SK海力士将在美国印第安纳州建立首个HBM生产基地。该基地的核心是建立在美国进行先进封装和检测的生产体系，以提高对当地客户的响应能力，同时直接融入美国的AI半导体供应链。
SK海力士于27日（当地时间）在美国印第安纳州西拉菲特举行了AI内存先进封装生产基地的奠基仪式，并于28日宣布，总投资额超过40亿美元。工厂计划于2028年10月完成洁净室建设，并于2029年下半年开始量产下一代HBM。
这标志着SK海力士在美国直接建立HBM供应链的重大意义。在美国大型科技公司和数据中心对HBM的需求不断增加的背景下，SK海力士将能够在客户身边建立生产和研发基地。
工厂还将设有先进的封装研发和测试设施，以便客户、大学和商业伙伴共同开发下一代封装技术，并进行原型制作和性能验证。
SK海力士还将致力于扩大当地生态系统。约有100家材料、零部件和设备公司正在讨论进驻西拉菲特。工厂的建设和运营预计将直接或间接创造7000多个就业机会。
印第安纳工厂还将用于增强美国本地的研发能力。SK海力士当天与普渡大学签署了先进封装技术的联合研究协议，共同开发包括HBM在内的下一代系统集成技术和先进封装技术。
业界人士关注印第安纳工厂不仅是简单的生产设施，更可能成为连接美国客户、研究机构及材料、零部件和设备企业的枢纽。这可能成为将HBM供应链从韩国中心扩展到韩美联动结构的契机。
SK海力士计划围绕印第安纳进一步扩大与美国中西部大学和研究机构的合作，旨在同时推进当地人才的获取和技术开发，以增强HBM的竞争力。
郭诺正 SK海力士首席执行官表示：“印第安纳工厂将成为首次在美国生产HBM的基地，我们将扩大在美国的投资与合作，成为共同创造AI未来的合作伙伴。”
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
