一项调查显示，在新型存储器铁电存储器（FRAM）领域，韩国专利申请数量位居全球首位。
韩国知识产权机构对2012至2023年近12年间，向五大知识产权机构（IP5，即韩国、美国、中国、欧盟、日本）提交的铁电存储器相关专利进行分析，并于19日发布结果显示，韩国以43.1%（395件）的专利申请，位列全球第一。在年均增长率方面，韩国亦以18.7%居首，显示出在申请规模与增长速度上的双重领先地位。
相较于其他新一代存储技术，铁电存储器能够直接沿用现有半导体生产设备，无需额外投入新设备即可实现量产。使其成为高密度人工智能芯片制造的重要技术选项，逐步确立为引领下一代人工智能存储产业的关键核心材料。
从专利申请的国家与地区分布来看，韩国以395件位居第一，占43.1%。其次依次为美国260件（28.4%）、日本170件（18.5%）、中国42件（4.6%）以及欧盟38件（4.1%）。同期，年均增长率方面，韩国以18.7%继续保持领先，其次为中国（14.7%）和美国（12.5%）。
韩国知识产权机构半导体审查推进团团长金熙泰（音）表示，随着铁电存储器件技术日趋成熟，围绕商业化核心技术的专利竞争正日益激烈。今后，将通过构建跨机构协作体系、向产业界共享专利分析成果等方式，积极支持韩国企业保持在下一代人工智能存储技术领域的引领地位。
