国内半导体行业在人工智能（AI）投资扩大的推动下，前景乐观。随着AI推理需求的激增，高带宽内存（HBM）等高性能内存市场迅速增长，国内半导体企业也在加速应对中国技术追赶的下一代技术开发竞争。

SK海力士开发总裁安贤在14日于首尔江南区COEX举行的第28届半导体展(SEDEX 2026)的主题演讲中表示：“预计到2030年，AI基础设施的性能规模将比今年增长约20倍。”

安贤指出，随着AI推理的工作复杂度、处理信息量和请求量同时增加，内存需求也急剧上升。特别是，随着AI处理的信息存储和再利用的“KV缓存”增多，HBM、DRAM和固态硬盘（SSD）之间的数据移动成为新的性能瓶颈。

为此，SK海力士将扩大定制化HBM的开发，同时推进高带宽闪存（HBF）的开发，目标是容量超过HBM的10倍，并在运算半导体上直接堆叠DRAM。安贤表示：“标准型HBM和定制型HBM将并行发展，但从长远来看，定制型产品将更为普及。”

此外，中国的内存技术追赶也是国内企业竞争的一个变量。中国内存企业长鑫存储科技（CXMT）已预告将在下一代服务器用DRAM中应用“4F²”（四方形）技术。4F²技术可以缩小DRAM单元面积，使同一空间内存储更多数据。
当天，三星电子首席技术官宋在赫在活动现场被问及4F²技术的开发进展时回答：“是的。”但对于开发进展情况，他表示：“我们正在努力。”此前，三星电子和SK海力士也一直在研究该技术，但因成本问题尚未应用于量产。随着中国技术开发速度的加快，国内企业也在全力争取下一代内存技术的掌握。

在此背景下，双方在展会上分别展示了各自的下一代AI半导体技术和商业战略。

三星电子展示了涵盖内存、代工和先进封装的综合半导体实力，介绍了下一代HBM4E、基于4纳米工艺的HBM4E基础芯片以及三维内存技术zHBM等AI半导体综合解决方案。在新设的“半导体集群区”中，公开了包括龙仁国家产业园区等主要生产基地和基础设施扩展计划。三星电子计划在龙仁国家产业园区投资约360万亿韩元，预计于2027年开始土地开发和建设，目标在2029年10月启动首条生产线。

SK海力士则重点展示了以HBM为中心的AI内存技术和与英伟达的合作。在展位内最大规模的展台上，展示了HBM、HBF结构模型、高性能DRAM和企业用SSD等产品。特别是，展示了英伟达的“贝拉·鲁宾”超级芯片和首席执行官黄仁勋签名的HBM晶圆，以强调双方的合作关系。同时，还展示了256GB的服务器用3DS RDIMM和移动用LPDDR6等多种内存产品。