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SK海力士通过43万亿韩元融资加速建设龙仁和清州半导体工厂

金那胤 기자 2026-07-08 17:16
美国纳斯达克ADR上市大获成功,吸引大量外资 龙仁一期工厂和清州M15X集中投资,响应HBM4需求 推动‘三大 mega 项目’,期待国内材料产业的溢出效应
图片来源:路透社 纽西斯通讯社
[图片来源:路透社 纽西斯通讯社]

 

SK海力士通过美国纳斯达克上市所获得的43万亿韩元资金的用途引起了业界的广泛关注。这笔资金将用于即将于明年完工的龙仁半导体集群、清州新型先进封装工厂以及长期项目西南地区项目等多个领域的设备投资(CAPEX)。

根据7日(当地时间)的外媒和业界消息,SK海力士计划于10日进行的美国股票存托凭证(ADR)上市吸引了全球大型机构投资者,取得了成功。彭博社评价称:“全球投资者对SK海力士在高带宽内存(HBM)市场的主导地位和成长性下注。”

这笔资金的相当一部分将集中用于龙仁半导体集群和清州工厂的新建。首批资金将投入到即将于明年完工的龙仁集群一期工厂。SK海力士在今年2月曾预告将追加投资21万6000亿韩元。首个洁净室的开放时间也提前至明年2月。目前洁净室的最后施工正在进行中,因此此次ADR资金预计将完全消除龙仁工厂核心设备的引入和初期运行稳定化的资金风险。


清州同样是核心投资基地。今年上半年已开始量产的M15X新工厂,原本以第五代(1b)DRAM为主,近期正在扩大至第六代(1c)DRAM的设备投资。这是为了提前应对即将于下半年出货的面向英伟达的第六代高带宽内存(HBM4)等全球需求。仅引入必要的极紫外(EUV)光刻设备就需约12万亿韩元。专用的先进封装工厂P&T7也在加速建设,目标是明年年底完工。

部分资金将作为参与政府‘三大mega项目’的启动资金,包括在光州和清州各新建两座内存工厂和培育下一代闪存基地,该项目总投资超过500万亿韩元。因此,提前获得的流动性将成为长期支持这一庞大mega项目的坚实后盾,业界对此分析认为。

国内半导体材料产业也期待着溢出效应。SK海力士正在龙仁集群内与50多家合作伙伴共同建设半导体合作园区。

安基贤 韩国半导体产业协会常务理事表示:“在半导体市场波动的情况下,通过外资引入形式提前获得大规模资金,这在外部风险中为长期投资动力的稳定提供了重要意义。”他还预测:“及时投入这些资金将成为巩固全球AI内存主导权的契机。”





※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。

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