产线需要经过设备安装和工艺稳定化的过程。HBM需要比一般DRAM更多的晶圆和先进的封装工艺。TrendForce预计，HBM在整体DRAM晶圆投入量中的比例将从去年底的18%提高到今年的22%，明年将达到30%。随着HBM生产的增加，通用DRAM的供应能力将减少，整体内存供需可能会变得紧张。 因此，明年三星电子和SK海力士的业绩将不仅取决于出货量，还将受到今年签订的合同条件的影响。SK海力士已与约10家主要客户签订了多年长期供应合同。三星电子也在推动HBM4的供应扩展。然而，平均售价上涨121%的预测不能简单地与两家公司的利润增长率等同。客户的合同价格、HBM4的比例以及新生产线的初期良率等都是变量。 业界注意到，即使在扩产阶段，价格预期仍在上升。在内存产业中，大规模扩产通常会导致供应增加和价格下跌，但目前HBM投资的性质更强烈地是为了跟上不断增长的需求。 一位业内人士表示：“扩产的数量在实际供应上体现之前会有时间差，因此短期内供需紧张的趋势将持续。我们认为，今年签订的合同条件将成为明年业绩的关键变量。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

金成焕气候能源环境部部长在11日表示，将确保用仁和湖南半导体集群的电力按时供应，以避免工厂建设受到影响。 在当天的国会气候能源环境劳动委员会全体会议上，金部长在回应国民力量党议员金素希关于用仁半导体集群建设进展的提问时表示：“无论是用仁还是湖南，我们都将负责任地确保电力供应不会延误，导致半导体厂建设受阻。” 他进一步指出：“目前土地开发进展不够顺利，SK海力士正在建设第一期厂房，而三星电子则处于国家产业园区土地收购阶段。” 用仁地区的SK海力士电力供应将分为三个阶段进行。金部长表示：“SK海力士电力供应问题正在推进第三阶段，整体协议已基本完成。”他解释道：“第一阶段是关闭位于忠南的煤电厂，并在用仁建设液化天然气（LNG）替代电厂，第二和第三阶段则将提供额外电力。” 他强调：“半导体集群建设延迟的原因在于土地开发过程的滞后，而非电力供应问题，确保三星电子半导体厂建设不会因电力供应问题而延误。”他还补充道：“我了解到，关于用仁地区第二和第三阶段电力供应的协议将很快达成。” 当天会议上，围绕核电政策也展开了激烈讨论。当国民力量党议员金伟相询问是否承认文在寅政府在核电建设方面的失误时，金部长反驳道：“最早提出脱核电的是朴槿惠前总统，而非文在寅前总统。” 他接着表示：“2011年福岛核电事故后，釜山、蔚山和庆南地区对核电的担忧加剧，朴槿惠政府合法决定关闭延长使用寿命的古里1号核电机组。”他指出：“文在寅政府的政策也反映了当时公众对核电的不安。” 不过，金部长表示，未来在电源结构方面需要补充性地利用核电。他指出：“气候危机日益严重，全球必须加快脱煤，但仅靠可再生能源难以解决问题。”他补充道：“必须考虑到全球能源体系，补充性地利用核电。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士为了应对人工智能（AI）时代日益增长的内存需求，决定在用仁和青州投资总额达54万亿韩元的新生产设施（Fab）。公司认为，包括高带宽内存（HBM）在内的下一代DRAM和企业级SSD的需求将结构性增加，因此提前采取措施确保大规模生产能力。SK海力士于7日召开董事会，决定在用仁半导体集群内的DRAM生产工厂（Y2）投资35.2万亿韩元，在青州的NAND闪存生产工厂（M17）投资19.1万亿韩元。总投资规模为54.3万亿韩元。此次投资是公司在6月发布的中长期投资战略的后续措施。公司计划在用仁半导体集群投资总额达600万亿韩元，在青州生产基地扩展投资100万亿韩元，目前正在建设用仁1号Fab（Y1）。此次决定标志着在用仁和青州的后续生产设施建设正式启动。用仁Y2是用仁四个Fab中的第二个生产设施，计划建设面积为34万1000坪的下一代DRAM生产基地。预计于明年7月开工，2029年6月开放首个洁净室，将生产包括HBM在内的下一代AI内存。目前正在建设的Y1也以明年2月开放首个洁净室为目标进行施工。SK海力士原计划在2045年完成用仁半导体集群的建设，但已将这一时间提前至2033年，目标是在此之前完成四个Fab的建设。此次Y2投资决定是支持提前完工战略的关键步骤，投资将分阶段在2031年10月之前执行。Y2投资不仅包括生产设施，还包括研发（R&D）综合中心、员工支持大楼、水处理设施和变电设施等基础设施建设费用。用仁集群的Y2所需的第一阶段电力和用水基础设施工程目前已完成99%，具备按计划建设工厂的基础。青州将推进新Fab M17的建设，以应对AI时代急剧增长的NAND需求。M17的建设面积为20万6000坪，计划于明年2月开工，2028年12月开放首个洁净室。投资期限至2031年4月。选择青州作为新生产基地是因为与现有生产设施的联动效应。青州已有NAND生产工厂M11、M12和M15在运作，电力、用水和土地等基础设施已基本建设完成，因此能够最快地扩大生产能力。公司大规模投资的背景是对AI市场结构性增长的信心。市场调研机构Omdia预计，全球DRAM和NAND市场自去年起到2030年将年均增长19%。随着生成型AI向AI推理服务的扩展，HBM、服务器用DRAM以及企业级SSD的需求也在快速增长。尤其是在AI推理过程中，KV缓存存储需求以及代理AI、物理AI的扩散将进一步扩大NAND的应用范围。SK海力士认为，在AI时代，技术实力和能够在客户所需时间内提供所需数量的生产能力是核心竞争力。因此，Fab建设将按计划进行，但洁净室的增建和设备的引入将根据客户需求逐步扩大，以提高投资效率。公司期待此次投资不仅能为未来的增长奠定基础，还能提升国内半导体生态系统的竞争力，促进地方经济的活跃。用仁和青州两地同时进行的大规模投资将为合作伙伴提供共同成长的机会，促进就业创造和地方商业活跃，从而为国家经济的可持续增长做出贡献。SK海力士相关人士表示：“此次投资是为了抓住AI市场增长速度带来的机会的战略性决定，旨在通过提前建立生产基础，成为全球AI半导体供应链稳定的核心合作伙伴。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

张东赫国民力量代表在经历了6·3地方选举失利后的责任论风波后，开始进行户外斗争，辞职论似乎逐渐平息。尽管仍有零星的辞职呼声，但未能形成强大的动力。根据20日国民力量的消息，张代表持续关注投票用纸短缺的问题，进行户外活动。在国庆日，他没有参加国会活动，而是出席了在首尔奥林匹克公园举行的集会，呼吁对选举管理委员会进行特别调查并要求重新选举。在当天的国会最高委员会会议上，张代表表示：“当政治特检在空调良好的办公室里坐着时，我们的国民却在奥林匹克公园与酷暑作斗争。”他还提到：“当这个践踏宪法的政权庆祝他们自己的国庆日时，青年和市民们在广场上高喊特检和重新选举。”他进一步指出：“‘奥公日’期间，放弃假期、冒着酷暑和暴雨来到奥林匹克公园的市民们，捍卫的正是宪法和公民的参政权。”他警告称：“如果政权试图破坏宪法，国民将会推翻政权；如果总统试图剥夺参政权，国民将会剥夺总统的权力。”在张代表的户外活动受到批评时，党内支持者纷纷表示支持。党代表秘书室的朴俊泰在最高委员会会议后与记者见面时表示：“现在在奥公的有些市民和青年暂时放下生计，冒着雨水和汗水，坚守现场，捍卫参政权。”他强调：“政治人物应该对这些人心怀感激和歉意，感受到一丝责任感。”他还指出：“有些人可能会说‘我无法与代表一起参与’或‘代表似乎是为了保住自己的任期而出现在那里’，但如果是以国民为中心进行政治的人，绝对不应该说出这样的话。”他补充道：“根据我掌握的情况，目前已有40多名党内议员前往奥林匹克公园。”他强调：“如果不参与这一美丽的市民运动，将来将被记录为无视为捍卫参政权而走上街头的市民愿望的政治人物。”张代表计划于23日访问京畿道用仁，25日访问庆南金海和大邱，结束户外斗争。然而，他个人可能会继续参加在首尔松坡区奥林匹克公园举行的抗议活动。在党内，针对张代表的辞职要求仍在继续。此前，五届中坚议员权永世曾要求张代表辞职，称其“以个人私欲和利益牺牲保守势力”。六届议员赵京泰则呼吁党内伦理委员会对张代表进行制裁，要求对其进行开除和驱逐处理，以确保党的生存和下届总选举的胜利。四届中坚议员韩基浩也在18日的议员团体Telegram群组中分享了张代表在奥林匹克公园抗议现场的照片，并质疑：“我们还要看到这样的场景多久？”然而，即使张代表辞职，党内也缺乏能够接替他的人选，因此辞职论未能获得动力。如果张代表辞职后召开党代会，新任党代表只能在明年8月之前完成剩余任期，而无法获得2028年总选举的提名权。因此，关于“明年2月辞职论”的讨论逐渐浮出水面。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SG宣布将独家供应SK海力士用仁先进系统半导体集群建设现场的沥青混凝土，消息传出后，股价在早盘交易中上涨超过22%。同时，三星电子平泽校园P5也计划应用环保沥青混凝土，进一步刺激了投资者的热情。 根据韩国交易所的数据，截至上午9时16分，SG的股价上涨337韩元（22.33%），交易价格为1846韩元。 SG表示，已确认将独家供应SK海力士用仁先进系统半导体集群建设现场的沥青混凝土。 SK海力士用仁先进系统半导体集群是一个国家战略项目，投资额约为122万亿韩元。预计将成为国内最大的半导体生产基地，未来将带来数百万亿韩元的生产效应。随着大规模基础设施工程的启动，确保高质量建筑材料的稳定供应成为关键任务。 公司表示，通过此次供应，SG将参与SK海力士推进的超大型半导体生产基地建设的初期阶段核心基础设施工程。 此外，SG还在三星电子平泽校园第五半导体工厂（P5）推进环保产品“生态钢沥青混凝土”的应用。自上个月15日至17日，三星物产负责施工和质量管理的P5现场进行了生态钢沥青混凝土的试铺，监理组与SG的技术和销售人员对整个过程进行了检查。 SG计划基于SK海力士用仁集群的独家供应业绩和三星电子P5的应用推进，进一步扩大在国内主要半导体及先进产业基础设施项目中的环保高附加值产品供应。 SG相关人士表示：“SK海力士用仁先进系统半导体集群的独家供应证明了SG的质量竞争力和稳定供应能力，这是一个重要的参考案例。通过三星电子P5的试铺，我们确认了经济性和质量竞争力，未来将进一步扩大在国内主要半导体及先进产业基础设施项目中的供应，增强市场竞争力。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士计划于下个月在美国上市其股票存托凭证（ADR），预计融资规模最高可达45万亿韩元。 根据24日金融监督院电子公示系统的消息，SK海力士计划为在美国纳斯达克证券交易所上市发行最高达45万4500亿韩元的证券存托凭证（DR）。ADR的上市日期定于下个月10日。 公司表示，此次ADR发行所获得的资金将用于△用仁半导体集群一期工厂（建设投资）△清州P&T7先进封装工厂（包括建设、设备及附属费用）△机械设备等建设及设施投资。 不过，最终的融资规模可能会根据需求预测结果而有所变化。SK海力士将在ADR募集总额通过后续需求预测确定后，决定具体金额。 早在3月25日，SK海力士已向美国证券交易委员会（SEC）提交了ADR上市的公开注册申请，正式启动了纳斯达克上市程序。 随着ADR上市消息的公布，SK海力士的股价在盘后交易中表现强劲。在NXT盘后市场中，截至下午5时6分，SK海力士的股价较前一交易日上涨了13万9000韩元（5.44%），报269万4000韩元。 在常规市场中，股价上涨了0.98%，收于258万韩元。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。