三星电子与SK海力士正在加快高带宽内存（HBM）的扩产速度，但预计明年仍将面临供需不足。业界预测，明年HBM的平均售价将比今年上涨超过两倍。这是因为在新生产线实际投产之前，AI加速器对HBM的需求正在迅速增长。

根据30日的行业消息，市场调研机构TrendForce预计，明年HBM的混合平均售价将比今年上涨121%。这一价格上涨是由于供需不足以及HBM4等高价产品比例增加的共同结果。预计明年下半年将开始出货HBM4E。然而，由于产品构成的变化，这并不意味着同类HBM产品的价格普遍上涨2.2倍。

直接影响业绩的是今年正在进行的价格谈判。与通用DRAM不同，HBM通常与主要客户按年度确定数量和价格。从今年第二季度开始，关于2027年供应的HBM4数量的谈判已正式启动。SK海力士在7月的电话会议中也表示，正在与主要客户协商明年的供应量和价格。业界认为，目前提到的价格上涨部分将反映在今年签订的合同中，并在明年出货。

三星电子与SK海力士同时加快扩产。三星电子正在平泽P4扩大HBM4用1c DRAM（D1c）的生产能力。业界预计，计划在明年第一季度前达到每月10万至12万片的生产规模。P5设备的引入也在讨论提前，但预计真正的供应贡献将在2028年之后。在温阳和天安也在扩充HBM封装设备。

SK海力士则提前了青州M15X的HBM生产扩张计划，并将今年的设备投资规模提高到40万亿韩元的后半部分。用仁集群的第一座工厂Y1将于明年逐步开始生产准备。Y2将投入35.2万亿韩元。青州还在建设负责HBM后工序的19万亿韩元规模的P&T7。

尽管大规模投资持续，但供应不会立即增加。新生产线需要经过设备安装和工艺稳定化的过程。HBM需要比一般DRAM更多的晶圆和先进的封装工艺。TrendForce预计，HBM在整体DRAM晶圆投入量中的比例将从去年底的18%提高到今年的22%，明年将达到30%。随着HBM生产的增加，通用DRAM的供应能力将减少，整体内存供需可能会变得紧张。

因此，明年三星电子和SK海力士的业绩将不仅取决于出货量，还将受到今年签订的合同条件的影响。SK海力士已与约10家主要客户签订了多年长期供应合同。三星电子也在推动HBM4的供应扩展。然而，平均售价上涨121%的预测不能简单地与两家公司的利润增长率等同。客户的合同价格、HBM4的比例以及新生产线的初期良率等都是变量。

业界注意到，即使在扩产阶段，价格预期仍在上升。在内存产业中，大规模扩产通常会导致供应增加和价格下跌，但目前HBM投资的性质更强烈地是为了跟上不断增长的需求。

一位业内人士表示：“扩产的数量在实际供应上体现之前会有时间差，因此短期内供需紧张的趋势将持续。我们认为，今年签订的合同条件将成为明年业绩的关键变量。”



※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

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