
据联合新闻报道,崔会长在现场检查结束后与记者会面时表示:“半导体需求正在快速增长,因此必须加快供应速度。”
不过,他指出具体的开工时间仍需进一步研究。他表示:“何时开工还需要更多研究,今天难以回答”,同时强调“将尽快推进”。
崔会长还表示,存在同时建设用地半导体集群和光州半导体集群的可能性。
他指出:“预计半导体需求将持续快速增长,因此需要在其他用地建设半导体生产工厂,视情况可能需要与用地半导体集群并行建设。”
他还提到,可能会优先开始工厂建设而非基础设施建设。崔会长表示:“即使用水和电力供应延迟,只要能提前整体进度,就会优先进行施工。”
崔会长提到,光州集群的规模目前正在考虑为用地半导体集群的三分之二。他表示:“目前计划的规模大约是用地的三分之二,如果土地进一步获得,半导体需求也增加,霍南集群有可能会更大。”
此外,霍南半导体集群是政府在6月发布的《韩国大跃进三大超级项目》的核心项目。三星电子和SK海力士计划总投资800万亿韩元,在霍南地区建设四座内存半导体生产工厂。
其中,SK海力士计划在西南地区投资约400万亿韩元,建设新的生产基地。SK计划提前投资的用地半导体集群投资规模约为600万亿韩元。
政府在7月选择了约250万坪的光州军机场用地作为霍南半导体产业园区的选址。该地大部分为平整的大型国有土地,考虑到可以缩短土地补偿和用地建设时间。
光州城市中心与高速铁路(KTX)车站相近,且道路、机场、港口的物流接入性和居住条件也被评估为优势。政府计划提供6.3GW的电力和65万吨的用水,以满足霍南半导体工厂的运营需求。
影响项目进度的关键变量是军机场功能的转移以及电力和用水基础设施的建设。政府计划在2028年中期之前将光州军机场的功能临时转移到其他军用机场,并推动在转移之前在附近用地开始工业园区的建设。
※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。


