SK海力士发行的美国存托凭证(ADR)将于10日(当地时间)正式在纳斯达克挂牌上市,预计募资规模将达37万亿韩元(约合人民币1675亿元)。有望成为外国企业赴美上市史上第二大交易,仅次于阿里巴巴2014年创下的250亿美元纪录。
据韩国产业界9日消息,SK海力士已完成ADR公开发行程序,将于10日正式在纳斯达克市场挂牌交易。彭博社报道称,SK海力士ADR发行前的机构询价需求十分强劲,认购规模已超过发行股份数量的7倍。全球长期投资基金、科技领域专业基金、主权财富基金以及专注亚洲市场的全球投资者均表现出浓厚兴趣。若最终发行价按照SK海力士本月8日收盘价207.6万韩元计算,公司将募集资金约245亿美元。
尽管如此,英国投资机构贝利·吉福德(Baillie Gifford)、美国对冲基金Coatue Management以及Situational Awareness Partners等机构仍表示,有意在首次公开募股中认购最多70亿美元的ADR。
此次发行主承销商由美国银行、花旗集团、高盛和摩根大通领衔,另有9家证券公司参与承销。根据安排,SK海力士ADR将于10日在纳斯达克全球精选市场以股票代码“SKHYV”开始临时交易,并于13日起转为常规交易。
为在纳斯达克上市,SK海力士将发行最多1779万股新股,约占公司总股本的2.5%。募资所得将用于建设龙仁半导体集群一期晶圆厂、清州P&T7先进封装工厂,以及采购极紫外(EUV)光刻机等核心设备。
SK集团会长崔泰源和SK海力士社长郭鲁正将前往美国纽约,出席纳斯达克上市纪念活动。届时将向全球投资者积极展示SK海力士在人工智能(AI)存储芯片领域的竞争力和发展愿景。
韩国产业界预测,崔泰源此次访美期间可能与英伟达、特斯拉等美国科技巨头高管接连会面。今年2月,崔泰源在硅谷会见英伟达CEO黄仁勋,双方就高带宽内存(HBM)、下一代服务器内存模块SOCAMM、NAND闪存等存储芯片以及AI数据中心建设等中长期合作方案进行了交流。黄仁勋上月访问韩国期间,双方再次会晤巩固合作关系。



